【課題】 処理室内に付着した膜の膜中不純物を容易に脱離することが可能で、膜中不純物脱離による悪影響を低減する。
【解決手段】 シリコン基板８を処理室１内に搬入する工程と、処理室１内に処理ガス（ＴＭＡ、Ｈ₂Ｏ）を供給してシリコン基板８上に膜を形成する工程と、処理室１よりシリコン基板８を搬出する工程と、シリコン基板８を搬出した処理室１内に、プラズマで活性化したガス（Ｏ₂）を供給することにより、処理室１内に付着した膜の膜中不純物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも２種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。（ｂ）銅合金皮膜上に、純銅または銅合金からなる金属膜を形成する。（ｃ）工程ａまたは工程ｂの後に、絶縁体中の酸素と銅合金皮膜中の金属元素とが反応して絶縁体の表面に金属酸化物膜が形成される条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】短絡や断線のおそれがなく、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供する。特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と配線層とを備えた半導体装置であって、前記層間絶縁膜のうち、前記半導体基板端縁部で、少なくとも前記配線層と当接する、不純物を含む層間絶縁膜が、除去されている。 （もっと読む）

シリコンオキシナイトライドゲート誘電体の形成方法である。この方法は、シリコンオキシナイトライド膜を形成するために、プラズマ窒化処理を使用して誘電体膜内に窒素を組み込むステップを含む。シリコンオキシナイトライド膜は、第１環境内でアニーリングされる。第１環境は、第１温度にある第1酸素部分圧を伴った不活性環境を備える。次に、シリコンオキシナイトライド膜は、第２温度にある第２酸素部分圧を備える第２環境内でアニーリングされる。第２酸素部分圧は第１酸素部分圧よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 水素によるキャパシタ誘電体膜の劣化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン（半導体）基板１の上に下地絶縁膜１０を形成する工程と、下地絶縁膜１０の上に、下部電極１１ａ、キャパシタ誘電体膜１２ａ、及び上部電極１３ａを順に形成してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第１層間絶縁膜１５を形成する工程と、第１層間絶縁膜１５の上に、シリコン基板１にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により第１保護絶縁膜１６を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物例えばＴｉＯをバインダーとして含むセラミックプレートを載置台として用い、この載置台の上に被処理基板を載置して処理ガスとして有機シランガスにより成膜処理を行うにあたって、被処理基板の金属汚染を防止すること。
【解決手段】 処理ガスとして有機シランガス例えばトリメチルシランガス（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）を用いてＳｉＣＮ膜を成膜するにあたって、プリコート工程については有機シランガスを用いずに無機シランガスを用いる。あるいは無機シランガスを用いてプリコートを行った後、ダミー基板を載置台の上においてクリーニングすることで、被処理基板の載置領域のみ無機シランガスでプリコートし、その他の部位は有機シランガスによりプリコートする。無機シランガスはＨが少ないので、ＴｉＯの還元量が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の熱処理中に、半導体基板が汚染されるのを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】 基板を熱処理する処理室１３と、処理室１３にガスを供給するガス供給部１５と、処理室１３からガスを排気するガス排気部１７と、処理室１３とガス供給部１５との間に接続され、供給ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第１計測部１９と、処理室１３とガス排気部１７との間に接続され、排気ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第２計測部２１と、第１計測部１９の出力が第１基準値を超えた場合、あるいは第１計測部１９と第２計測部２１の出力の差が第２基準値を超えた場合に、警報を発する制御部２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高純度なフェニル含有シランを製造すること、及びフェニル含有シランを原料に用いて絶縁性の優れた絶縁膜を得ること。
【解決手段】 モノハロゲン化ベンゼンを０．０１ｗｔｐｐｍ以上３００ｗｔｐｐｍ以下含むことを特徴とする一般式（１）の絶縁膜用フェニル含有シランを含むガスをチャンバー内に導入し、該ガスに高周波を印加して該ガスの少なくとも一部をプラズマ化して反応または分解し、該チャンバー内の基材表面に炭素と珪素を含む絶縁膜を形成する。
（Ｃ_６Ｈ_５）_ｍ（ＣＨ_３）_ｎＳｉＨ_{４−ｍ−ｎ} ・・・（１）
（式中、ｍは１〜２の整数、ｎは０〜３の整数、ｍ＋ｎは１〜４の整数である。） （もっと読む）

【課題】原子層成長法を用いた酸化シリコン薄膜の形成方法において、より低温で吸着しやすいアミノシラン系の原料を用い、良質な酸化シリコン膜を形成するする方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１が４００℃程度に加熱された状態とし、成膜室の内部に１つまたは２つのアミノ基を有するアミノシランからなる原料ガス１１１を導入し、シリコン基板１０１の上に原料ガス１１１が供給された状態とする。原料ガス１１１の供給は、約３０秒間行う。このことにより、シリコン基板１０１の上に原料である１つまたは２つのアミノ基を有するアミノシランからアミノ基が１つ離脱した分子が吸着したシリコン原料分子層（吸着層）１０２が形成された状態とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課 題】 半導体素子の漏れ電流特性を簡便な手法で改善することのできる半導体素子特性改善方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の漏れ電流特性を改善する方法であって、半導体素子（例：サイリスタ素子）１０を恒温槽１内に装入し、該恒温槽に設定した所定温度に達するまでの時間以上保管し、その後放冷する （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造に際し、より効率的な清浄化処理を行う方法を提供することである。
【解決手段】 絶縁性表面の一部に、金属からなる導電領域が露出した基板を、処理チャンバ内に搬入する。処理チャンバ内に、有機酸を、蒸気またはミストの状態で導入し、基板を清浄化する。有機酸の蒸気またはミストの導入を停止し、続いて成膜用の原料ガスを、処理チャンバ内に導入して、基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 近年の、半導体素子の微細化に伴い、ＮＢＴＩ寿命が劣化することを防止することを目的とする。
【解決手段】 少なくともライナー膜または第２の側壁絶縁膜として、Ｓｉ−Ｈ結合が１×１０²¹ｃｍ^-3以下のシリコン窒化膜を用いることでｐ型ＭＯＳＦＥＴのＮＢＴＩ寿命を１×１０⁹秒に改善でき、半導体集積回路装置の寿命を確保できる。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤで使用するための希土類金属前駆体であって、一般式ＯＣＲ^１（Ｒ^２）ＣＨ_２Ｘ（式中、Ｒ^１は水素またはアルキル基を示し、Ｒ^２は任意に置換されたアルキル基を示し、ＸはＯＲ及びＮＲ_２（式中、Ｒはアルキル基または置換アルキル基を示す）から選択される）で表される配位子を有する。また、前駆体の製造方法と前駆体を使用した金属酸化膜の成膜方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 NBTI耐性に優れた2 nm以下のラジカル窒化酸化膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 酸化膜の表面側にSi₃≡N結合の状態にあるNが3 原子%以上，界面側に0.1原子%以下の濃度で存在させることにより，B拡散の防止と，NBTI耐性の劣化を防止両立させる。Ar/N₂ラジカル窒化を用いた場合，上記結合状態にあるNの濃度を，表面側3 原子%以上，界面側0.1 原子%以下を同時に満たすことは困難であるが，Xe/N₂, Kr/N₂, Ar/NH₃， Xe/NH₃, Kr/NH₃, Ar/N₂/H₂, Xe/N₂/H₂, Kr/N₂/H₂のいずれかのガスの組み合わせを用いることにより，上記N濃度分布を実現可能とする。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を抑制できる塗布装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る塗布装置は、シリコンウエハ１１上にＳＯＧの成膜材料を吐出する吐出部８と、前記吐出部に前記成膜材料を供給する材料供給ライン７と、前記材料供給ラインに繋げられた三方弁１７と、前記三方弁に繋げられ、前記成膜材料が収容され、前記材料供給ライン７に前記成膜材料を供給する容器２と、前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の成膜材料を加圧するガス供給ライン５と、前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ライン１６と、前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブ４とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】ビス ターシャル ブチル アミノ シラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ_３とを原料ガスとして用いて窒化シリコン膜を成膜する際や、ＢＴＢＡＳとＮＨ_３とＮ_２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を形成する際に、成膜される膜の膜厚の基板面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１６を積層して収容する石英インナーチューブ１２内に、ＢＴＢＡＳとＮＨ_３とを原料ガスとしてインナーチューブ１２内に流して熱ＣＶＤ法により半導体ウェーハ１６上に窒化シリコン膜を成膜する際に、または、ＢＴＢＡＳとＮＨ_３とＮ_２Ｏとを原料ガスとしてインナーチューブ１２内に流して熱ＣＶＤ法により半導体ウェーハ１６上に酸化窒化シリコン膜を成膜する際に、半導体ウェーハ１６の端部と石英インナーチューブ１２の内壁との間の距離ｂと隣接する半導体ウェーハ１６間の距離ａとの比ｂ／ａの値を１に近づけて成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等にダメージを与えることなく、良質な窒化膜を所望の膜厚で形成し得る窒化膜の形成方法、その窒化膜の形成方法を用いた半導体装置の製造方法及びキャパシタの製造方法、並びに、その窒化膜形成方法に用いられる窒化膜形成装置を提供する。
【解決手段】反応炉内に半導体基板１２を導入し、反応炉内を減圧することにより、反応炉内及び半導体基板内から酸素及び水分を除去する第１の工程と、反応炉を加熱し、反応炉内及び半導体基板内から酸素及び水分を更に除去する第２の工程と、酸素濃度が１ｐｐｂ以下になるように窒素ガスを精製し、精製された窒素ガスを反応炉内に導入しながら、熱処理を行うことにより、半導体基板上に窒化膜５６を形成する第３の工程とを有している。酸素濃度が１ｐｐｂ以下の超高純度窒素ガスを用いて熱窒化を行うため、熱処理温度を極めて高く設定することなく、極めて良質な窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物が除去されたシリコン窒化膜を備える半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板上にシリコン窒化膜を形成することを具備する。前記シリコン窒化膜を有する半導体基板をアンモニア（ＮＨ_３）気体雰囲気で熱処理して前記シリコン窒化膜内の不純物を除去する。一実施形態によって、前記シリコン窒化膜はシリコン前駆体としてＢＴＢＡＳを用いて形成することができる。前記シリコン窒化膜が前記ＢＴＢＡＳを用いて形成する場合でも前記シリコン窒化膜内の不純物は有効に除去できる。 （もっと読む）