【課題】簡易にかつ正確に酸化時間を求めて酸化制御を行うことができる薄膜の酸化制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】過去の酸化処理における酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子の面抵抗ＲＡとの複数セットの対応関係を関係式ＲＡ＝ａ×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂに代入することによって得られたこの関係式の傾きａ及び切片ｂの複数の組から、傾きａ及び切片ｂ間の相関式ｂ＝Ａ×ａ＋Ｂを求めておき、同一の酸化装置によって酸化処理を行う際に、この酸化装置で実際に酸化処理して酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子面抵抗ＲＡとの１セットの対応関係を測定し、測定で得られた酸化時間Ｔ_ＯＸＭＥとＭＲ素子面抵抗ＲＡ_ＭＥとを上述の関係式に代入して得たＲＡ＝ａ_０×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂ_０を用いて所望のＭＲ素子面抵抗に対する酸化時間を求め、求めた酸化時間で酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上やチャンバ内壁面にＳｉＣの形成を可能とする。
【解決手段】チャンバ１０内の基板２２ａへ珪素を供給すると共に、チャンバ１０内へハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを解離して炭素含有部材２０ｂから基板２２ａへ炭素を供給することによって基板２２ａにＳｉＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられ、前記シリコン酸化膜よりも誘電率が高い金属シリケート絶縁膜と、前記金属シリケート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記金属シリケート絶縁膜における、前記ゲート電極と接する側の金属元素の組成比率が、前記シリコン酸化膜と接する側の金属元素の組成比率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの疲労特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＺＴ膜２４ａの形成では有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を採用し、その厚さを約５ｎｍとする。ＰＺＴ膜２４ｂの形成でもＭＯＣＶＤ法を採用し、その厚さを約９５ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ａの組成とＰＺＴ膜２４ｂの組成とを比較すると、ＰＺＴ膜２４ｂの組成において、Ｔｉ含有量が少なく、Ｚｒ含有量が多くなるように、原料ガスの供給量を調整する。ＰＺＴ膜２４ｃの形成では、例えば化学溶液堆積（ＣＳＤ）法を採用し、その厚さを約２０ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ｃ中のＰｂ含有量が、ＰＺＴ膜２４ａ及び２４ｂよりも、化学量論組成に近くなるよう、原料ガスの供給量を調整する。例えば、Ｚｒ含有量及びＴｉ含有量の総和と同程度とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜の電気的な特性を向上させる事ができる非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フローティングゲート１０４とコントロールゲート１２２間誘電体１２０として、酸化膜１０８，１１６の間に高誘電絶縁膜１１２を含む高誘電体膜を形成し、高誘電絶縁膜の上部及び下部、またはフローティングゲートの上部及びコントロールゲートの下部に窒素含有絶縁膜１０６，１１０，１１４，１１８を形成することにより、酸化膜と高誘電絶縁膜との間、または酸化膜とフローティングゲートまたはコントロールゲートとの間の界面反応を抑制し、高誘電体膜の誘電率、漏洩電流、絶縁破壊電圧及び電荷保存特性などの電気的な特性を向上させ、高性能及び高信頼性の高誘電体膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 単一横モード発振をさせるために多層膜反射鏡の横方向から酸化処理を行う必要がなく、歩留まりよく製造可能な面発光レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射鏡を有する面発光レーザ装置において、一方の反射鏡は、高屈折率層と、低屈折率層とが交互に積層されている多層膜反射鏡１５０である。また、低屈折率層のうち少なくとも一層は、酸化アルミニウムを含む第１の領域１７５と、第１の領域を取り囲む第２の領域１７０を有する。また、第１の領域１７５と第２の領域１７０との境界は、レーザ光が出射する範囲１９０に存在する。そして、多層膜反射鏡１５０において、第１の領域を含む部分の反射率は、第２の領域を含む部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層を成膜し、支持体用の溝を形成する。次に、Ｓｉ基板１上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体２２を形成する。続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。この状態でＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体２２にＳｉ層１３が支持された形でＳｉ層１３の上下に空洞部２５、２７がそれぞれ形成される。その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止で
きるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉ層１３／ＳｉＧｅ層１１を成膜し、素子領域の外周に沿
って溝ｈ１を形成する。次に、Ｓｉ基板１上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエ
ッチングして支持体２２を形成する。続いて、支持体２２下から露出しているＳｉ層１３
／ＳｉＧｅ層１１をドライエッチングする。この状態でＳｉＧｅ層１１をフッ硝酸溶液で
エッチングすると、支持体２２にＳｉ層１３がぶらさがった形でＳｉ層１３下に空洞部が
形成される。その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸
化工程）。支持体２２を形成する工程では、ＢＯＸ酸化工程での支持体２２の反りを防止
するために、素子領域外周の長辺の一部から溝ｈ１にかけて反り防止支持部２２ｂを形成
する。 （もっと読む）

【課題】デバイス全体の小型化を図ることが可能であり且つデバイス性能の安定化を図れる真空封止デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。ゲッタ部４は、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されている。 （もっと読む）

【課題】エージングデバイスの寿命を正確にコントロールする。
【解決手段】本発明の例に関わるエージングデバイスは、上面が半導体基板11の上面よりも上にある素子分離絶縁層12と、素子分離絶縁層12により分離される第１及び第２素子領域13,14と、第１素子領域13内の半導体基板11内に形成される第１及び第２拡散層15a,15b,16a,16bと、第１及び第２拡散層間15a,15b,16a,16bの半導体基板11上に形成される第１ゲート絶縁膜19と、第２素子領域14内の半導体基板11上に形成される第２ゲート絶縁膜19と、第１及び第２ゲート絶縁膜19上に形成され、第１素子領域13から第２素子領域14まで跨って形成されるフローティングゲート電極20とを備え、第１及び第２拡散層15a,15b,16a,16bの最も深い部分は、素子分離絶縁層12から離れている。 （もっと読む）

【課題】 支持基板や他の基板を用いることなく、半導体ウエハに反りや割れ等の不具合が生じることを防止する。
【解決手段】 半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。半導体構造形成領域５から半導体ウエハ補強領域３にかけて、弾性率が連続的に変化している。半導体構造形成領域５の表面に半導体構造６を作りこむ工程と、半導体ウエハ１の裏面を研磨して半導体ウエハ１の厚み減じる工程を経て、半導体構造６を有する薄型の半導体ウエハ１を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係る半導体素子は、所定の金属層が形成されている基板と、所定の最小線幅に対して１／２以下の最小線幅を有し、前記金属層に形成される第１空間と、前記第１空間と異なる高さに前記１／２以下の最小線幅を有し、前記金属層に形成される第２空間と、を含む。前記第２空間は、前記第１空間から前記１／２以下の最小線幅の距離を置いて形成されていると好適である。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２を形成するために、素子領域に位置する半導体基板上にマスク膜２１，２２を形成する工程と、マスク膜２１，２２の寸法を測定する工程と、マスク膜２１，２２の設計寸法に対する測定寸法の差に基づいて、素子分離膜２を形成するための熱酸化量を算出する工程と、算出した熱酸化量に従って、マスク膜２１，２２をマスクとして半導体基板１を熱酸化することにより、素子分離膜２を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、柱状結晶構造体の柱径を高精度に制御可能とする。
【解決手段】発光ダイオードを形成するナノコラム６において、その作成後、フォトルミネッセンス法などで実際の発光波長を測定し、所望とする波長からずれていれば、該ナノコラム６を熱酸化し、表面に径調整層１０を形成する。したがって、径調整層１０の部分は発光動作に寄与せず、実質的にナノコラム６の外径が細くなった場合と同様の動作を行うことになり、従来では全く不可能であった形成後の外径の微調整を、容易かつ高精度に行うことができ、発光波長を調整することができる。また、径調整層１０はナノコラム６の表面を保護するので、ＳＯＧの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 （もっと読む）

【課題】非常に薄い酸化物層の品質を改良するための方法を提供する。
【解決手段】濃くドープされたＮ＋層上の半導体本体の表面領域上にかつゲート領域の表面上に初期の酸化物層（１０４）を形成するために半導体本体をはじめに酸化させることによって、ＥＥＰＡＬ装置などのプログラマブル装置に適切な高品質のトンネル酸化膜が濃くドープされたＮ＋層上の半導体本体の表面領域上に形成され、さらにゲート酸化膜がゲート領域上に形成される。次に、濃くドープされたＮ＋層の上層の初期の酸化物層（１０４）の少なくとも一部分が取除かれる。初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。半導体本体を窒素源に導入することによって、ある濃度の窒素がゲートおよびトンネル酸化膜両方に導入される。 （もっと読む）

【課題】膜特性に優れる絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。特に、緻密で高耐圧な絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。また、電子トラップの少ない絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素を含む絶縁膜に対して、高周波を用いて電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上、且つ電子温度が１．５ｅＶ以下の条件でプラズマ処理を行う。また、プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。 （もっと読む）

チャンバ内で半導体基板を処理する方法は、二ステップアニールプロセスを用いて酸窒化シリコン膜を形成するステップを含む。第一アニールステップは、分圧が約１〜約１００ミリトールである酸化ガスの存在下に酸窒化シリコン膜をアニールする工程を含み、第二アニールステップは、流量が約１ｓｌｍである酸素ガスで酸窒化シリコン膜をアニールする工程を含む。第一アニールステップは、第二アニールステップより高いチャンバ温度と高いチャンバ圧で行われる。 （もっと読む）

【課題】有機成分を含む誘電体前駆体溶液を用いた基板処理において、誘電体前駆体溶液塗布部分と非誘電体前駆体溶液塗布部分の昇温を均一にすることが可能な基板の熱処理方法、及び少なくとも鉛成分を含む誘電体の有機成分を含む誘電体前駆体溶液を用いた誘電体膜の作成において、誘電体前駆体の塗布部分と非塗布部分とを均一温度で熱処理することにより、素子の品質低下を防ぐことが可能な基板の熱処理方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有する誘電体前駆体溶液を基板に塗布して誘電体前駆体膜を形成し、該誘電体前駆体膜を乾燥させ、前記誘電体前駆体膜を脱脂または仮焼成し、前記誘電体前駆体膜を焼成する誘電体膜の製造工程における熱処理に際し、誘電体前駆体溶液塗布部分を遮光するようにして基板をランプ照射により熱処理する。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜上に厚さを異にする複数のシリコン酸化膜を簡単に且つ精度良く形成する。
【解決手段】半導体基板１０の一方の主面を覆うシリコン酸化膜１２の上にシリコン窒化膜１４をＣＶＤ法により形成した後、レジスト層をマスクとするイオン注入処理によりシリコン窒化膜１４の一部分（酸化速度を減少すべき部分）にアルゴンイオンＡｒ^＋を例えば加速電圧１００ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の条件で注入する。この後、シリコン窒化膜１４に熱酸化処理を施すことによりイオン注入された部分には薄いシリコン酸化膜１８ａを、イオン注入されなかった部分には厚いシリコン酸化膜１８ｂをそれぞれ形成する。このようなシリコン酸化膜形成法は、容量素子の製法又はＭＯＳ型ＩＣの製法等に応用可能である。シリコン窒化膜の代りにシリコン酸化窒化膜を用いてもよい。 （もっと読む）

本発明は、一般的には、基板上に高品質誘電体ゲート層を形成するように適合されている方法及び装置を提供する。実施形態は、標準窒化プロセスの代わりに金属プラズマ処理プロセスを用いて、基板上に高誘電率層を形成する方法を企図するものである。実施形態は、更に、二酸化シリコンのようなゲート誘電体層に対するイオン衝撃損傷を減少させるとともに金属原子の下に横たわるシリコンへの混入を避けるために比較的低エネルギーの金属イオンを“注入”するように適合された装置を企図するものである。一般に、プロセスには、高ｋ誘電体を形成するステップと、次に、堆積された物質を処理して、ゲート電極と高ｋ誘電物質との間の良好な接合部を形成するステップとを含む。実施形態は、また、高ｋ誘電物質を形成し、高ｋ誘電物質の表面を終了させ、望ましい後処理ステップを行い、ゲート層を形成するように適合されているクラスタツールを提供するものである。 （もっと読む）