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Fターム[5F058BF36]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜の形成法 (10,542) | 気相堆積 (7,977) | 堆積条件制御 (997)

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窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のRF電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 (もっと読む)


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