【課題】 基板載置台からの輻射熱に磁石がさらされても、磁石の高温化を回避して、所定の磁場を安定して得ることができるようにする。
【解決手段】 反応室内に基板を載置する基板載置台が設けられ、この基板載置台に基板を加熱するヒータが埋め込まれる。反応室の外周囲に筒状電極２１５が配設される。この筒状電極２１５の外周囲に接して磁石２１６が配置される。筒状電極２１５に冷却媒体を流す流路１０６が形成される。また少なくとも外周囲に筒状電極２１５および磁石２１６が配置されている部位に対応する反応室の壁は石英で構成される。 （もっと読む）

【課題】例えば窒化シリコン膜を形成する際、成膜処理後に当該成膜処理に対応したパージレシピにより反応容器内のパージ処理を行って、反応容器内に付着したガスやパーティクルの原因となる膜の表層部を除去し、ガスやパーティクルの発生を低減する成膜方法を提供する。
【解決手段】多数枚のウエハＷをウエハボート２５に保持させて、反応容器２内に搬入し、例えばＳｉ_２Ｃｌ_２ガスとＮＨ_３ガスとを成膜ガスとして用いた成膜レシピ１の成膜処理を行う。次いでこの成膜処理に対応するパージレシピ１を自動的に選択し、当該パージレシピ１に従って反応容器２のパージ処理を行う。成膜処理の種別毎にパージレシピを用意して、各成膜処理に対応するパージレシピを自動的に選択してパージ処理を行うことにより、不要なパージ時間の発生を抑えた状態で各成膜処理に対応した適切なパージ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 空孔を有する低誘電率膜に配線溝やビア孔などを形成した時に、その側壁からバリアメタルや配線材料が拡散することを阻止できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体の上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成する工程と、前記絶縁膜の前記開口の内壁面に埋込層原材料を吸着させる工程と、前記吸着させた前記埋込層原材料を加熱して埋込層を形成する工程と、前記開口を導電性材料により充填する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第１の原料ガスを供給した後であって前記第２の原料ガスを供給する前と、前記第２の原料ガスを供給した後であって前記第１の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜後の加熱処理において腐食性ガスがほとんど発生することがないフルオロカーボン膜を形成可能であり、また半導体材料に対して高選択的かつ高エッチング速度で良好なパターン形状を形成可能なプラズマ反応用ガスを提供すること、及びこのプラズマ反応用ガスを用いる、フルオロカーボン膜の成膜方法、ドライエッチング方法、並びにドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】不飽和フッ素化炭素化合物からなり、塩素原子含有化合物量が１００重量ｐｐｍ以下であるプラズマ反応用ガス、このプラズマ反応用ガスを用いるＣＶＤ法によるフルオロカーボン膜の成膜方法及びドライエッチング方法、並びにこのプラズマ反応用ガスを用いる、ドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 キャリアトラップの少ない、かつ信頼性の高い高誘電率ゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板上に核形成のための絶縁膜を介して高誘電体膜によるゲート絶縁膜が形成され、絶縁膜又は／及び高誘電体膜が超臨界二酸化炭素中で処理された膜で形成されて成る。
高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に核形成のための絶縁膜を形成を形成し、この絶縁膜上に高誘電体膜を形成し、絶縁膜又は／及び高誘電体膜を超臨界二酸化炭素中で処理する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属アルコキシドよりなる成膜ガスを用いた成膜方法においいて、処理容器内のアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶出を抑制し、被処理基板の汚染を抑制した清浄な成膜を実施可能とする。
【解決手段】 処理容器内に保持された被処理基板上に薄膜を成膜する成膜方法であって、
前記被処理基板を加熱する工程と、前記処理容器内に成膜ガスを供給する工程と、を有し、前記成膜ガスは、金属アルコキシドよりなり、前記処理容器はアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなり、当該処理容器の内壁面には無孔質陽極酸化被膜よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の層間絶縁膜を、析出異物の問題なく、また電気特性を損なうことなく、平坦性高く形成する。
【解決手段】不純物含有シリコン酸化膜を準常圧領域でＣＶＤ法により形成するＣＶＤ工程（ステップ１〜５）と、形成された不純物含有シリコン酸化膜をリフローするリフロー工程とを含み、前記ＣＶＤ工程は、有機シリコン系ガスと不純物含有有機系ガスと酸化性ガスとを材料ガスとして、不純物を高濃度に含有したシリコン酸化膜を成膜する第一のＣＶＤ工程（ステップ２〜４）と、不純物含有有機系ガスを前記第一のＣＶＤ工程よりも低量に制御して、微量の不純物を含有したシリコン酸化膜を成膜する第二のＣＶＤ工程（ステップ５）とで構成される方法。
【効果】第一と第二のＣＶＤ工程で不純物濃度を制御することでリフロー性を向上させ、高濃度不純物に起因する吸湿、析出異物の問題を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】銅配線の拡散防止膜としての機能を有し、誘電率が大きくない層間絶縁膜を形成する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜１４を形成し、層間絶縁膜１４に銅配線用溝２２を形成し、溝２２に露出する層間絶縁膜１４を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５を形成し、溝２２に銅配線１７を形成し、低誘電率層間絶縁膜２０とシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２と層間絶縁膜２０をにエッチングしてヴィアホール１８を形成し、ヴィアホール１８に露出する層間絶縁膜２０および下層銅配線１７を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５および銅配線窒化膜２１を形成し、ヴィアホール１８に銅配線１９を形成する。 （もっと読む）

一実施形態においては、基板表面上に窒化シリコンを含有する層を堆積させるための方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、該基板を所定の温度に加熱するステップと、該基板表面をアルキルアミノシラン化合物と少なくとも１つのアンモニアを含まない反応種に曝すステップと、を含む前記方法が提供される。他の実施形態においては、基板上に窒化シリコン層を堆積させるための方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、該基板を所定の温度に加熱するステップと、基板表面をビス(tert-ブチルアミノ）シランと試薬、例えば、水素、シラン及び/又はジシランに曝すステップと、を含む前記方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントであるボロンの突き抜け防止のために、高誘電膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）中に入れる窒素が、Ｈｉｇｈ−ｋ膜とシリコン基板との界面に達するのを防止する。
【解決手段】 シリコン基板４００上のシリコン酸化膜４１１を酸化処理した後、その上にＨｉｇｈ−ｋ膜４１２を形成する。このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。その後、プラズマ活性化された窒素含有ガスによりシリコン窒化膜４１３を窒化処理してＨｉｇｈ−ｋ膜４１２の表面を窒化する。 （もっと読む）

【課題】直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】第１の素子形成領域５１及び第２の素子形成領域５２に区画された半導体基板１１上に、酸化膜からなる第１のゲート絶縁膜１３Ａを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ａの第２の素子形成領域５２に含まれる部分を除去し、半導体基板１１に対して酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２の素子形成領域５２上に膜厚が第１のゲート絶縁膜１３Ａよりも小さい酸窒化膜からなる第２のゲート絶縁膜１５Ｂを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】トリシリルアミンを前駆体として用いながら、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも比較的高い成長速度で製造することができる気相成長によるシリコン窒化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を収容する反応チャンバ内に、トリシリルアミンと、式：ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³（ここで、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素、または１〜６個の炭素原子を有する炭化水素基）で示されるアミン系化合物のうち少なくとも２種のアミン系化合物からなる窒素源とを気相状態で供給することにより前記トリシリルアミンと前記窒素源とを反応させ、前記少なくとも１つの基板上にシリコン窒化物膜を形成することを特徴とするシリコン窒化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、酸素含有量や炭素含有量の極めて少ないスパッタリングターゲット用に適した高純度ハフニウム材の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウム材を製造するにあたり、酸化ハフニウムを塩化してハフニウム塩化物を得、次いで上記ハフニウム塩化物を活性金属により還元して金属ハフニウムとし、さらに上記金属ハフニウムを減圧下で精製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】 半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第１ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、ｎ型不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜室内において、ホウ素源ガスと窒素源ガスとのプラズマを発生させて、これらのガスを反応させて窒化ホウ素膜を成膜する方法において、原料ガスの流量に対して、不活性ガスを同じ流量以下で、又は同じ流量以上で、又は略同じ流量で供給する。 （もっと読む）

ウェハ用二層ＬＴＯ背面シール。二層ＬＴＯ背面シールは、第一の主要面と第二の主要面とを有する低応力ＬＴＯ層を含み、この場合、低応力ＬＴＯ層の第一の主要面はウェハの主要面の１つに隣接している。二層ＬＴＯ背面シールは、更に、第一の主要面と第二の主要面とを有する高応力ＬＴＯ層を含み、この場合、この場合、高応力ＬＴＯ層の第一の主要面は低応力ＬＴＯ層の第二の主要面に隣接している。
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本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの単一パルス段階中に前駆体の混合物がチャンバ内に共に存在して多成分薄膜を形成するように前駆体を混合するシステム及び方法を提供する。前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分からなり、このような異なる成分は多成分薄膜を製造するために単層を形成することになる。本発明の別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。
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本発明は、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物の製造方法、有機金属化合物前駆体、有機金属化合物前駆体の製造方法、及び有機金属化合物前駆体からの膜又は被膜の製造方法に関する。有機金属化合物は、膜蒸着のための化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として半導体用途に有用である。
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半導体構造体を作製する方法は、基板上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層上に窒化ケイ素層を形成する段階と、各層をＮＯ中でアニールする段階と、各層をアンモニア中でアニールする段階とを含む。酸化物層と窒化ケイ素層とを併せた等価酸化膜厚は、最大２５オングストロームである。 （もっと読む）