【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の堆積による不都合、特に膜厚の不均一、異常放電の発生を簡単な構成で解消する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、ガス供給機構７およびガス排気機構９に連結した真空チャンバ３内に平行平板電極５を備え、この平行平板電極５は、マッチングボックスＭＢを介して交流電源ＰＳに接続された高周波電極５Ａと接地された対向電極５Ｂから構成される。製品の成膜処理により平行平板電極５の表面に堆積した絶縁物１１を導電膜１５で覆って導電化するメンテナンスを行う。これは、基板ホルダ（対向電極）５Ｂ上に基板が無い状態で導電膜、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜または屈折率２．３以上のＳｉＮ膜を成膜することにより行う。その後、基板の成膜処理を行うことで、均一な膜厚の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】疎水性基板上に良好な酸化膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】室温以上且つ水の沸点未満の第１の基板温度Ｔ１で、水の過飽和状態にした疎水性の基板１１の基板表面１１０上に下地酸化膜１２を原子層堆積法を用いて形成するステップと、第２の基板温度Ｔ２で、下地酸化膜１２上に上部酸化膜１３を原子層堆積法を用いて形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高速駆動させること、又は半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であり、前記ゲート絶縁膜を、高密度プラズマを用いた成膜処理により形成する。それにより、ゲート絶縁膜の未結合手を低減し、ゲート絶縁膜と酸化物半導体との界面を良質化する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ容量素子の絶縁膜ＳｉＯ₂について、電圧係数以外の特性として温度係数の小さなＭＩＭ容量素子を獲得する。
【解決手段】メタル−容量絶縁膜−メタル（ＭＩＭ）容量素子のＳｉＯ₂絶縁膜の製造方法であって、前記容量絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料とし、成膜温度を３３０℃乃至３５０℃で成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチに対しても、ゲート構造または埋込み層などの層を再現性良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ１６に対して、１００Ｐａ以下の減圧下で、チャネル層１７、ゲート絶縁膜１８およびゲート電極１９を形成する。具体的には、炭素原料として不飽和炭化水素および有機シランの少なくとも一方を含む原料ガスを用い、１００Ｐａ以下の減圧下で、エピタキシャル成長を行うことによって、ＳｉＣから成るチャネル層１７またはゲート電極１９を形成する。また１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種を供給することによる酸化および、１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種およびシラン原料を供給することによる堆積の少なくとも一方によって、ゲート絶縁膜１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

ＩＶ族金属含有前駆体と、ＩＶ族金属含有膜｛窒化物、酸化物および金属）の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。ＩＶ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）含有膜の堆積は、熱および／またはプラズマ強化ＣＶＤ、ＡＬＤおよびパルスＣＶＤによって行うことができる。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に達するコンタクトホールを確実に形成し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８を形成する工程と、第１応力膜とエッチング特性が異なる絶縁膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０を用いて、第２領域内の絶縁膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の絶縁膜をサイドエッチングする工程と、第１マスクを用いて第２領域内の第１応力膜をエッチングする工程と、絶縁膜とエッチング特性が異なる第２応力膜を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が絶縁膜上に位置する第２マスクを用いて、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び絶縁膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【目的】層間絶縁膜内の電荷による電界への影響を緩和して、素子のリーク電流の減少と耐圧の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜をＳｉＨ₄とＮ₂Ｏから形成される堆積酸化膜２ａとＴＥＯＳとＯ₂から形成されるＴＥＯＳ酸化膜２ｂとの二層の複合膜とすることで、ＴＥＯＳ酸化膜２ｂ中の電荷５による電界への影響を堆積酸化膜２ａで緩和できて、素子のリーク電流が低減され、耐圧が向上する。その結果、良品率を向上させることができる。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）