【課題】汚染物質に対するブロッキング作用が高く、かつ水素供給による多結晶シリコン膜の欠陥補修も可能な層間絶縁膜によって多結晶シリコン膜を覆うことにより、安定的に優れた特性を有する薄膜半導体装置および表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ照射による結晶化アニール処理が施された多結晶シリコン膜からなる半導体薄膜９と、半導体薄膜９を覆う層間絶縁膜１１とを備えた薄膜半導体装置において、層間絶縁膜１１は、半導体薄膜９側から水素供給部となる水素含有窒化シリコン膜１１-2と、汚染物質に対するブロッキング部となる緻密な膜質のブロッキング窒化シリコン膜１１-4とがこの順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板２１に形成されたｎチャネルＭＩＳトランジスタ１１及びｐチャネルＭＩＳトランジスタ１２を備えている。ｎチャネルＭＩＳトランジスタ１１は、第１のゲート電極１４Ａと、ｎ型ソースドレイン領域１６ｃと、第１のゲート電極１４Ａ及びｎ型ソースドレイン領域１６ｃの上面を覆う第１のプラズマ反応膜１８とを有している。ｐチャネルＭＩＳトランジスタ１２は、第２のゲート電極１４Ｂと、ｐ型ソースドレイン領域１６ｆと、第２のゲート電極１４Ｂ及びｐ型ソースドレイン領域１６ｆの上面を覆う第２のプラズマ反応膜１８とを有している。 （もっと読む）

【課題】 浅い不純物拡散領域におけるドーパント不純物の拡散を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上にゲート絶縁膜１８を介してゲート電極２０を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして半導体基板内にドーパント不純物を導入することにより、ゲート電極の両側の半導体基板内に不純物拡散領域２８、３６を形成する工程と、半導体基板上に、ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜３８を形成する工程と、シリコン酸化膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極の側壁部分にシリコン酸化膜を有するサイドウォールスペーサ４２を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン酸化膜を形成する工程では、ビスターシャルブチルアミノシランと酸素とを原料として用い、熱ＣＶＤ法により、５００〜５８０℃の成膜温度で、シリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法を用いて、プラズマ粒子が存在する領域の外に化合物半導体の付いた基板を置いて、化合物半導体にプラズマ粒子による衝撃を与えないで絶縁性薄膜を形成するとともに、良質の化学量論的に純粋な絶縁性薄膜を形成して、半導体上に耐久性の高い薄膜を付与した素子の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲットのスパッタリングにより基板上に薄膜を成膜するスパッタリング薄膜成膜方法において、前記対向ターゲット外淵と前記基板との中程に対向した反応性ガス導入口を設け、該反応性ガス導入口の向かっている方向が前記基板面中心部の垂線と概ね直角であって、各反応性ガス導入口の先端から前記垂線までの距離を５０から３００mmに設定し、基板付近での反応性ガス分圧を高めることで化学量論的に純粋な良質の絶縁性薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】パーティクル及びコンタミネーションによる汚染を抑制しつつ被処理基板を８００℃以上の高温に安定して加熱することができるプラズマ処理装置及び基板加熱機構を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、基板載置台７、支持部８、支持部固定部２４を備える。基板載置台７は発熱体７４を内蔵する。発熱体７４及び電極３２は、ＳｉＣを含む材料からなり、電極３２は、支持部固定部２４に固定されるとともに、支持部８を貫通し、かつ先端部が発熱体７４に接続されている。そして、石英を含む絶縁材料からなる電極被覆管４３が、電極３２の先端部以外の部分を被覆し、基板載置台７の発熱体７４の下方部分、支持部８、及び支持部固定部２４を貫通するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】厚さを正確に制御し、界面構造を改善し、電子トラップを低密度とし、さらに、誘電体層および基板から／へのドーパントの不純物拡散を阻止することができるプロセスを提供する。また、既存の製造プロセスに容易に統合することができ、しかも、コストはほとんど増すことがないプロセスを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化物またはＥＥＰＲＯＭのトンネル酸化物として使用するための、極薄誘電体層を成長させるためのプロセスを記載する。ウェハと酸窒化物との界面におよび酸窒化物の表面に窒素濃度のピークを有し、かつ、酸窒化物のバルク内に低い窒素濃度を有する、シリコン酸窒化物層が、酸化窒素および窒素性酸化ガス内で一連のアニールを行なうことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板上に設けられた誘電体物質を硬化するための紫外線（ＵＶ）硬化チャンバ及びＵＶ放射線を使用して誘電体物質を硬化する方法を改善する。
【解決手段】 一実施形態による基板処理ツールは、基板処理領域を画成する本体、基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体、この基板支持体から離間され、基板支持体上に配置された基板へ紫外線を伝送するように構成された紫外線ランプ、及び上記紫外線ランプ又は基板支持体の少なくとも一方を互いに対して少なくとも１８０度回転させるように作動的に結合されるモータを備える。基板処理ツールは、回転されるときに組み合わさって実質的に一様な照射パターンを生成する相補的な高強度領域及び低強度領域を有する紫外線のフラッドパターンを基板上に生成するように適応された１つ又はそれ以上のリフレクタを更に含むことができる。他の実施形態も開示される。 （もっと読む）

【課題】実効膜厚が極めて薄いゲート絶縁膜を有するとともにゲート絶縁膜に起因する不具合の発生がなく、従来に比べてより一層の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１１の上にシリコン酸化膜１２を形成する。また、表面が（１１１）の第２の半導体基板の上にシリコン窒化膜１４を形成し、表面を水素で終端処理する。シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜１４とが接触するように第１及び第２の半導体基板を重ね合わせ、熱処理を施して、シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜１４とを結合させる。その後、第２の半導体基板を除去する。次いで、シリコン窒化膜１４上に高誘電体材料のシリケート膜１５及び高誘電体材料膜１６を形成して、ゲート絶縁膜１７を完成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を形成できる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の反応室１において、アルキルシロキサン化合物５とオゾンとを、上記アルキルシロキサン化合物とオゾンとが熱反応分解によりシリコン酸化膜を形成する温度未満でかつ上記シリコン酸化膜の前駆体物質を生成する第１の温度で混合して、上記前駆体物質を含有する反応性ガスを得、第２の反応室２にはシリコン酸化膜を成膜したい基板６が載置され、上記反応性ガスを、上記アルキルシロキサン化合物とオゾンとが熱反応分解によりシリコン酸化膜を形成する温度以上の第２の温度にして、上記基板にシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲート絶縁膜中への不純物混入の抑制と元素欠陥を除去することができ、ゲート絶縁膜の固定電荷フリ−とリ−クの発生等を抑制できる半導体装置の製造法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、水酸化アンモニウムガスと、ハフニウムの化合物ガスとを用いてＯＨ基に交換されたシリコン単結晶基板表面に特定の反応によって形成された金属の酸化−水酸化物を酸化性雰囲気中で熱処理してＳｉとＨｆとの複合酸化物からなる膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ基板を含む被処理基体において、周縁部から発生する被処理基体への金属汚染を抑制可能な周縁部処理方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【解決手段】 シリコン系基板１１を含む被処理基体１０の周縁部の局所的加熱及び周縁部への反応種の選択的供給の少なくとも一方により、周縁部での酸化速度を、シリコン系基板１１の表面における自然酸化膜３３の酸化速度より高くし、周縁部に沿って、自然酸化膜３３の厚さよりも厚い酸化膜３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の水蒸気アニール処理の効果を維持したまま、処理中に基板表面に付着するパーティクルやコンタミネーションを低減できるとともに、装置内部の昇降温時間および昇降圧時間を短縮できる水蒸気アニール装置および水蒸気アニール方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる水蒸気アニール装置は、圧力容器１１と、基板を載置するサセプタ２０と、基板１及びサセプタ２０を加熱するヒータ１６と、サセプタに水蒸気又は水を供給する供給手段２４と、を備えている。加熱したサセプタ２０に、水蒸気を供給し或いは水を供給して水蒸気を発生させ、圧力容器１１内の雰囲気圧力を処理温度における水の飽和蒸気圧以下に保持して、サセプタ２０の支持部と基板１下面の周縁部との間から、基板１とサセプタ２０との間に形成される処理空間の水蒸気をサセプタ２０の外部に排出する。水蒸気の噴出力により、パーティクルやコンタミネーションの侵入が阻止される。 （もっと読む）

【課題】安価で特性に優れる半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置、およびかかる半導体装置を備える信頼性の高いアクティブマトリクス装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】第１のＴＦＴ２０は、下地膜７０と、下地膜７０上に設けられ、半導体層２３と、半導体層２３を覆うように設けられたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７を介して設けられたゲート電極２１とを有し、さらに、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２が積層されている。下地膜７０は、Ｓｉ、ＮおよびＯを主たる構成元素とする材料で構成され、下面近傍におけるＮ／Ｏ比Ａが、上面近傍におけるＮ／Ｏ比Ｂより大きい膜である。この下地膜７０は、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、その後、この被膜に対して、オゾンを含む雰囲気中で熱処理を施すことにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を保持するボートを複数台有する基板処理装置を使用して行う基板処理によって基板上に起こるパーティクルの発生を抑制すること。
【解決手段】複数枚の基板であるウェハ４を保持するボート６ａ、６ｂと反応炉２０とを有する基板処理装置を使用し、ボート６ａに保持されたウェハ４を反応炉２０内で処理している間に、反応炉２０外で、ボート６ｂに次回処理するウェハ４を移載機１４によって移載しておき、反応炉２０内での処理によってウェハ４上、ボート６ａ上、反応炉２０内に膜が形成された後、反応炉２０内の温度を基板処理時の温度Ｔ_ＦＦＭよりも降下させた後に、処理後のウェハ４を保持したボート６ａを反応炉２０外ヘアンロードし、再び、反応炉２０内の温度をＴ_ＦＦＭに戻した後に、ウェハ４を保持したボート６ｂを反応炉２０内へロードすることを特徴とする半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム原子を含む膜を成膜する場合に、チャンバクリーニングを効率よく行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を処理室１００内に搬入し、処理室１００内に原料ガスを供給して基板２００上にハフニウム原子を含む膜を成膜し、成膜後の基板２００を処理室１００より搬出し、処理室１００内に、臭素原子をその化学式に有する化合物を含むガスを供給して処理室１００内に付着した膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化膜をリモートプラズマ処理により窒化して酸窒化膜を形成する成膜方法において、金属汚染を抑制する。
【解決手段】 シリコン酸化膜を窒化処理する際に、リモートプラズマ源への窒化ガスの供給量を、リモートプラズマ源のガス通路のスパッタに使われるエネルギ増加し始める所定値以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】 両面が鏡面の半導体基板を高圧で水蒸気アニール処理する場合であっても、水蒸気アニール処理の効果を維持したまま、処理中に基板表面に付着するパーティクルやコンタミネーションを大幅に低減することによりアニール処理の品質及びデバイスの歩留まりを向上させることができると共に、半導体基板の装填領域をコンパクトにすることにより装置の小型化に寄与できる水蒸気アニール用治具及び水蒸気アニール方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水蒸気アニール用治具は、半導体基板１の周縁部を覆うように形成されて内側に貫通開口１０ａを有するシート状部材１０からなる。シート状部材１０の半導体基板１との接触面は、半導体基板１を処理する温度及び圧力の範囲において、水蒸気分子を導入できかつ所定の粒径以上のパーティクル及びコンタミネーションの侵入を阻止する面粗さを有する。 （もっと読む）