【課題】 組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。プラズマ発生のための高周波と低周波が同一電極から印加される。そして絶縁膜の成膜開始時あるいは成膜終了時の少なくとも一方において、低周波の入力が成膜開始時及び成膜終了時を除いた他のタイミングより高い。例えば絶縁膜は、厚さ方向における少なくともどちらか一方の端部が、高周波と低周波の２周波により密着層となり、密着層以外の部分は低周波の入力を低下あるいは０にすることで低誘電率絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】有機シリカ膜を成膜したのちのプラズマ反応室の内壁のクリーニング時間を短縮する。
【解決手段】まずプラズマ反応室内壁をプリコート膜で被覆する（プリコート工程）。次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。次いで、基板を取り出した後、プラズマ反応室内壁に付着した有機シリカ膜とプリコート膜とをプラズマを用いて除去する（クリーニング工程）。プリコート膜としては、基板上に成膜された有機シリカ膜よりも少なくとも炭素含有率が低い有機シリカ膜である高酸素含有プリコート膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】配線が形成される多孔質絶縁膜がプラズマダメージ等を受けるのを防ぐことにより、高歩留り且つ高信頼性な半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に、化学気相成長法により、炭素濃度、空孔形成剤濃度及び酸素濃度がそれぞれ異なる複数の領域を有する空孔形成剤含有膜を形成する工程を備えている。この工程は、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第１の流量で流す第１の期間と、第１の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量を減少させる第２の期間と、第２の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量の減少を停止し、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第２の流量で流す第３の期間と、第３の期間の後に、前駆体の流量に対する酸化剤の流量を増大させる第４の期間と、第４の期間の後に、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第３の流量で流す第５の期間とを含む。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜を有効に形成できるボラジン系樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｂ，Ｂ’，Ｂ’’−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とを、固体触媒の存在下に重合させる第１の工程と、第１の工程を実施した後に、固体触媒を除去する第２の工程と、を備え、固体触媒が、白金アルミナ等であり、ヒドロシラン類が、下記式（２）；


で表されるもの等である方法により、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体を製造し、重合体と、該重合体を溶解可能な溶剤とを含むボラジン系樹脂組成物を得る、ボラジン系樹脂組成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】約２．６以下の誘電率を有する超低誘電率材料およびその作製する方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ原子、Ｃ原子、Ｏ原子およびＨ原子を含み、共有結合３次元ネットワーク構造を有し、２．６以下の誘電率を有する、熱的に安定な超低誘電率膜を提供する。この誘電率膜は、さらに、共有結合環状ネットワークを有することもできる。共有結合３次元ネットワーク構造は、Ｓｉ−Ｏ共有結合、Ｓｉ−Ｃ共有結合、Ｓｉ−Ｈ共有結合、Ｃ−Ｈ共有結合およびＣ−Ｃ共有結合を含み、必要ならＦおよびＮを含むこともできる。この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。この誘電率膜は、１．３マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒１０^−１０メートル以下の水中での亀裂成長速度を有する。さらに、ＢＥＯＬ絶縁体、キャップまたはハード・マスク層として本発明の誘電膜を含むバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０重量ｐｐｂ以下である半導体用シール組成物に、２以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が２０００〜１０００００である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が１０ｎｍ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜としての性能を損なうことなく、スピンオングラスを用いた簡便な方法でメタル下絶縁膜や素子分離用絶縁膜として利用可能な絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてオルガノアルコキシシランの加水分解縮合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布基板を得る工程と、第二の工程として前記塗布基板を７００℃以上９００℃以下の温度で水素を含む気体中で加熱して前記塗布膜を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程とを順に含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の欠点及び制限を軽減する、パターン形成性誘電体材料を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成性誘電体材料は、シルセスキオキサン重合体であり、さらに、ネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物中のシルセスキオキサン重合体、シルセスキオキサン重合体を含むネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物を用いた構造体の形成方法、及びシルセスキオキサン重合体から作られる構造体を開示する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ構造を含む基本分子１の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子２，３，４と、この直鎖状分子２，３，４の複数個を、間にＳｉＯ構造を含むバインダー分子５を介在させて結合してなり、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜であって、該膜のフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号、ネットワーク型ＳｉＯ構造を示す信号、及びケージ型ＳｉＯ構造を示す信号の３種の信号面積の総和を１００％としたとき、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号の面積比が４９％以上であり、かつスペクトルのピーク信号のうち、Ｓｉ（ＣＨ_３）を示す信号量と、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量の総和を１００％としたとき、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量が６６％以上である。 （もっと読む）

【課題】水によるＴＦＴ特性の不安定性を改善し、且つＴＦＴの初期特性を向上させる。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と前記ゲート絶縁層の間に又は前記活性層上に、互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極で覆われていない前記活性層の上面を覆う疎水性を有する有機単分子膜と、前記活性層上の前記有機単分子膜上に形成された保護層と、を有した薄膜トランジスタを採用する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】有機電子装置用の溶液加工性パッシベーション層を提供する。
【解決手段】本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置用の溶液加工性パッシベーション層と、その様なパッシベーション層を含むＯＥ装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とに関する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２０）
【化１】


（式中、Ｒ^１８は炭化水素基を表し、Ｒ^１９は水素原子又は炭化水素基を表す。ｇは２乃至１０の整数を表し、ｈは１乃至３の整数を表す。）で示される環状シロキサン化合物［具体的例示:２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン］。 （もっと読む）

【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）