【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間の絶縁膜を改善することにより、優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１３と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜２０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極２１とを備えた半導体装置であって、第２の絶縁膜は、下層シリコン窒化膜２０４と、下層シリコン窒化膜上に形成された下層シリコン酸化膜２０１と、下層シリコン酸化膜上に形成され且つ金属元素を含有した７よりも高い比誘電率を有する中間絶縁膜２０２と、中間絶縁膜上に形成された上層シリコン酸化膜２０３と、上層シリコン酸化膜上に形成された上層シリコン窒化膜２０５とを含む。 （もっと読む）

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を提供する。一実施形態において、前記方法は、自然酸化物層を除去するステップと、酸化物層を形成するステップと、酸化物層の上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に酸化物層を形成するステップと、層と下に横たわる熱酸化物／シリコン接合部をアニールするステップとを含む。所望により、ゲート誘電体層を形成する前に、酸化物層を窒化してもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に酸化物層を堆積させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】制御電極と電荷蓄積層との間に優れた絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層３１と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜３０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極２５と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第２の絶縁膜を形成する工程は、塩素を含まない成膜ガスを用いてシリコンを含有した絶縁膜２１を形成する工程と、シリコンを含有した絶縁膜上に、酸素及び金属元素を含有した絶縁膜２２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを備える半導体装置に関して、膜の表面の粗さ等によるキャパシタの信頼性及び特性の劣化を抑制する。
【解決手段】基板の上にキャパシタ用の下部電極膜を形成し、前記下部電極膜上に強誘電体膜を成膜同時結晶化によって形成し、前記強誘電体膜上にダミー膜を形成し、平坦化処理を通じて前記ダミー膜と前記強誘電体膜の一部とを除去して前記強誘電体膜の表面を平坦化し、前記強誘電体膜上にキャパシタ用の上部電極膜を形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オゾンＴＥＯＳ膜をＣＶＤ装置で成膜する場合に、高い成膜レートを安定して確保すると共に、均一性良く良好な膜質のオゾンＴＥＯＳ膜の成膜を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、配線構造が形成された半導体基板上にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成膜する第１の層間絶縁膜形成工程と、該第１の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の上にオゾンＴＥＯＳ膜を成膜する第２の層間絶縁膜形成工程とを有し、さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の技術による諸問題を解決するための多孔性低誘電率材料薄膜構造及び関連製作方法を提供する。
【解決手段】多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法は、（ａ）基板を提供し、（ｂ）第一化学的気相堆積（ＣＶＤ）工程を行い、堆積チャンバーにバックボーン前駆体を導入して基板の上に界面誘電層を形成し、（ｃ）第二ＣＶＤ工程を行い、バックボーン前駆体を導入しながらポロゲン前駆体を堆積チャンバーに導入し、バックボーン前駆体と合わせて界面誘電層の上にポロゲンを含んだバックボーン層を形成し、（ｄ）バックボーン層の中のポロゲンを除去して複数の孔隙のある超低誘電率材料層を形成するステップを含む。界面誘電層と超低誘電率材料層は多孔性低誘電率材料薄膜を構成している。 （もっと読む）

【課題】原子炉または核融合炉の近傍などの過酷な放射線照射環境下においても安定に動作させることが可能な炭化珪素半導体素子およびその運転方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成される表面保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を、ＳｉＯ₂膜とＳｉＮ膜とが交互に積層された多層膜などの超格子多層構造とし
て、絶縁膜内における多数の界面で外部からの放射線を反射、散乱させることにより素子内部への放射線の侵入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜の劣化を防止できる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタQを覆う水素拡散防止絶縁膜２５を形成する工程と、水素拡散防止絶縁膜２５の上にキャパシタ保護絶縁膜２４を形成する工程と、半導体基板１側にバイアス用高周波電力を印加すると共に、酸素とシリコン化合物ガスとを含む第１成膜ガスにプラズマ化用高周波電力を印加するプラズマCVD法により、キャパシタ保護絶縁膜２４の上に第１絶縁膜２６を形成する工程とを有し、キャパシタ保護絶縁膜２４の成膜条件として、キャパシタ保護絶縁膜２４に含まれる水分量が第１絶縁膜２６に含まれる水分量よりも少なくなる条件を採用する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させるためのイメージセンサの金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトプラグを備える第１の層間絶縁膜を形成するステップと、該第１の層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成するステップと、フォーミングガスアニールを行うステップと、前記拡散防止膜上に第２の層間絶縁膜を形成するステップと、該第２の層間絶縁膜及び拡散防止膜を選択的にエッチングしてトレンチを形成するステップと、該トレンチを埋め込むまで導電物質層を形成するステップと、該導電物質層を平坦化してコンタクトプラグと電気的に接続する金属配線を形成するステップとを含み、上記した本発明は、 金属配線を形成する工程の前に拡散防止膜を形成した後、アニール処理を行って金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させて金属配線の信頼性及び素子の信頼性を向上させるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い層と銅拡散を防止する比誘電率が高い層を有しつつも、層間に十分な密着強度を持つ半導体装置をおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多層構造を有する半導体装置において、第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層に接する第２の絶縁層１２と、第１の絶縁層とは反対側で第２の絶縁層に接する第３の絶縁層１１とを含み、第２の絶縁層は、第１の絶縁層と接する第１の界面では第１の絶縁層と同じ組成をし、第３の絶縁層と接する第２の界面では第３の絶縁層と同じ組成をし、第２の絶縁層は第１の界面から第２の界面までの間で組成が連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いて良好な電気的特性を示す半導体装置を形成する。
【解決手段】ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ₆ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。そして、このようなハロゲン元素領域７が形成されたＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５上にＰｏｌｙＳｉゲート電極６を形成する。ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。これにより、固定電荷やフェルミ・レベル・ピニングに起因したＶ_thシフトを抑制でき、良好な電気的特性を示す半導体装置が実現可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される被膜の剥離、ダストの発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の被膜を形成する工程と、前記半導体基板の外周部において、第１の被膜の少なくとも一部を除去し、段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の形成された領域に、選択的に第２の被膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】プレメタル誘電体を含む半導体構造および半導体構造にプレメタル誘電体を堆積形成する方法を実現する。
【解決手段】本発明は、各構成要素２、３、４、９、１１を表面に有する基板１を有し、上記各構成要素２、３、４、９、１１は、少なくとも一つのギャップを形成するように互いに離間されており、上記ギャップは、層の有利な組み合わせにより充填され、上記組み合わせが、少なくともスピンオン形成用の誘電体１４の層を含み、さらに、他の絶縁層が配置、または、リンがドープされたシリケートガラスの層１６が配置されているプレメタル誘電体を含む半導体構造に関する。上記の各層の組み合わせの使用により、上記ギャップの充填において、ボイド１７の発生の抑制または防止できて、上記半導体構造では、化学的および／または機械的および／または電子的に有利な各特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化膜やＣＶＤ法による絶縁膜の形成方法のみでは、今後の高速、低消費電力デバイスへの応用は不十分である。また、良好なデバイス特性を得るためには様々な形体を持った装置を使用する必要があり、操作性やフットプリントの点で問題がある。
【解決手段】本発明により、大気への暴露を避けて、洗浄、酸化、窒化、薄膜化などの処理を行うことで、洗浄度の高い絶縁膜の形成が可能となる。さらに、同一の動作原理を用いて絶縁膜の形成に関する様々な工程を行うことで、装置形体の簡略化を実現し、特性の優れた絶縁膜を効率よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の膜質を向上できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ構造のゲートを有する半導体装置１００の製造方法であって、半導体基板１０上に、気相成長法により気相酸化膜３１を形成する気相酸化工程と、気相酸化工程後、気相酸化膜３１の形成部位を熱酸化し、気相酸化膜３０と半導体基板１０との間に熱酸化膜３２を形成する追加熱酸化工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のゲートスタックの稠密度とは関係なしに、均一な厚さのスペーサ酸化膜を一層迅速に形成できる半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に複数のゲートスタック１１０を形成する段階と;前記半導体基板１００上に気体状態のトリメチルアルミニウム及びトリス(ｔｅｒｔ-アルコキシ)シラノールを交互に供給することで、前記複数のゲートスタック１１０上にスペーサ酸化膜１１８を形成する段階と；を含んで半導体素子のトランジスタ形成方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ_３で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を確保し、且つ漏れ電流特性を改善することができる誘電膜及びその形成方法並びに半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電膜（５０）は、少なくとも２５の比誘電率を有する第１誘電膜（１０）と、第１誘電膜（１０）よりも結晶化率が低い物質を用いて第１誘電膜（１０）の上に形成された第２誘電膜（２０）と、第１誘電膜（１０）と同じ物質を用いて第２誘電膜（２０）の上に形成された第３誘電膜（３０）とを備えており、半導体メモリ素子は、下部電極が形成された基板と、下部電極の上に形成された誘電膜（５０）と、誘電膜（５０）の上に形成された上部電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】電荷トラップ絶縁膜の製造方法、ＳＯＮＯＳ型の不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化物からなる第１酸化膜１５を形成する。シリコンソース物質と窒素ソースガスを用いたサイクリック化学気相蒸着工程を実施し、第１酸化膜１５上にシリコンリッチ窒化物（ＳｉｘＮｙ、ｘ／ｙの値が０．７〜１．５である）を含むシリコン窒化膜２０を形成する。シリコン窒化膜２０上に第２酸化膜３０を形成する。その結果、消去特性の優れた電荷トラップ絶縁体５０が完成される。 （もっと読む）