【課題】 半導体装置の特性を劣化させることなく保護絶縁層を形成することのできる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた電界効果型トランジスタ等の表面に、平行平板プラズマＣＶＤにより保護絶縁層としての窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜する際に、波長３９１ｎｍ付近にピークを持つ励起窒素分子の発光強度と、波長４０５ｎｍ付近にピークを持つ励起窒化シリコン分子の発光強度との比率（Ｎ３９１／ＳｉＮ４０５）を０．５以下とするパラメータ条件を意図的に設定し、成膜を制御する。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、コストダウンを図れる異種積層薄膜形成方法及び装置を提供すること。
【解決手段】（１）反応容器にＡＬＤによる膜形成用の金属原料ガスを供給し、（２）次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、（３）該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤原料ガスを供給し、（４）次いで、該反応容器内の前記酸化剤原料ガスを排気し、前記の１サイクルで１原子層の金属酸化物薄膜を形成し、これを複数サイクル繰り返して多原子層の金属酸化物薄膜を形成し、続いて、前記（３）の工程における酸化剤原料ガスを窒化剤原料ガスに替えて、同一反応容器にて、新たに前記サイクルを繰り返して前記金属酸化物膜の上に金属窒化物薄膜を積層させること。 （もっと読む）

【課題】 配線間容量値を抑制すると共にそのバラツキを抑制できるようにする。
【解決手段】 複数の配線部４間にはボイド６が形成されている。このボイド６は、その外周側の一部がバリアメタル層４ｃおよび金属配線層４ｂ間の界面よりも上方に形成されていると共に、外周側の一部がバリアメタル層４ａおよび金属配線層４ｂ間の界面よりも下方に形成されている。 （もっと読む）

窒素を含む誘電体膜を形成する方法。本方法は、窒化物形成ガスと急速加熱アニールプロセスを用いて窒素を誘電体膜に取込むことを含み、ここで、急速加熱アニールプロセスに約１０Ｔｏｒｒ以下の超低圧が用いられる。
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本発明では、強誘電体キャパシタを用いたメモリを有する半導体装置を製造する場合に、強誘電体膜の配向性を制御して当該強誘電体膜の良好な強誘電体特性を維持しながら、当該強誘電体膜の膜中不純物および膜中の結晶欠陥を減少させる半導体装置の製造方法を提供する。そのため、第１の強誘電体層を形成する第１の成膜工程と、前記第１の強誘電体層の上に第２の強誘電体層を形成する第２の成膜工程からなり、前記第１の成膜工程の成膜温度が６００℃以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
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ナノレイヤ堆積（「ＮＬＤ」）と呼ばれる、ＣＶＤ及びＡＬＤのハイブリッド堆積プロセスが提供される。このナノレイヤ堆積プロセスは、非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させる第１のステップと、次に、該第１の組の前駆体をパージする第２のステップと、第２の複数の前駆体を導入し、堆積された薄膜を修正する第３のステップとを含む周期的シーケンス堆積プロセスである。第１の組の前駆体を用いるＮＬＤプロセスにおける堆積ステップは、非自己制御型であり、基板温度及びプロセス時間の関数である。第２の組の前駆体が、既に堆積された膜の特徴を修正する。第２の組の前駆体は、膜の組成の修正、ドーピング、又は堆積された膜からの不純物の除去のように、堆積された膜の処理を行うことができる。第２の組の前駆体は、堆積された膜上に別の層を堆積させることもできる。追加の層は、既存の層と反応して複合層を形成するか、又は最小の反応を起こしてナノラミネート膜を形成することができる。
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【課題】 セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第１の原料ガスを供給した後であって前記第２の原料ガスを供給する前と、前記第２の原料ガスを供給した後であって前記第１の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する熱損傷及び成膜時のパーティクル発生を抑制しながら、高い成膜速度をもって結晶性の高い薄膜を形成する。
【解決手段】 薄膜の成膜方法は、反応室１０１内に設置された基板１０３上に、金属を含む有機物を原料として含む原料ガス１１０と、加熱用ガス１１１とを供給することにより、基板１０３上に金属酸化物又はその前駆体よりなる薄膜を堆積する工程を備え、原料ガス１１０は、第１の温度に調整されると共に、反応室１０１に接続された第１の供給経路１０４を通して供給され、加熱用ガス１１１は、第１の温度よりも高い第２の温度に調整されると共に、反応室１０１に接続され且つ第１の供給経路１０４とは異なる第２の供給経路１０８を通して供給されるようになっている。 （もっと読む）

サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを有する薄膜蒸着装置及びこれを用いる薄膜蒸着方法を開示する。この装置は、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段、ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段、ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段、及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段を含む。

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【課題】 微細化されても十分な分極特性を有する容量絶縁膜を提供する。
【解決手段】 容量絶縁膜は、半導体基板１１上に形成された強誘電体膜よりなる容量絶縁膜２１であり、強誘電体膜は、結晶配向がランダム配向となるように結晶成長する結晶核として機能する元素を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

原子層堆積によって鉛含有酸化物薄膜を製造する方法であって、酸化鉛の原料物質として、炭素−鉛結合により鉛原子に結合した有機リガンドを有する有機金属鉛化合物を用いる工程を含む。例えば、250℃及び300℃での前駆体としてＰｈ₄Ｐｂ、Ｏ₃、Ｔｉ(ＯⁱＰｒ)₄及びＨ₂Ｏを用いるＡＬＤ成長により、優れた均一性を有する化学量論のＰｂＴｉＯ₃薄膜を支持体上に堆積することができる。 （もっと読む）

【課題】 付随誘電体膜の発生をコントロールして良好な高誘電体膜又は強誘電体膜を形成できる製膜条件特定の容易化及び効率化を図る。
【解決手段】 製膜条件に係る複数のパラメータ中、一つのパラメータに対しては相異するパラメータ値を設定し、他のパラメータに対しては同一の所定値を設定し、基板上に高誘電体膜又は強誘電体膜を形成した２枚の膜体を製作する。各膜体の膜特性を分光エリプソメータで解析し、解析結果を比較して付随誘電体膜の存在する割合が小さい方法の膜体を良好と判断し、良好な膜体の製作で設定したパラメータ値を特定する。以下、同様な処理を行い一つのパラメータに対する最適なパラメータ値を特定すると共に、他のパラメータに対しても同様の処理を行い、他のパラメータに対しても最適なパラメータ値を特定する。 （もっと読む）

処理チャンバ内の基板に対面するスパッタ・ターゲットの表面上に仕事関数還元剤を導入し、酸素ガスとインサート・ガスとを処理チャンバ内に供給し、酸素ガスと不活性ガスとをイオン化することによって複数の電子を生成し、スパッタ・ターゲットから複数の陰荷電イオンを解離させ、イオン化された酸素ガスで反応した陰荷電イオンから酸化物薄膜を基板上に形成する、酸化物薄膜の形成方法。本発明は、広い範囲での応用に適しているが、特に、高充填密度、高屈折率、低応力性、低表面粗度に関して、望ましい特質を持った酸化物薄膜を形成するのに適している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットを配し、前記真空容器中に希ガスもしくは反応性ガスの少なくともどちらか一方を導入しスパッタリング成膜を行う、スパッタリング方法において、前記希ガスを１種類以上の希ガスの混合ガスとし、前記ターゲットの侵食量に応じて前記希ガスの混合比を変えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に形成された多層配線構造を備える半導体装置において、この多層配線構造は、比誘電率が３．１以下で硬度が２．７ＧＰａ以上である有機シロキサン系絶縁膜を少なくとも一部に備えた層間絶縁膜を有する。また、この有機シロキサン系絶縁膜は、（炭素原子数／珪素原子数）の比が０．５以上１．０以下である。さらに、この多層配線構造は、有機シロキサン系絶縁膜から炭素が抜けて（炭素原子数／珪素原子数）の比が０．１以下になった絶縁層を有機シロキサン系絶縁膜の上面に有することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。
【解決手段】縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。供給系４２、４４は、第１反応ガスを供給する第１反応ガスライン６０に接続された複数の第１供給孔５３と、第２反応ガスを供給する第２反応ガスライン６２に接続された複数の第２供給孔５３とを含む。第１供給孔５３のセット及び第２供給孔５３のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Ｗのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部５は、第１及び第２反応ガスを交互に供給するように供給系４２、４４を制御することにより、第１及び第２反応ガスに由来する薄膜を被処理基板Ｗ上に形成する。 （もっと読む）

ウェハ用二層ＬＴＯ背面シール。二層ＬＴＯ背面シールは、第一の主要面と第二の主要面とを有する低応力ＬＴＯ層を含み、この場合、低応力ＬＴＯ層の第一の主要面はウェハの主要面の１つに隣接している。二層ＬＴＯ背面シールは、更に、第一の主要面と第二の主要面とを有する高応力ＬＴＯ層を含み、この場合、この場合、高応力ＬＴＯ層の第一の主要面は低応力ＬＴＯ層の第二の主要面に隣接している。
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【課題】 被堆積材の温度上昇の抑制と高速な成膜との両立を図る。
【解決手段】 真空容器２内に設置された被堆積材３上に薄膜形成を行う成膜装置であって、材料ガスの一部を活性化する触媒体５と、触媒体５と接触するように材料ガスの一部を導入する第１のガス供給手段６と、触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第２のガス供給手段７とを有する。材料ガスの少なくとも一部を触媒体５により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより残りの材料ガスを活性化して堆積種とし、被堆積材４上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）