【課題】 製造工程における強誘電体キャパシタの劣化を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 加工後のキャパシタ側面に、例えば、第二の保護膜としての第二のＣｅＺｒＯ膜１２５を形成し、熱処理を加えることでＣｅＺｒＯ膜中の酸素原子が、キャパシタの誘電体膜であるＰＺＴ膜１２０および酸化物により形成されるキャパシタの電極の酸素欠損を補充するように拡散することとなる。但し、加工後のキャパシタ側面にＣｅＺｒＯ膜１２５を形成した後に、熱処理の工程をあえて追加して行わない場合であっても、ＣｅＺｒＯ膜１２５の形成後に層間絶縁膜を形成するＣＶＤ工程において加熱が行われ、ＰＺＴ膜１２０およびキャパシタの電極に酸素供給が行われることとなる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴの配向性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上方に、Ｐｔで下部電極用導電膜を形成する工程と、下部電極用導電膜を、酸素を含む雰囲気に曝し、Ｐｔの酸化膜を形成する工程と、下部電極用導電膜上に、ＰＺＴで強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に、上部電極用導電膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。
【解決手段】ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法は、第１の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物であるゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、第２の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体Ｖ_Ｔ調整層を形成するステップと、ゲート誘電体層およびＶ_Ｔ調整層の上にゲート電極を形成するステップと、を含み、前記ゲートスタックの実効仕事関数が、誘電体Ｖ_Ｔ調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、第２の電気陰性度が、第１の電気陰性度およびＡｌ_２Ｏ_３のいずれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器の中枢であるMOSFETの製造において，微細化技術に頼らない高性能化および超低消費電力化技術を提供する。
【解決手段】MOSFETに印加するゲート電圧に連動してゲート絶縁膜中の電荷分布を変化させ，半導体の表面電位を該ゲート電圧の極性とは反対の極性方向に変化させる機能を利用することによりしきい値電圧を低減し，低電圧動作および低消費電力化を可能にする。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた段階化キャップ層の表面上に配される少なくとも１つのパターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質を含む配線構造を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの硬化され且つパターニングされたｌｏｗ−ｋ物質およびパターニングされた段階化キャップ層は、その中に組み込まれる導電的充填領域を各々有する。パターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質は、１つ以上の酸感受性イメージング可能基を有する機能性ポリマー、コポリマー、あるいは少なくとも２種の任意の組み合わせのポリマー類もしくはコポリマー類またはその両方を含むブレンドの硬化生成物であり、段階化キャップ層はバリア領域として機能する下部領域および恒久的な反射防止膜の反射防止特性を有する上部領域を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程（Ｓ５）と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程（Ｓ６）と、を１セットとして、このセットを所定回数行う（Ｓ７）ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜とＨｆＯ_２膜との相互拡散を抑制でき、リーク電流の増加を抑制させる。
【解決手段】基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜、絶縁膜および第２の高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有し、第１の高誘電率絶縁膜、絶縁膜および第２の高誘電率絶縁膜は、それぞれが異なる物質で構成されると共に、絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、または、窒化シリコン膜で構成される。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、大気圧よりも低い圧力に設定された処理容器内に酸素を含むガスと水素を含むガスとを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が大きく、電極間に挟んで用いてもリーク電流値の小さい絶縁膜を提供する。
【解決手段】結晶化した酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム膜の２つと、非晶質であって、前記結晶化した酸化ジルコニウムよりも大きい誘電率を有する材料からなる結晶粒界分断膜とを有し、前記結晶粒界分断膜が、前記２つの酸化ジルコニウム膜に挟まれている絶縁膜を形成する。例えば、上部電極と下部電極の間に容量絶縁膜を有するキャパシタ素子で構成されたメモリセルを備える半導体装置における容量絶縁膜や、コントロールゲート電極とフローティングゲート電極の間にインターゲート絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子を備えた半導体装置におけるインターゲート絶縁膜として好適である。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
（もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第１の元素を含む第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の元素とは異なる第２の元素を第１の絶縁膜に添加してアモルファスである第２の絶縁膜を前記基板上に形成する第２の工程と、第２の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第３の絶縁膜へと相転移させる第３の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第２の元素の添加濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】電極とキャパシタ用絶縁膜（金属酸化膜）との間に発生する気泡状の剥がれの発生を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基体上にソースガスを供給Ｓ１して、ＡＬＤ法により金属窒化膜を３ｎｍ以下の膜厚で堆積Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４し、金属窒化膜を酸化Ｓ５，Ｓ６して金属酸化膜を形成する工程を複数回繰り返して、基体上に、金属酸化膜からなる積層膜を形成する。これにより電極とキャパシタ用絶縁膜（金属酸化膜）との間に発生する気泡状の剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したＳｉ基板上に、ＨｆＮ／Ｈｆ積層膜を形成し、アニール処理によりＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。（１）ＥＯＴの低減が可能であり、（２）リーク電流がＪｇ＝１．０Ｅ−１Ａ／ｃｍ^２以下に低減され、（３）固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、（４）７００℃以上の熱処理を行ってもＥＯＴの増加が無く耐熱性に優れる。 （もっと読む）