【課題】誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。
【解決手段】(i)アルコキシシランの１種または２種以上を加水分解、または加水分解後、熟成して得られたシリカ微粒子の少なくとも一部の表面に、フェニル基含有アルコキシシランまたはフェニル基含有クロロシランの加水分解物を結合させて得られたフェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)アルコキシシランおよび／またはハロゲン化シランの加水分解物と、ポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとの反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスであって、（ａ）半導体層と、（ｂ）低誘電率ポリマーおよび高誘電率ポリマーを含む相分離誘電体構造と、を任意の順に含み、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度である、電子デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】熱化学気相堆積の膜に比較してエッチング速度、水素濃度、およびストレスなどの改善された特性を有する膜を与える方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ−Ｈ₃を有するアルキルアミノシラン、好ましくは式（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）ＳｉＨ₃、（ここでＲ¹およびＲ²は独立してＣ₂からＣ₁₀から選ばれる。）および窒素源もしくは酸素源、好ましくはアンモニアもしくは酸素、から窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコンカルボキシナイトライドおよび炭素をドープした酸化ケイ素を、周期的リモートプラズマ化学気相堆積方法、又はリモートプラズマ原子層堆積方法、で膜形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリ（ジオルガノ）シロキサンと金属アルコキシドから形成される有機修飾シリケートの１μｍ以上の厚膜で、相分離による凹凸が生じず、低いヤング率で基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の平坦性の高い有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液を提供。
【解決手段】質量平均分子量が900以上10000以下であるポリ（ジオルガノ）シロキサンＡと金属アルコキシドＢを有機溶媒Ｃに溶解し、さらに水を添加してなる塗布溶液であって、金属アルコキシドＢ１モルに対するポリ（ジオルガノ）シロキサンＡのモル比Ａ／Ｂが0.05以上1.5以下であり、前記有機溶媒Ｃが水酸基を有し、有機溶媒Ｃ100ｇに対する水の溶解度が３〜20ｇで、ポリ（ジオルガノ）シロキサンＡ１モルに対する有機溶媒Ｃのモル比Ｃ／Ａが0.05〜100である表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体層を堆積し、低誘電率材料、高誘電率材料及び液体を含む誘電体組成物を低誘電率材料及び高誘電率材料を相分離させずに液相堆積し、低誘電率材料および高誘電率材料の相分離を生成することを含む。低誘電率材料は半導体層に最も近い誘電体構造の領域内の高誘電率材料の濃度に比べて高濃度であり、半導体層の堆積は、誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである
【解決手段】膜２に凹部３を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記凹部３を形成した後、該凹部が形成された膜２に電磁エネルギを照射する照射工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 低比誘電率と高機械的強度とを併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などに好適に使用できる多孔質シリカおよび多孔質シリカフィルムの製造方法、および該多孔質シリカフィルムを用いる層間絶縁膜、半導体用材料および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｏ結合を主骨格とするアルキル基を含有する多孔質シリカフィルム中の原子の結合状態を赤外吸収スペクトルでシリカフィルム表面に起因する特定の吸収ピークの波数を規定することによって、低い比誘電率および高い機械的強度を併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などとして有用な多孔質シリカフィルムを再現性良く製造できる。 （もっと読む）

【課題】
多孔質シリカ前駆体膜を用い、研磨を行なってもマイクロスクラッチや剥離の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体ウエハの下地上に、ノンテンプレートタイプの多孔質シリカ前駆体膜をスピン塗布する工程と、（ｂ）多孔質シリカ前駆体膜の外周から内側に向けて走査しつつリンス液を噴射する工程を含み、多孔質シリカ前駆体膜の外周部で外側に向かって厚さが減少する傾斜部を形成する工程と、（ｃ）多孔質シリカ前駆体膜をキュア処理して多孔質シリカ膜に変換する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる絶縁膜を形成するための組成物であって、得られた絶縁膜の誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり且つ基板との密着性に優れ、更に塗布液の安定性に優れる絶縁膜形成用塗布液を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、解決される。
（Ａ）炭素-炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランの加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、
（Ｃ）炭素数１６以下のカルボン酸、及び
（Ｄ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、低誘電率などの絶縁膜としての膜性能を維持しつつ、基板との密着性が改良された絶縁膜形成用組成物、更に、該組成物を用いて得られる絶縁膜及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】カゴ型構造と不飽和結合基を有する高分子化合物を含有する絶縁膜形成用組成物であって、上記高分子化合物が更に置換基としてアルコキシシラン基、アシルオキシシラン基またはヒドロキシシラン基を有する化合物であること特徴とする組成物、により解決される。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物１００〜１０モル％及び（Ｂ）成分；下記一般式（２）で表される化合物０〜９０モル％を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含有する。Ｒ^１_ａＸ_３−ａＳｉ−（Ｒ^３）_ｃ−ＳｉＸ’_３−ｂＲ^２_ｂ ・・・・・（１） （式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子を表し、Ｒ^３は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ｍは１〜６の整数）を表し、ａ、ｂは０〜３の整数を示し、ｃは０または１を示す。）Ｒ^４_ｄＳｉＸ”_４−ｄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ^４は前記Ｒ^１、Ｒ^２と同じ基を表し、Ｘ”はハロゲン原子またはアルコキシル基を表し、ｄは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】絶縁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材表面にパターン状に絶縁性微粒子を１層のみ並べたパターン状の単層絶縁性微粒子膜、および複数層累積したパターン状の絶縁性微粒子累積膜、ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】パターン状の絶縁性微粒子膜１、３は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基材１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応により結合を形成する第１のカップリング反応基を有する第１のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性微粒子４２が配列した絶縁性の微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された微粒子３４および反応性微粒子４２が交互に結合固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有し、しかも低密度、低屈折率で誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有し，シロキサン構造が環状構造を有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を硬化して成る半導体デバイスの絶縁膜であって、前記カゴ構造が硬化反応で壊れないことを特徴とする。カゴ構造の壊れは、硬化プロセス後の膜のラマンスペクトルに６１０ｃｍ−１付近のピークを観測することによって検知できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、炭素−炭素不飽和結合を有する耐熱性有機高分子化合物および有機溶剤を含む。該組成物を基板上に塗布した後、硬膜することにより絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 ２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を有機溶媒に１２質量％以下の濃度で溶解し、重合開始剤を用いて前記化合物を重合させてなり、前記化合物の７０％以上が重合反応している重合体を含むことを特徴とし、重合開始剤としてはアゾ化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の層間絶縁膜に適した、均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜を提供する。
【解決手段】組成物は、下記式（Ａ）および式（Ｂ）を構成単位として含む共重合体等を含有する。


上式中Ａ^１〜Ａ^６は水素原子等、ｍおよびｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ個のＳｉＯ_1.5ユニットは酸素原子を共有して他のユニットに連結して、カゴ構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】絶縁膜材料は、下記構造式（１）で表される立体構造を有するシリコン化合物を少なくとも含む。


ただし、前記構造式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、これらのうちの少なくとも１つは、炭化水素及び不飽和炭化水素のいずれかを含む官能基を表す。 （もっと読む）

【課題】残留応力が低減された膜を得ることができる膜の形成方法、該方法によって得られた膜、および該膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】膜の形成方法は、酸素濃度が５０〜３，０００ｐｐｍである雰囲気下で、ポリカルボシランを含有する塗膜を硬化させて膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【解決課題】 工業的に好ましい材料であるシロキサン重合体を用いて、従来のシロキサン重合体によるものよりも機械強度に優れる多孔質膜を形成し得る、新たな方法により合成されたシロキサン重合体、それを含有する膜形成用組成物、多孔質膜の形成方法及び形成された多孔質膜、並びに、この多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 加水分解性シラン化合物の加水分解縮合によるシロキサン重合体の製造方法において、一般式（１）
（ＳｉＯ_1.5−Ｏ）_n^n-Ｘ⁺_n （１）
（但し、ＸはＮＲ₄を表し、Ｒは炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基を表し、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。また、ｎは６から２４の整数を表す。）
で表されるシルセスキオキサンのケージ化合物塩を準備し、該シルセスキオキサンのケージ化合物塩に、加水分解性シランを加水分解して縮合したシロキサン重合体を用いる。 （もっと読む）