【課題】薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。
【解決手段】Ｓｉ基板上への誘電体膜の形成方法は、前記Ｓｉ基板上に第一の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第一の金属の気相分子化合物により覆う第一の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第一の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記Ｓｉ基板上に前記第一の金属を含む第一の誘電体分子層を形成する第二の工程と、前記Ｓｉ基板上に第二の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第二の金属の気相分子化合物により覆う第三の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第二の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記第一の誘電体分子層上に前記第二の金属を含む第二の誘電体分子層を形成する第四の工程と、を含む （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にＣＯガス及びＮ２ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたＣＯガス及びＮ２ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜３３０を成膜する工程、膜３３０上に酸化シリコン膜３３５を形成する工程、膜３３５上にＡｒＦレジスト膜３４５を形成する工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をパターニングする工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をマスクとして酸化シリコン膜３３５をエッチングする工程、酸化シリコン膜３３５をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜３３０をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜３３０をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのＣＭＰプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、ＣＭＰプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び／又は高い柔軟性が低ｋ誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＮＯＳ構造のブロック絶縁膜として金属酸化膜を用いて不揮発性半導体記憶装置を製造することができ、且つ金属酸化物の物性値に相応した絶縁特性を得ることにより、電荷保持特性及び書込み／消去特性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，金属酸化物を含有するブロック絶縁膜１０７，及び制御ゲート電極１０８を積層して構成されるＭＯＮＯＳ型の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，及びブロック絶縁膜１０７を積層形成した後、酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施し、次いでブロック絶縁膜１０７上に制御ゲート電極１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、基板１１上に、シリコン酸化膜１２を形成する工程と、シリコン酸化膜１２に対して窒素を導入してシリコン酸窒化膜１３を形成する工程と、シリコン酸窒化膜１３上にＺｒ、Ｈｆの少なくともいずれかを含む絶縁膜１４を形成する工程とを含む。基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する前記工程では、基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、１０５０℃以上、１１００℃以下でシリコン酸化膜１２を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化タンタル膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極膜６２を有している。
酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。
酸化タンタル膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。
そのため、酸化タンタル膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、結晶粒径が１００ｎｍ以下の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

【課題】膜中の窒素濃度を安定化して再現性を向上させることができ、しかも膜厚の面内均一性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面にシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、処理容器内へシリコン系ガスを供給してシラン系ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、被処理体の表面に吸着したシラン系ガスを窒化ガス又は活性化された窒化ガスを用いて窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜の一部又は全部を活性化された酸素を用いて酸化する酸化工程とを有する。これにより、例えばシリコン酸窒化膜等のシリコン含有膜を成膜するに際して、直前に行ったシリコン含有膜の成膜処理に対する依存性をなくして膜中の窒素濃度を安定化させ、再現性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩの圧縮応力を減少し、チャネル方向とチャネル幅方向の応力を印加することにより、駆動能力を増大したＣＭＯＳ半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２を画定する素子分離溝ＳＴと、素子分離溝の下部のみを埋め、その上に凹部を画定する酸化シリコン膜ＯＸと、ＮＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ１に形成されたＮＭＯＳＦＥＴと、ＰＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ２に形成されたＰＭＯＳＦＥＴと、ＮＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１の周囲における凹部上及びＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のゲート幅方向外側における凹部上に延在して形成された引張応力膜ＴＳＦと、ＰＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のチャネル長方向外側における凹部上に延在して形成された圧縮応力膜ＣＳＦとを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量を低減することにより生産性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１の配線９を形成する工程と、前記第１の配線及び前記絶縁膜の上に第１のＴＥＯＳ膜１０を成膜する工程と、前記第１のＴＥＯＳ膜上にＳＯＧ膜１１を塗布し、４３５〜４６５℃の温度で熱処理することにより、前記第１のＴＥＯＳ膜上に厚さ４５０〜５５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する工程と、前記ＳＯＧ膜の上に第２のＴＥＯＳ膜１２を成膜する工程と、前記第２のＴＥＯＳ膜上に第２の配線１５を形成する工程と、前記第２の配線及び前記第２のＴＥＯＳ膜の上に窒化シリコンからなる保護膜１６を成膜する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜の剥がれの度合いを低減することで、半導体装置の防水性を向上させ且つ信頼性を高めることを課題とする。
【解決手段】基板上に、第１の無機絶縁層、半導体素子層、第２の無機絶縁層、有機絶縁層、及び第３の無機絶縁層が順次積層して設け、第２の無機絶縁層は、半導体素子層に設けられた開口部で第１の無機絶縁層と接して設け、第３の無機絶縁層は、有機絶縁層に設けられた開口部で第２の無機絶縁層と接して設け、第２の無機絶縁層及び第３の無機絶縁層が接する面において、第２の無機絶縁層に、複数の凹凸または開口部を設ける。また、第２の無機絶縁層に設けられた複数の凹凸または開口部と重畳する領域の第３の無機絶縁層の表面に複数の凹凸を設ける。 （もっと読む）

【課題】バリア層上に膜質のよい高誘電率材料の絶縁体が形成され得る、絶縁体の成膜方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の面上に、第１の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜上に、第１の比誘電率より大きな第２の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第２の絶縁膜を第１の絶縁膜の膜厚より厚く形成する第２の工程と、を具備し、第２の工程が、処理室内に第１の原料ガスを流す工程と、第１の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第１の酸化剤を流す工程と、第１の酸化剤をパージする工程と、処理室内に第２の原料ガスを流す工程と、第２の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第２の酸化剤を流す工程と、第２の酸化剤をパージする工程とを順次繰り返してなされる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によりバンドギャップの大きさを制御して窒化珪素膜を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される一定の処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択してプラズマＣＶＤを行い、膜中に含まれるＳｉ／Ｎ比をコントロールしてバンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた第１の下層絶縁膜２０ａと、第１の下層絶縁膜上に設けられた第１の中間絶縁膜３０ａと、第１の中間絶縁膜上に設けられた第１の上層絶縁膜４０ａと、第１の上層絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極５０ａと、を有するメモリセルトランジスタ１００ａと、半導体基板上に設けられた第２の下層絶縁膜２０ｂと、第２の下層絶縁膜上に設けられた第２の中間絶縁膜３２ｂと、第２の中間絶縁膜上に設けられた第２の上層絶縁膜４０ｂと、第２の上層絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極５０ｂと、を有するセレクトトランジスタ１００ｂと、を備え、第２の中間絶縁膜３２ｂのトラップ密度は、第１の中間絶縁膜３０ａのトラップ密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコンソースと酸化剤とを交互に供給して半導体基板の表面にシリコン酸化膜を堆積する、半導体装置の製造方法であって、前記シリコンソースの供給を、前記半導体基板へ前記シリコンソースの分子が吸着飽和することなく吸着量が増加する供給条件で行い、前記酸化剤の供給を、前記半導体基板に吸着された前記シリコンソースの分子中に不純物が残存する供給条件で行う。 （もっと読む）

【課題】電荷トラップ効率が可及的に高いＭＯＮＯＳ型メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板５に離間して設けられたソース・ドレイン領域４ａ、４ｂと、ソース領域とドレイン領域４ａ、４ｂの間の半導体基板５上に設けられたトンネル絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜１２上に設けられ、電荷をトラップする電荷蓄積膜１３と、電荷蓄積膜１３上に設けられた制御ゲート電極１６と、電荷蓄積膜１３と制御ゲート電極１６との間に設けられ、電荷蓄積膜１３側に設けられた遷移アルミナ層１４ａおよび制御ゲート電極１６側に設けられたα相アルミナ層１５ａを有するアルミナ膜と、を含むメモリセルを備えている。 （もっと読む）

【課題】異なる誘電体材料を含む、デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域Ｉと第２領域ＩＩとを有する基板５を用意し、（ｉ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩを覆うようにホスト誘電体層１を形成し、（ｉｉ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩの上のホスト誘電体層１を覆うように第１誘電体キャップ層２を形成した後、（ｉｉｉ）第１領域Ｉの上の下位層１に対して選択的に、第１誘電体キャップ層１を除去して、第１領域Ｉの上の下位層１を露出させ、（ｉｖ）第１領域Ｉの上の下位層１と、第２領域ＩＩの上の第１誘電体キャップ層２とを覆うようにＨｆベースの誘電体キャップ層３を形成し、（ｖ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩの上のＨｆベースの誘電体キャップ層３を覆うように制御電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】マンガンの化合物からなるバリア層を形成した後、基板に有機酸を供給してバリア層を構成するマンガンの化合物の一部を還元してマンガンの化合物における化学量論的な組成比の不均衡を発生させて、マンガンの化合物中のマンガンの比率を高める。またバリア層の表面もしくは層中のマンガンはシード層を形成した後、加熱処理を行うことで前記シード層の表面に析出され、そして前記凹部内に上層側導電路を形成する前に洗浄処理を行うことで除去される。 （もっと読む）