【課題】より高い配向性を有する強誘電体膜を形成できる強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極２３ａを形成する工程と、ＭＯＣＶＤ法により下部電極２３ａ上に初期膜４３ａを形成する工程と、ＭＯＣＶＤ法により初期膜４３ａ上にコア膜４４ａを形成する工程とを備え、下部電極２３ａの形成工程が、電極膜４１ａを形成する工程と、電極酸化膜４２ａを形成する工程とを有し、初期膜４３ａの形成工程が、無酸素雰囲気下で第１シード膜４３ｂを形成する工程を有し、コア膜４４ａを形成する工程において、酸素ガス量が有機金属原料ガスを反応させるために必要な酸素量以上である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶配向性がより良好な強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜１３と、強誘電体膜１３を挟持する下部電極１２及び上部電極１４とを有する強誘電体キャパシタ３の製造方法である。強誘電体膜１３を形成する工程は、下部電極１２上に、有機金属化学気相堆積法で結晶相の第１の強誘電体層１３ａを形成する工程と、第１の強誘電体層１３ａ上に、アモルファス相の第２の強誘電体層を形成する工程と、アモルファス相の第２の強誘電体層を結晶化する工程と、結晶化した第２の強誘電体層１３ｂ上に、有機金属化学気相堆積法で結晶相の第３の強誘電体層１３ｃを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、より広い温度範囲を測定可能な熱処理温度の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の熱処理温度を測定する方法であって、半導体基板の表面部分にドーパント不純物を注入する不純物注入工程と、半導体基板を熱処理することによって半導体基板の表面部分に低抵抗領域を形成する低抵抗領域形成工程と、低抵抗領域にイオンを注入することによって低抵抗領域に結晶欠陥を形成し、低抵抗領域の抵抗を上昇させる結晶欠陥形成工程と、結晶欠陥形成工程後に一定の熱処理温度に保持されている熱処理装置に半導体基板を所定熱処理時間ｔ１だけ投入する熱処理工程と、熱処理工程後に低抵抗領域の熱処理後抵抗Ｒ１を測定する熱処理後抵抗測定工程と、熱処理温度と熱処理時間と熱処理後抵抗との相関関係と、熱処理時間ｔ１と、熱処理後抵抗Ｒ１から、熱処理工程における熱処理温度を特定する熱処理温度特定工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、以下に記載の構成をとることにより従来と比較して優良な特性を有する薄膜トランジスターを作成するための方法を提供することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスターは、アモルファスシリコンを堆積させ、ゲート構造を形成し、次いで、高圧酸化を用いて、層化構造を有する高性能ゲート酸化物を形成することにより作成される。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温でシリコン酸化膜またはシリコンを含んだ金属酸化膜であるシリケート膜を化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内の基板上に薄膜を形成する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記基板上に薄膜を形成する工程では、少なくともシリコン原子を含み、且つ、その組成にＯＣ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３を含む液体原料を気化したガスを基板に対して供給する工程と、前記液体原料が自己分解しない温度において自己分解して水分を発生する添加剤を基板に対して供給する工程と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な残留分極特性が得られる最適な組成を有し、かつ信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を制御性・再現性良く形成する事ができる。
【解決手段】層状結晶構造であり、組成式を、ＳｒＢｉ_ｙＴａ_２Ｏ_９±ｄもしくはＳｒ_ｘＢｉ_ｙ（Ｔａ，Ｎｂ）_２Ｏ_９±ｄ（但し、０．６０≦ｘ＜１．００、２．００＜ｙ≦２．５０、０≦ｄ≦１．００）とすることを特徴とする強誘電体薄膜。カーボン含有量は３０〜４０ａｔ％の５〜２０％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の光散乱性と導電率を有するシリコン酸化物系微粒子集合体をその下地層に悪影響を及ぼすことなくプラズマＣＶＤによって簡便に低コストで製造して提供する。
【解決手段】シリコン酸化物を主成分として含むシリコン酸化物系微粒子集合体をプラズマＣＶＤで製造する方法において、そのプラズマＣＶＤの際に圧力／電力密度≧２５０（Ｔｏｒｒ・ｃｍ²／Ｗ）、ガス流量比ＣＯ₂／ＳｉＨ₄≦１４、および圧力／電力密度≦４６×（ＣＯ₂／ＳｉＨ₄）の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高温ポストアニールのステップを必要とせず、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタと集積可能な、高効率の発光素子とその製造プロセスを提供する。
【解決手段】太陽電池素子の光起電素子層、又は光検出器の感光層を構成するシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体の製造に低温下で高効率のレーザーアニールプロセスを用い、シリコンリッチ誘電体層内にレーザー誘起凝集シリコンナノドットを形成する。この、レーザー誘起凝集シリコンナノドットは、高密度で均一に分布しており、直径のバラツキも小さい。このプロセスを採用すれば、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタを集積した構造で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲートラグおよびセトリング時間が短い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡易でかつ低コストで製造可能なＨＯＴ構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１００）面方位Ｓｉ基板Ｓの表面に電子線ＥＢを局所的に照射した状態で、基板Ｓの表面上にセリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）を成膜することにより、電子線ＥＢが照射した領域ＡＲ１には（１００）面方位セリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）膜３６を成膜し、電子線ＥＢが照射しない領域ＡＲ２には（１１０）面方位セリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）膜３８を成膜する。それぞれ異なった面方位を有するセリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）上に、シリコン（Ｓｉ）膜を成長することにより、ＨＯＴ(Hybrid Orientation Technology)構造を有する半導体装置を提供することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４を反応室１内に搬入する工程と、前記反応室内に原料を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、前記反応室内に反応物を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、を複数回繰り返すことにより基板上に膜を形成する工程と、前記膜形成後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記原料は酸素原子とハフニウム原子を含む原料を含み、前記膜はハフニウムを含む膜であり、前記原料を供給する工程では、基板温度を４００℃以上４５０℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜堆積工程におけるコストダウンと安全性の向上
【解決手段】本発明は、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜、または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。方法は、ケイ素を含有する前駆体、炭素を含有する前駆体および化学修飾剤を使用することを含む。本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】不純物添加絶縁膜を化学気層成長させて成膜する際に、所望の不純物濃度が安定して得られるようにする。
【解決手段】チャンバー内に一種類または複数種類のプロセスガスを導入しつつ、高周波電力を印加してプラズマを発生させ、チャンバー内圧力を圧力制御バルブにより一定に制御し、前記チャンバー内の雰囲が安定した後に、前記圧力制御バルブの開度を一定に保持し、不純物含有ガスを導入する。これにより、不純物含有ガスを導入する成膜の初期段階における圧力安定性を高めることができ、所望の不純物濃度を安定に得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の全体寸法を著しく増大させることなく、デュアル応力ライナ境界問題を克服する方法及び半導体構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明によれば、デュアル応力ライナ境界又はその間のギャップは、隣接するダミー・ゲート領域上に強いて置くようにされる。隣接するダミー・ゲート領域上にデュアル応力ライナ境界又はギャップを強いて置くようにすることによって、デュアル応力ライナ境界又はギャップに関連する大きな応力が、半導体基板にではなくダミー・ゲート材料に移行する。したがって、最も近くに隣接するＦＥＴに対するデュアル応力ライナ境界の影響が低減される。さらに、本発明を用いてデバイス変動性及びパッキング密度の利点が達成される。 （もっと読む）

原子層堆積（ALD）を実施するための改良法について記載する。これらの改良法により、表面活性部位をより完全に飽和させて、ALDプロセスのそれぞれの1／２サイクルでより完全な単分子層表面被覆を提供する。一つの実施態様では、操作パラメーターは、所定の溶媒ベースの前駆体について固定されている。別の実施態様では、表面が完全に飽和するのを確保するために前駆体堆積中にチャンバ圧のような一つの操作パラメーターを変更する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が異なる複数の凹部内に効率よく、かつ、容易に膜を埋め込むことができるとともに、凹部に埋め込む膜の埋め込み性の向上、およびクラックや剥がれの抑制を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シラン３５と過酸化水素３６とを基板１上で反応させて流動性を有する液相のシラノール３７を生成させる。シラノール３７を、基板１に設けられたアスペクト比が所定の値以上である第１の凹部５ａ内を満たすまで導入するとともにアスペクト比が所定の値未満である第２の凹部５ｂ内にその底部から中間部まで導入する。各凹部５ａ，５ｂ内のシラノール３７を脱水縮合させてシリコン酸化膜８に転換し、凹部５ａをシリコン酸化膜８により埋め込むとともに凹部５ｂの底部から中間部までシリコン酸化膜８を設ける。シリコン酸化膜８よりも膜密度が高い絶縁膜９を凹部５ｂの中間部から上部を埋め込むまで設ける。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長(CVD)法において金属源、ケイ素源および酸素源を成膜室に同時給送することにより、原子層堆積法の成膜は非常に低速であるという従来の難点を克服する。
【解決手段】電子デバイスの高誘電率絶縁膜として金属ケイ酸塩を形成する方法であって、ジエチルシランを反応帯に供給する工程、並行して酸素源を該反応帯に供給する工程、並行して金属前駆体を該反応帯に供給する工程、該ジエチルシラン、酸素源および金属前駆体を化学気相成長法で反応させて金属ケイ酸塩を基板の表面に形成させる、の各工程を含む方法。金属はハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの混合物であるのが好ましい。金属ケイ酸塩膜の誘電率は該膜中の金属、ケイ素および酸素の相対原子濃度を基に調整することができる。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を製造する方法を記載する。方法としては、原子酸素前駆物質とシリコン前駆物質を反応させることにより反応チャンバ内で基板上に酸化シリコン層を形成するステップと、基板上に反応生成物を堆積させるステップとが含まれるのがよい。原子酸素前駆物質は、反応チャンバの外部で生成される。方法には、また、酸化シリコン層を約６００℃以下の温度で加熱するステップと、酸化シリコン層を誘導結合プラズマにさらすステップとが含まれる。堆積された酸化シリコン層が、層を紫外光にさらし、更に層を誘導結合プラズマにさらすことによって硬化される方法を更に記載する。 （もっと読む）

【課題】鉛の不足がないチタン酸ジルコン酸鉛膜を安定して製造するためのチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記ＲＦマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）