【課題】銅配線を用いる半導体装置において、銅配線の酸化を防ぐと共に、配線間誘電率を低下させる。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に埋め込まれて形成され、銅を含む導電膜１２ｂを有する配線１２と、配線１２上を含む第１の層間絶縁膜１１上に形成された絶縁性バリア膜１５と、絶縁性バリア膜１５上に形成され、低誘電率膜からなる第２の層間絶縁膜１６と、導電膜１２ｂと絶縁性バリア膜１５との間に導電膜１２上を覆うように形成され、銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ密着性に優れた積層体およびその製造方法、ならびに該積層体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、シリカ系膜および有機系膜を含み、前記シリカ系膜と前記有機系膜とが、アルキル基、アシル基またはアリール基、と水素原子、フッ素原子、アルキル基、またはアリール基を有し２重結合を含む炭化水素基を有するアルコキシシランシラン化合物を硬化させて得られる層間膜を介して積層する。
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【課題】 異種ＳＯＧ材料を搭載するＳＯＧコート装置において、ノズルからの不所望なＳＯＧの滴下を防止し、かつ、結晶化または固化したパーティクルの塗布を防止する。
【解決手段】 ＳＯＧの供給方法は、ロットに対して第１のノズルから第１のスピンオンガラスを供給する処理を実行するとき、当該ロットへの処理の開始時または終了時に、第２のノズルから第２のスピンオンガラスを一定量だけ吐出するステップを含む。さらにＳＯＧの供給方法は、ロットに含まれる基板の処理開始時に第２のノズルを洗浄するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第１の酸化物層を形成するステップであって、該第１の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第２のシリコン酸化物層の一部になり、該第２のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】配線上の信号遅延を小さくして、配線上の信号遅延特性を所望の状態に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程中に、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面をポロジェンを含む第４の絶縁膜２５で覆うことで、バリアメタルスパッタ工程などの半導体装置の製造工程において、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面の低誘電率膜である第４の絶縁膜２５の比誘電率上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】加工耐性が高いケイ素含有絶縁膜ならびにその形成方法、および当該膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシラン化合物と、下記一般式（２）ないし（４）のうちから選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、を含む化学気相成長法に用いられるケイ素含有膜形成用組成物である。


・・・・・（１）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、フェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。）Ｒ^６_ａＳｉ（ＯＲ^７）_４−ａ・・・・（２）Ｒ^８_ｂ（Ｒ^９Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１２）_ｄ−Ｏ_ｅ−Ｓｉ（ＯＲ^１０）_３−ｃＲ^１１_ｃ・・・（３）−｛Ｒ^１３_ｆ（Ｒ^１４Ｏ）_２−ｆＳｉ−（Ｒ^１５）_ｇ｝_ｈ−・・・（４） （もっと読む）

【課題】 低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。
【手段】 化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多官能モノマーを用いてラジカル重合を行う際に、分子量制御が容易で、かつ再現性よく、機械的特性、耐熱性、低誘電率などに優れたシリコーン樹脂を製造することができるシリコーン樹脂の製造方法、製造されたシリコーン樹脂を含む膜形成用組成物、および組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表されるシロキサン構造を分子内に２以上有する多官能モノマーと溶媒とを含む溶液に、ラジカル重合開始剤およびラジカル重合禁止剤を、それぞれ連続的または断続的に供給しながら重合反応を行うシリコーン樹脂の製造方法：


（一般式（１）中、Ｒはビニル基またはエチニル基を表す。Ｘは、Ｏ−またはアルキル基を表す。）。 （もっと読む）

【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号処理速度が速く、電流リークが起き難くて信頼性が高い半導体装置を低廉なコストで提供することである。
【解決手段】半導体装置の配線における絶縁膜の構造であって、前記絶縁膜は、下層ＣＶＤ型絶縁膜と、前記下層ＣＶＤ型絶縁膜より機械的強度に富む上層ＣＶＤ型絶縁膜と、前記下層ＣＶＤ型絶縁膜と前記上層ＣＶＤ型絶縁膜との間に設けられた塗布型絶縁膜とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理によってダメージを受けた絶縁膜を回復処理する際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによって処理が行われ、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を得る
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、ｔｅｒｔ（ターシャリー）−ブチル基を含む化合物、炭化水素基とアミノ基を含む化合物、乳酸化合物のうち少なくとも１種以上の回復剤を接触させる。プラズマ処理後大気に曝すことなくダメージ回復処理を行うことが好ましい。また、アルコールなどの接触促進剤と接触させることもできる。 （もっと読む）

【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、疎水化処理時間が短縮され、かつ、比誘電率の上昇が抑制された疎水化多孔質膜をえることができない。
【解決手段】 基板１上に有機シリカ絶縁膜２を形成する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１が配置された装置内で基板１の温度をシリル化ガスの露点温度以上気化温度以下として、装置内へシリル化ガスと不活性ガスとからなる混合ガス３を導入する工程と、装置内への混合ガス３の導入を停止する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１を加熱する工程と、を含むことによって、有機シリカ絶縁膜２の表面および細孔の表面が疎水化され、比誘電率の上昇が抑制された疎水化有機シリカ絶縁膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物と重合開始剤とを含有する膜構造を形成した後、紫外線照射により前記膜を硬化することによって形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流量が少なく、ＴＤＤＢ耐性の高い配線層を得ることができ、これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、Ｓｉ−Ｏ結合を有し、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合との少なくともいずれか一方を有し、かつ、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合とをその合計で一分子中に少なくとも二つ有するケイ素化合物を含有してなる組成物を用いてなり、絶縁膜との接触面の反対側の面で配線とも接触し、絶縁膜と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、配線と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜を使用する。 （もっと読む）

【課題】貯蔵保管時にアルコキシシラン縮合物の分子量の増大が抑制されており、薄膜形成用組成物の粘度の上昇が生じ難く、従って、膜厚が均一であり、微細パターン形状を有する薄膜を高精度に形成することを可能とする薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシ基を有するアルコキシシランを水の存在下で加水分解縮合させることにより、アルコキシシラン縮合物と、水と、アルコキシ基に由来するアルコールとを含む溶液を得る工程と、溶液を加熱し、水とアルコールとを共沸させることにより、脱水し、薄膜形成用組成物を得る工程とを備え、得られた薄膜形成用組成物中に含まれているアルコキシシラン縮合物に対する残存アルコールのモル比が、アルコキシシラン縮合物の縮合速度Ｒに応じて図１の破線Ｘで囲まれている範囲内とされている、薄膜形成用組成物の製造方法。 （もっと読む）