【課題】所望の仕事関数を得ると共にトランジスタの駆動力を劣化させない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された界面層５と、界面層５の上に形成された高誘電率ゲート絶縁膜６と、高誘電率ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極とを備える。高誘電率ゲート絶縁膜６はランタンを含有し、高誘電率ゲート絶縁膜６におけるゲート電極との界面に含まれているランタンの濃度は、高誘電率ゲート絶縁膜における界面層との界面に含まれているランタンの濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、モニタウェハＭ１の裏面と第１の製品ウェハ＃２の表面を対向させ、且つ第１の製品ウェハ＃２の裏面と第２の製品ウェハ＃３の表面を対向させ、且つモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの裏面にシリコン窒化膜２３が形成された状態で熱酸化処理装置内に配置し、熱酸化処理装置によってモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２バリア膜１３の形成後に、ＳｉＨ_４を含むガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、Ｃｕ層２０上にＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層２１が積層される。犠牲層２１にＳｉおよびＯが含まれるので、犠牲層２１の積層過程で、Ｃｕ層２０と犠牲層２１との界面にＭｎＳｉＯからなる反応生成膜２２が生じる。この反応生成膜２２の生成にＭｎが使用されることにより、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体薄膜の信頼性評価において、絶縁破壊の確率過程にシリコンウェーハ表面の品質状態を数理統計的に組み込ませる。
【解決手段】 シリコンウェーハ上に形成した絶縁体薄膜をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションする絶縁破壊寿命シミュレーション方法は、絶縁破壊の測定条件を設定するステップ、ウェーハ表面欠陥の分布および欠陥サイズを設定するステップ、絶縁体薄膜をセルにメッシュ分割し上記表面欠陥をセルにくり込むステップ、絶縁体薄膜の絶縁破壊に至る時間の基準尺度を算出するステップ、シリコンウェーハ上に設定する全キャパシタに亘りそれ等の絶縁体薄膜の絶縁破壊の確率過程をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションするステップ、全キャパシタの絶縁破壊について統計処理するステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】溝の側面に対する合金膜の付着性（サイドカバレッジ）を向上させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８は、バイアススパッタ法により形成される。そして、そのバイアススパッタ法による合金膜１８の形成時には、第２溝１１およびビアホール１２の内面に向けて飛散するスパッタ粒子のエネルギーにより、第２溝１１およびビアホール１２の底面に付着しているスパッタ粒子が弾き飛ばされ、その弾き飛ばされたスパッタ粒子が第２溝１１およびビアホール１２の側面に再付着（リスパッタ）するように、スパッタ粒子を加速するためのＲＦバイアスが設定される。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた第１の下層絶縁膜２０ａと、第１の下層絶縁膜上に設けられた第１の中間絶縁膜３０ａと、第１の中間絶縁膜上に設けられた第１の上層絶縁膜４０ａと、第１の上層絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極５０ａと、を有するメモリセルトランジスタ１００ａと、半導体基板上に設けられた第２の下層絶縁膜２０ｂと、第２の下層絶縁膜上に設けられた第２の中間絶縁膜３２ｂと、第２の中間絶縁膜上に設けられた第２の上層絶縁膜４０ｂと、第２の上層絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極５０ｂと、を有するセレクトトランジスタ１００ｂと、を備え、第２の中間絶縁膜３２ｂのトラップ密度は、第１の中間絶縁膜３０ａのトラップ密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 熱処理を行う際に、半導体基板の裏面側からの半導体構成原子の昇華を防止し得る半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０にゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、半導体基板の表面側及び裏面側を覆うように絶縁膜１２を形成する工程と、半導体基板の表面側の絶縁膜をエッチング除去する工程と、半導体基板の裏面側に絶縁膜が存在している状態で、半導体基板を熱処理する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中で金属膜１０３を希ガスプラズマに暴露することで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属シリケート膜１０４を形成する第４の工程と、を備える。希ガスプラズマは金属膜１０３を構成する金属原子の原子量に最も近い原子量を有する希ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタによりシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中での加熱を行うことで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属原子とシリコン原子と酸素原子とを含む金属シリケート膜１０４を形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、熱処理中のガス分布を改善する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、基板を処理する装置であって、処理空間を画定するチャンバ本体と、処理空間内に配置され、基板を支持して回転させる基板支持体と、チャンバ本体の入口に結合され、処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリと、チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリとを含み、ガス入口アセンブリおよび排出アセンブリがチャンバ本体の両側に配置され、また排出アセンブリが、処理空間を拡張する排出空間を画定する装置を提供する。
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【課題】酸化シミュレーションにおける応力分布計算の精度の劣化を抑えることができる半導体酸化工程の応力分布計算方法を提供する。
【解決手段】酸化種１０４の拡散方程式を解くことによりシリコン１００の酸化に関する物理分布情報を取得し、半導体素子１１２の領域を等間隔で複数の補助メッシュ３２に分割した補助メッシュ空間を設定し、物理分布情報を補助メッシュ３２に設定して応力分布を計算し、応力分布を平均化した平均化応力分布を計算し、半導体素子１１２の領域を非等間隔で複数の実メッシュ３４に分割した実メッシュ空間を設定し、補助メッシュ空間における平均化応力分布を実メッシュ空間における応力分布に変換し、変換後の応力分布に基づいて、半導体素子１１２の形状を更新する。 （もっと読む）

【課題】配線間におけるリーク電流の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１は、ＳｉＯ₂からなる。層間絶縁膜１には、その上面から掘り下がった溝２ａ，２ｂが形成されている。この溝２ａ，２ｂには、ＣｕＭｎからなる配線４ａ，４ｂが埋設されている。層間絶縁膜１および配線４ａ、４ｂ上には、ＳｉＯ₂からなるバリア形成用膜５が積層されている。バリア形成用膜５上には、パッシベーション膜６が積層されている。また、配線４ａ，４ｂと層間絶縁膜１およびバリア形成用膜５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜３ａ，３ｂが介在されている。このバリア膜３ａ，３ｂによって、配線４ａ，４ｂの全面が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】安定かつ良好な制御性をもって薄膜を形成する。
【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を処理する処理室４１と、処理室４１内に原料ガスを供給する原料ガス供給管５６Ａ、５６Ｄと、処理室４１内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給管５９Ｂとを備えており、処理室４１内にオゾンガスを供給してウエハ２の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、原料ガスの供給とオゾンガスの供給とを連続して複数回繰り返すことで、シリコン酸化膜上に高誘電率膜を形成する。一つの処理室内で連続して界面層としてのシリコン酸化膜とハフニウムシリケート膜を形成できるので、効率的に極薄いシリコン酸化膜を界面にもつハフニウムシリケート膜を形成できる。
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【課題】ゲート絶縁膜に形成されたダングリングボンドを効果的にキュアリングして向上した電気的特性を確保しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上にゲート構造物１１０が形成される。ゲート構造物１１０の形成された基板１００に水素を含むガス雰囲気下で第１熱処理が行われる。基板１００上に金属配線が形成される。これによって、ゲート絶縁膜パターン１１２のダングリングボンドがキュアリングされ、信頼性のある半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極または制御ゲート電極の特性ばらつきを可及的に抑制し、トンネル絶縁膜の信頼性の低下を防止し、かつストレス誘起リーク電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体層を有する基板１と、半導体層に対向して設けられた一対の第２導電型のソース／ドレイン領域１２と、ソース／ドレイン領域間の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜上に設けられ、ソース／ドレイン領域が対向する方向に沿って亜粒界１７が形成された単結晶の半導体を含む浮遊ゲート電極１６と、浮遊ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜１８と、第２の絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極２０と、を有するメモリセルと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。
【解決手段】ゲート絶縁膜１１の上面及び下面をフッ素原子によって終端した後、ゲート絶縁膜１１の上面をエッチングすることにより、ゲート絶縁膜１１の上面に新たなダングリングボンドを形成し、その新たなダングリングボンドを窒素原子によって終端させる。これにより、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１１を有し、ゲート絶縁膜１１は、上面のダングリングボンドがほぼ全体的に窒素原子で終端されており、シリコン基板１０と接する下面のダングリングボンドがほぼ全体的にフッ素原子で終端された半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】厚さが異なる２種類以上のゲート絶縁膜を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に酸化シリコン膜７を形成し、次いで厚いゲート絶縁膜を形成する領域Ａを覆ったフォトレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの酸化シリコン膜６，７を除去した後、フォトレジストパターン８および酸化シリコン膜７を除去し、続いて熱酸化処理を半導体基板１に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）