【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】メサ型半導体装置のメサ溝５内壁に熱酸化膜６からなる安定した保護膜を形成しＰＮ接合部ＰＮＪＣを被覆保護すると共に、Ｎ−型半導体層２の熱酸化膜６との界面に電子の蓄積層が形成されにくいように、メサ溝５内の熱酸化膜６で挟まれた空隙に負電荷を有する絶縁膜７を埋め込む。係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内を昇温用ヒータ１２により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ１０を収容したウエハボート９を蓋体７上に載置し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０を反応室内に収容する。続いて、反応管２を所定の圧力に維持し、半導体ウエハ１０に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】、従来よりも低い誘電率を有する低誘電率材料を提供すること。
【解決手段】オルガノシロキサン骨格を有するポリマーに固形添加剤が分散されてなる低誘電率材料であって、前記低誘電率材料から形成される膜に酸素及び窒素を透過させた場合に、２３±２℃、膜間の圧力差１．０５〜１．２０ａｔｍにおける酸素及び窒素の透過係数(cm³・cm・sec^-1・cm^-2・cmHg^-1)の関係が下記式（１）で表される、低誘電率材料。なお、式中、Ｐ（Ｏ_２）は酸素の透過係数、Ｐ（Ｎ_２）は窒素の透過係数を示す。
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【課題】 低誘電率膜の誘電率を回復させる方法を記載する。
【解決手段】 複数の孔を持つ多孔質誘電体層を基板上に形成する。その後、複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電体層を得る。最後に、複数の孔から添加剤を除去する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の焼成温度でＴＦＴ素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なＴＦＴ平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ平坦化膜形成用組成物は、（Ａ）シロキサン樹脂、（Ｂ）重合促進剤、及び（Ｃ）有機溶剤を含有する。（Ｂ）重合促進剤としてはオニウム塩が好ましく、その含有量は、（Ａ）シロキサン樹脂のＳｉＯ_２換算質量に対して１２０〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの電子やＵＶ光によるガスの解離を抑制でき、予定通りの分子構造を有する良質な膜を形成することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム生成手段１１は、希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームＮＢを生成する。反応室１０は、原料ガスが導入され、中性粒子生成手段により生成されたエネルギーが制御された中性粒子ビームにより原料ガスの一部が解離、重合されて基板１４上に膜を堆積される。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（Ａ）で表される構造及び式（Ｂ）で表される構造を少なくとも１つ有する化合物、及び／又は、前記化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式中、Ｒ¹はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、ナフチル、アダマンチル、ジアマンチル又は式（Ｂ）で表される構造を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、又は、重合性基を表し、少なくとも１つのＲ²は重合性基である。
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【課題】本発明は、絶縁膜、さらに詳しくは、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】シロキサン構造を有する化合物を含む膜に周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される絶縁膜。 （もっと読む）

【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された低誘電率絶縁膜の比誘電率を向上させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック２と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板３とを備えている。遮断板３の下面には、シリル化剤（ＨＭＤＳガス）を吐出するためのシリル化剤ノズル１１と、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口１５とが形成されている。遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、窒素ガス吐出口１５からウエハＷと遮断板３との間に窒素ガスが供給される。また、遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、シリル化剤ノズル１１からウエハＷと遮断板３との間にシリル化剤が供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜間の密着性を良好にし、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】異なる二つの絶縁膜が上下に接する構造を有する半導体デバイスにおいて、上層膜５１について膜強度Ｍ１［ＧＰａ］、膜密度Ｄ１［ｇ／ｃｍ３］、膜応力Ｓ１［ＧＰａ］、膜厚Ｔ１［ｎｍ］、下層膜５２について膜強度Ｍ２［ＧＰａ］、膜密度Ｄ２［ｇ／ｃｍ３］、膜応力Ｓ２［ＧＰａ］、膜厚Ｔ２［ｎｍ］で示されるとき、
｜Ｓ２×Ｔ２／１０−Ｓ１×Ｔ１／１０｜−（Ｍ１＋Ｍ２）×（Ｄ１＋Ｄ２）＞２８０・・・・（１０１）
を満たし、上下層間のＣ／Ｓｉ比が１．７以下かつＯ／Ｓｉ比が０．８以上とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化水素含有の多孔質層間絶縁膜を用いた多層配線では、低エネルギプラズマによる放電不安定性と隣接膜との密着性劣化により、低誘電率化と高信頼化を両立することが困難であった。
【解決手段】 本発明の多孔質絶縁膜１０は、有機シロキサンを原料とするプラズマＣＶＤによって形成されたものにおいて、第一の電子エネルギのプラズマを用いてプラズマＣＶＤによって形成された第一層１１と、第一層１１の上に第二の電子エネルギのプラズマを用いて前記プラズマＣＶＤによって形成された第二層１２とを備え、第一の電子エネルギが第二の電子エネルギよりも大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】銅配線を用いる半導体装置において、銅配線の酸化を防ぐと共に、配線間誘電率を低下させる。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に埋め込まれて形成され、銅を含む導電膜１２ｂを有する配線１２と、配線１２上を含む第１の層間絶縁膜１１上に形成された絶縁性バリア膜１５と、絶縁性バリア膜１５上に形成され、低誘電率膜からなる第２の層間絶縁膜１６と、導電膜１２ｂと絶縁性バリア膜１５との間に導電膜１２上を覆うように形成され、銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層１７とを備える。 （もっと読む）