【課題】 III族窒化物半導体層を用いた半導体装置において、熱的安定性に優れ、且つリーク電流が少ない高抵抗領域を容易に形成する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層における素子形成領域を分離させる絶縁酸化膜を形成する半導体装置の製造方法は、III族窒化物半導体層よりなる堆積層１１における素子形成領域を区画するように、堆積層１１にIII族窒化物半導体層の改質領域１３を形成する工程と、改質領域１３を酸化することにより、酸化領域１４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

金属酸化膜半導体の製造方法である（５００）。金属酸化膜半導体のゲート構造がエッチングされる（５１０）。ＮＯ又はＮ２Ｏである窒素含有ガスが生成され、金属酸化膜半導体に流す（５００）。
プレインプラント膜（６２０）がゲート構造のエッジに成長される。プレインプラント膜は、エッチングプロセスがもたらすゲートスタックエッジの損傷を修復する。実質的に膜は窒化シリコンである。有利にも、そのような膜は従来のsilica oxide膜よりも薄い。より薄い膜は、トンネル酸化膜の不均一さに、有害に起因しない。不均一なトンネル酸化膜は、ゲートとチャネル間に均一でない電界をもたらす。均一でない電界は、多くの悪影響を持つ。有利にも、本発明の実施形態は、ゲートスタックエッジの欠陥を修復することで、従来技術の欠点を克服する。この新たな方法で、ゲートスタックエッジの欠陥が、金属酸化膜半導体デバイスの電気的性質に有害な結果をもたらすことなく、修復される。
この用途に、新たなシリカ酸化膜を応用することにより、薄い修復膜が成長できる。有利にも、本発明の実施形態を用いて製造された半導体は、小型プロセスの加工寸法を用いており、その結果、より密集した半導体デバイスアレイをもたらし、そのようなデバイスの低価格をもたらし、また、本明細書に解説している改良を実現した者たちに対して、競争上の優位性を実現している。
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【課題】 パイロジェニック酸化処理とＮＯ酸窒化処理とからなる２つの処理をできるだけ連続に近い形で行わせて、パイロジェニック酸化処理で生じる残留水分を効率良く排出させる。
【解決手段】 反応室３内で、ボート２により支持されたウェハ１に対し、パイロジェニック酸化を行った後、ＮＯ酸窒化を連続して行う。このパイロジェニック酸化後、ＮＯ酸窒化を行う前に、反応室３からボート２をアンロード位置Ａまで引き出してボート２の全部を露出するのではなく、セミロード位置Ｃまで引き出しボート２の一部のみを露出させる。この状態で反応室３内の残留水分を除去する排除処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したＭＩＳ型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。 （もっと読む）