【課題】「ひずみシリコン」技術を用いて形成された半導体装置において、ＮＭＯＳトランジスタの電流駆動能力の向上を達成できるとともに、ＰＭＯＳトランジスタの電流駆動能力の低下を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の全面に、例えばＰＥＣＶＤ法（プラズマ化学気相成長法）を用いて、厚さ２０〜８０ｎｍのシリコン窒化膜を形成してライナー膜１８とする。なお、ライナー膜１８の成膜条件としては、成膜温度４００℃以下で、Tensileストレスが０〜８００ＭＰａとなるように条件を設定する。そして、紫外線照射およびまたは３００〜５００℃の熱処理を行うことにより膜収縮させ、ＰＭＯＳ領域におけるライナー膜１８では、ゲート電極４のサイドウォール窒化膜１４の側面外方において、サイドウォール窒化膜１４に沿って連続的、あるいは断続的にクラックＣＲを発生させる。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが少ないシリコン窒化膜を形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板２００を収容した処理室２０１内に、ビスターシャリーブチルアミノシランガスとアンモニアガスとを供給して、ＣＶＤ法により基板上にシリコン窒化膜３０４を形成し、シリコン窒化膜が形成された基板を８００℃以上の雰囲気で加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを含む強誘電体素子において、強誘電体膜の配向方向を制御して従来よりも残留分極特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板１０の上方にストライプ状の凹凸を有する第１絶縁膜１１を形成し、その上にＨＤＰＣＶＤ法によりテーパ部１２ａを有する下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の上に、下地絶縁膜の上面に垂直な方向が（１１１）方向となるように自己配向したＰｔ膜を形成しこれを平坦化して第１導電膜１４ａを形成する。その上に、強誘電体膜１５としてＰＺＴ膜を形成し、その上に上部電極１６を形成する。ＰＺＴ膜は第１導電導電膜１４ａと同じ方向に配向するため、分極軸である（００１）方向が、上下の電極間を結ぶ方向（印加電界方向）に揃う。これにより強誘電体膜１５の単位面積当たりの残留分極量が増加し、強誘電体素子の残留分極特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】金属ドープ層を形成するに際して、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせることができると共に、膜厚方向における金属の濃度分布を制御することが可能な金属ドープ層の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に金属が含まれた金属ドープ層１００を形成する金属ドープ層の形成方法において、絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層１０４を形成する金属層形成工程とを、金属層形成工程が少なくとも１回含まれるように交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、バッチ処理システム内において複数の基板上にhigh-k膜を形成するその場ハイブリッド堆積法に関する。
【解決手段】 当該方法は、前記バッチ処理システムの処理チャンバに前記複数の基板を搬入する手順、原子層堆積(ALD)法によって前記複数の基板上にhigh-k誘電膜の第1部分を堆積する手順、該第1部分の堆積後に前記複数の基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、化学気相成長(CVD)法によって前記第1部分上にhigh-k誘電膜の第2部分を堆積する手順、及び前記複数の基板を前記処理チャンバから取り出す手順を有する。当該方法は、前記high-k誘電膜が所望の厚さを有するまで、前記第1及び第2部分の堆積を交互に繰り返す手順をさらに有して良い。またさらに当該方法は、前記取り出しの前に、前記基板の前処理と前記high-k誘電膜の後処理をその場で行う手順を有して良い。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により個々の窒化珪素膜のバンドギャップの大きさを変えて窒化珪素膜積層体を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００を用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガス／アンモニアガス流量比を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、バンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさが異なる絶縁膜積層体を有するＭＯＳ型半導体メモリ装置を容易に製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、少なくとも隣接する絶縁膜を形成する際の圧力条件とは異なる圧力条件でプラズマＣＶＤを行い、絶縁膜積層体を構成する隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさを変えて順次成膜する。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能な高ストレス薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素を含む成膜原料ガスをチャンバー内に供給し、水素が取り込まれた薄膜を半導体基板上に成膜する工程（ステップ１）と、薄膜から水素を離脱させる物質を含む水素離脱ガスを前記チャンバーにパルス的に供給しながら薄膜から水素を離脱させる工程（ステップ２、ステップ１１及び１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、室温下の反応管２内にジイソプロピルアミノシランを供給し、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、室温下の反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。そして、この処理を複数回繰り返す。これにより、半導体ウエハＷに所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】極めて水、酸素の少ない環境下で薄膜の堆積、高誘電率絶縁薄膜やシリコンエピタキシャル膜を形成でき、かつ膜中の不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる。
【解決手段】極低水分子・酸素分子排出装置２０４によりガス中の水濃度を１ＰＰＢ以下、酸素濃度を１０^−２１Ｐａ以下に制御した雰囲気ガスを反応室に流入させて、反応室内の脱水脱酸素処理を行ない、反応室内の水分圧を１０^−１０Ｐａ以下とし、その後原料ガスを導入し、水分量を１ＰＰＢ以下、酸素分圧を１０^−２１Ｐａ以下の超低水分、酸素分圧下でウエハ２０３上に薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】紫外線を利用して、プラズマによるダメージの少ない良質な膜を基板上に形成することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、成膜容器の成膜室内に配設された、基板が載置される基板ステージと、成膜容器の、成膜室の上方に位置するプラズマ発生室内に配設された、紫外線を発生するプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマ発生室と成膜室とを区切るように成膜容器内に配設された、プラズマ発生室から成膜室に紫外線を透過させる紫外線透過板と、を備えている。成膜容器内に供給されたガスは、紫外線透過板を透過した紫外線により活性化されて基板上に酸化膜が生成される。 （もっと読む）

【課題】 常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成できるようにする。
【解決手段】 大気圧近傍の圧力条件でのＣＶＤ法により基板Ｓの表面に酸化膜を形成する装置において、シリコン含有ガスからなる原料ガス（Ａ）、酸化性ガスからなる反応ガス（Ｂ）、Ｈ₂Ｏガス（Ｃ）という３成分のプロセスガスを供給するガス供給源３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、放電処理部１とを備える。放電処理しない原料ガス（Ａ）に、放電処理部１にて放電処理した反応ガス（Ｂ）を基板Ｓ表面付近で混合すると共に、放電処理した又は放電処理しないＨ₂Ｏガス（Ｃ）を添加することによって、常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成する。 （もっと読む）

【課題】第１半導体部および第２半導体部を含む半導体素子を作製する際に半導体の曲がりを小さくする。
【解決手段】絶縁体マスク１７を用いて、ＬＤエリア１ｂに第１半導体部１９を形成し、ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する。絶縁体マスク１７内では、キャップ層１５に近い下部では線膨張率が高く、キャップ層１５から遠い上部では線膨張率が低い。ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する前に、エッチング端面１９ａ側から第１半導体部１９の最上層であるキャップ層１５を部分的にエッチングする。これで、境界１ｄ近傍で、絶縁体マスク１７とキャップ層１５との間にギャップＧを生じさせると、このギャップＧ部分の絶縁体マスク１７において、キャップ層１５に近い下部１７ｅは多く膨張し、キャップ層１５から遠い上部１７ｆは少なく膨張する。その結果、境界１ｄ近傍の絶縁体マスクが上に曲がる。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。従って、電子ビームの露光量を増加することなく、レジストマスクの形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】シートキャリア濃度を向上させると共に、シートキャリア濃度の向上効果を有効に利用する電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。第２の絶縁膜１６の上には、ゲート電極２１が形成されている。ゲート電極２１の両側方にはソース電極２２及びドレイン電極２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたギャップを酸化シリコン膜で充填する改良された技術を提供する。
【解決手段】高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。この後、該酸化シリコン膜の該堆積された第１の部分の一部がエッチングバックされる。これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。この後、ハロゲンスカベンジャーが該基板処理チャンバに流されて、該基板処理チャンバで残渣ハロゲンと反応する。この後、該酸化シリコン膜の第２の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第１の部分上および該ギャップ内に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。
【解決手段】 シリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いることにより、膜全体の固定電荷密度を低減させるとともに半導体膜成膜時の原料原子の吸着をうながす。さらに、半導体膜成膜初期にゲルマニウムを含むガスを混合して表面吸着を促し成膜を促進する。これらにより半導体多結晶膜の成膜温度を下げる。 （もっと読む）