【課題】基板上に形成されたギャップを酸化シリコン膜で充填する改良された技術を提供する。
【解決手段】高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。この後、該酸化シリコン膜の該堆積された第１の部分の一部がエッチングバックされる。これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。この後、ハロゲンスカベンジャーが該基板処理チャンバに流されて、該基板処理チャンバで残渣ハロゲンと反応する。この後、該酸化シリコン膜の第２の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第１の部分上および該ギャップ内に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。
【解決手段】 シリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いることにより、膜全体の固定電荷密度を低減させるとともに半導体膜成膜時の原料原子の吸着をうながす。さらに、半導体膜成膜初期にゲルマニウムを含むガスを混合して表面吸着を促し成膜を促進する。これらにより半導体多結晶膜の成膜温度を下げる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、メンブレンベース部材に対する金属配線の接合性を向上させ、あるいはさらにメンブレンベース部材の平坦性を向上させて、耐久性に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のメンブレン構造素子は、熱収縮により収縮した酸化ケイ素膜を主体とするメンブレンベース部材１と、前記メンブレンベース部材１の周辺の一部を支持することによって前記メンブレンベース部材を中空状態で支持する基板２とを備える。金属配線６が前記メンブレンベース部材の表面側に設けられた絶縁密着層１４に形成され、前記絶縁密着層１４は酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成される。また、前記金属配線６を覆うように酸化ケイ素膜の被覆層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
（もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことで高いＨ₂パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＮ₂ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去し、この自然酸化膜の除去によって半導体表面での熱拡散を促進させ、これによって低温での成膜を可能とするものであり、成膜温度を低温とすることで、Ｈ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体マスクの除去において残渣を低減可能な、化合物半導体光デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体光デバイスを作製する方法は、（ａ）有機シラン系原料および酸素原料を含む成膜ガスを供給して誘導結合プラズマ−化学的気相成長法で、ヒータを用いて基板１１を加熱しながら、シリコン化合物からなる誘電体マスク膜１７を化合物半導体領域１０上に堆積する工程と、（ｂ）誘電体マスク膜１７にパターンを形成して誘電体マスク１７ａを形成する工程と、（ｃ）誘電体マスク１７ａを用いて、化合物半導体領域１０のドライエッチングを行ってメサ形状の化合物半導体領域１０ｃを形成する工程とを備える。誘電体マスク膜１７の堆積は摂氏２００度以上の基板温度において行われる。誘電体マスク膜１７の堆積は摂氏３００度以下の温度において行われる。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセスによって作製される金属酸化物被膜の均一性を高めるための方法に関する。ハロゲン化金属含有前駆体と酸素含有前駆体（好ましくは水）の交互パルスを使用し、必要に応じてパージすることによって層が作製される。酸素含有前駆体のパルス後に改質剤のパルスを導入すると、層の均一性に好ましい効果（一般には、特に密に配置された基板を含むアプリケーションにおいて勾配を示す）を与える。特に、層厚さの均一性が改善される。本発明によれば、１〜３個の炭素原子を有するアルコールを改質剤として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法で半導体ウエハ上に成膜した金属酸化物膜の膜厚分布を均一にする。
【解決手段】成膜装置１１のチャンバ１２内に半導体ウエハ１Ｗを配置し、ガス排気口１４からチャンバ１２内のガスを排気する。それから、ゲートバルブ１５を閉じてガス排気口１４からの排気を遮断した状態で、チャンバ１２内に不活性ガスを導入してチャンバ内の圧力を１３３Ｐａ以上、好ましくは６６７Ｐａ以上で、１０１３２５Ｐａ未満としてから、チャンバ１２内に不活性ガスと金属酸化物成膜用の原料ガスとの混合ガスを導入する。その後、ゲートバルブ１５を開けてガス排気口１４からチャンバ１２内のガスを排気してから、酸化用ガスをチャンバ１２内に導入し、半導体ウエハ１Ｗに吸着されていた原料ガス分子と反応させて、半導体ウエハ１Ｗ上に金属酸化物膜を形成する。これらを繰り返すことで、半導体ウエハ１Ｗ上に所望の厚みの金属酸化物膜２が成膜される。 （もっと読む）

【課題】基板表面にダメージを与えたり、工程を増加させたりすることなくＴ型ゲートの庇部の下に空間を形成し寄生容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】周囲を保護絶縁膜６ａで被覆されるとともに、その庇部５ａの下に空間７ａを有するＴ型ゲート５を備えた半導体装置の製造方法であって、保護絶縁膜６ａをＣＶＤ法を用いて形成するに際し、予め、成膜圧力と、Ｔ型ゲート５の庇部５ａの内側および外側にそれぞれ形成された保護絶縁膜５ａの膜厚比Ｙとの関係式を求めるステップと、その関係式を用いて、空間７ａが得られる成膜圧力を算出するステップと、算出された成膜圧力に設定してＴ型ゲート５上に保護絶縁膜６ａを形成するステップとを有する。 （もっと読む）

酸化シリコン膜の堆積におけるパターンローディングを改良するための方法が説明されている。上記方法は、堆積基板を堆積チャンバに提供するステップと、上記堆積基板の温度を約２５０℃〜約３２５℃の温度に調整するステップとを含んでもよい。オゾン含有ガスが、約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの第１の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよく、この場合、上記ガスにおけるオゾン濃度は約６重量％〜約１２重量％である。ＴＥＯＳもまた、約２５００ｍｇｍ〜約４５００ｍｇｍの第２の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよい。上記酸化シリコン膜の堆積レートは、上記基板の堆積表面での上記オゾンおよびＴＥＯＳの反応の反応レートによってコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】 単一セルに２ビット以上の複数ビットの情報を記憶させる方式の不揮発性半導体メモリ装置において、書き込み不良を防止し、高い動作信頼性を確保する。
【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置２００は、ラウンド状壁部２０３ｂを有するトレンチ２０３と、トンネル酸化膜２０５と、電荷捕獲領域としての窒化珪素膜２０７ａ，２０７ｂと、二酸化珪素膜２０９と、ゲート電極２１１と、ゲート電極２１１を間に挟んでその両側のＳｉ基板２０１に形成された第１のソース／ドレイン領域２１３ａおよび第２のソース／ドレイン領域２１３ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造時の透明導電性材料からなる共通電極のダメージを減らして曇りの発生を減
少させ、明るい表示が得られる液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネルを提供する
こと。
【解決手段】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、透明基板１１上に各画素毎に形成さ
れた透明導電性材料からなる共通電極１４と、前記共通電極１４上に形成された窒化珪素
からなる絶縁膜１５と、前記共通電極１４上の絶縁膜の表面に形成された互いに平行に設
けられた複数のスリット２０を有する画素電極２１と、を備える液晶表示パネル１０の製
造に際し、前記窒化珪素からなる絶縁膜１５を複層構造とし、少なくとも最下層の窒化珪
素からなる絶縁膜１５ａを共通電極１４に対して他の層の絶縁膜１５ｂよりも低ダメージ
条件のプラズマＣＶＤ法により形成したこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最終保護膜形成後の製品のそりを低減した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜上に、引張応力を有する第２保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第１保護膜、及び前記第２保護膜を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な基板の成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板３０の成膜方法においては、基板３０上にＳｉＯ_２膜３８を成膜すると、そのＳｉＯ_２膜３８には、電極プレート１０のパターニング部１４の凹凸パターンに沿うように、エッチング耐性の高い領域Ｓ_１と低い領域Ｓ_２とが形成される。そのため、ＳｉＯ_２膜３８を成膜した後、基板３０に所定のエッチング処理を施すことにより、上記凹凸パターンと同様にパターニングされたＳｉＯ_２膜３８が得られる。そのため、このような成膜方法においては、フォトリソグラフィ技術のための装置や工程が不要であり、従来よりも簡便にＳｉＯ_２膜３８を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 ｎチャネル導電型電界効果トランジスタ及びｐチャネル導電型電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板の一主面の第１の領域にチャネル形成領域が構成されたｎチャネル導電型電界効果トランジスタと、前記半導体基板の一主面の第１の領域と異なる第２の領域にチャネル形成領域が構成されたｐチャネル導電型電界効果トランジスタとを有する半導体装置であって、前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力と、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力とが、各々で異なっている。前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】成膜速度を著しく向上させ、かつ良好な結晶状態の化合物膜を形成することのできる膜形成方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる膜形成方法は、スパッタ装置を用いて膜を形成する膜形成方法であって、反応性ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを検出する工程と、検出した前記発光スペクトルにおける所定の基準波長の発光ピーク強度が所定の目標値になるように、チャンバ内に導入する前記反応性ガスの導入量を制御する工程と、を含む。 （もっと読む）