本明細書では、相互接続を含む半導体デバイスおよびアセンブリ、ならびにそのような相互接続を形成するための方法が開示される。半導体デバイスを製造する方法の一実施形態は、行および列に配列された複数のダイを有するモールドされたウェーハのモールドされた部分に、中間深度まで複数の第一の面のトレンチを形成するステップを含む。本方法は、第一の面のトレンチと一直線に合わせた領域におけるモールドされた部分の第二の面から材料を除去するステップをも含み、材料を除去するこのステップは、モールドされた部分を貫通する開口を形成する。本方法は、モールドされた部分の第二の面において、開口で複数の電気的接点を形成するステップと、第二の面の接点を、ダイ上の対応するボンド部位へと電気的に接続するステップとを、さらに含む。
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パッケージ工程中に集積回路ダイ（３８）を保持するための構造は、支持基板（４２）、同支持基板（４２）に取着されて離型フィルム（４４）、及び膨潤剤（６０）を含む。ダイ（３８）をパッケージングする方法は、活性面（４２）及びボンドパッド（５４）を前記離型フィルム（４４）と接触させた状態で前記支持基板（４２）上にダイ（３８）を配置する工程を含む。膨潤剤（６０）は、離型フィルム（４４）の接着性コーティング（５０）上に塗布される。膨潤剤（６０）は、ボンドパッド（５４）と接触するように接着性コーティング（５０）を膨張させること、及びダイ（３８）の周囲に接着性コーティング（５０）の隅肉を形成することの何れか一つを生じさせる。ダイ（３８）は成型材料（７２）内でカプセル化され、ダイ（３８）のパネル（７４）として基板（４２）から分離される。ボンドパッド（５４）の周囲における接着性コーティング（５０）の膨張が、成型材料（７２）がボンドパッド（５４）上に漏れることを防止する。
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半導体アセンブリは、ヒートシンクを有する第１のサブアセンブリを含む。はんだ材料が、ヒートシンクの第１の表面の露出部分に配置される。パワー半導体ダイが、ヒートシンクの第１の表面に配置され、はんだ材料によりヒートシンクに熱的に結合される。パッケージングパターンポリマー層が、第１の表面に対向するヒートシンクの第２の表面に配置され、ヒートシンクの内面部分を画定する。ヒートシンクの第２の表面の内面部分が半導体パッケージにより囲まれないように、第１のサブアセンブリ、はんだ材料、およびダイが内部に配置された半導体パッケージが提供される。 （もっと読む）

【課題】テープ状基板の種類の変更に容易に対応できるテープ状基板用のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】テープ状基板１３の表面に格子状に形成された複数の電子部品構成部５に表面処理を施すプラズマ処理装置１において、プラズマ発生空間２を形成する外壁３ｂを備えたメインチャンバ３と、厚さ方向へ貫通する開口部２０ａを有する基部２０と基部２０に対して開閉自在な蓋部２１とを有し、蓋部２１で基部２０の開口部２０ａを閉じて密閉されたプラズマ処理空間４を形成するサブチャンバ６と、メインチャンバ３の外壁３ｂにサブチャンバ６の基部２０を着脱自在に装着する装着部を備え、装着部に装着された基部２０の開口部２０ａとプラズマ発生空間２とを連通させた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子２１が半導体素子２１の主面に固着された接着部材３１を介して半導体素子２０上に積層され、半導体素子２０搭載領域に於いて、接着部材３１の半導体素子２０と接する側の面積を半導体素子２１と接する側の面積よりも大なるものとし、半導体素子２１並びに接着部材３１の側面に傾斜構造を備える。当該傾斜構造により、封止用樹脂５０のトランスファー成形の際、積層された半導体素子２０、２１間に、封止用樹脂５０中の無機フィラーが侵入せず、半導体装置としての信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】角部の欠損が生じ難い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子を有する基板１０と、基板１０上に備えられた配線層２０とを有し、配線層２０は、絶縁層２５と、絶縁層２５を貫通して半導体素子に接続される第１電極（第１再配線部２１及び第１ポスト部２２）と、絶縁層２５を貫通する第２電極（第１再配線部２３及び第２ポスト部２４）とを有し、配線層２０の複数の角部はいずれも、配線層２０の厚さ方向の全幅において第２電極によって構成される。 （もっと読む）

【課題】取り扱いを容易としながらも基板を被覆する樹脂に欠けや剥がれが発生しにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】主面２ａに集積回路３を備える基板２と、パッド電極４を介して前記集積回路３と電気的に接続される再配線５と、該再配線５上に形成された電極端子６と、該電極端子６を外方に露出させるように前記再配線５を含む前記基板２の全面を封止する樹脂層７とを備えて略板状の外観をなす半導体装置１において、前記基板２の裏面２ｂを被覆した前記樹脂層７の裏面７ｂと前記基板２の裏面２ｂに交差する側面２ｃを被覆した前記樹脂層７の側面７ｃとの角部に、前記樹脂層７の裏面７ｂから側面７ｃに向けて傾斜する傾斜面７ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハを切断、分割して突起状電極を有する複数のデバイスに個片化するにあたり、レーザ光を切断予定ラインに照射した際に発生するデブリがウエーハの表面や突起状電極に付着することを効果的に防止する。
【解決手段】ウエーハ１の表面（層間絶縁膜層５の表面）にアンダーフィル材９を設けてバンプ４を被覆し、次いで、ウエーハ１の表面側から切断予定ライン２に沿ってレーザ光Ｌを照射して、切断予定ライン２上の層間絶縁膜層５およびアンダーフィル材９を除去し、このとき発生するデブリ７をアンダーフィル材９の上に付着させ、ウエーハ１の表面やバンプ４に付着させない。次いで、アンダーフィル材９の表層を切削してバンプ４を均一高さに切削し、かつバンプ４の先端を表出させる。 （もっと読む）

【課題】一対の金属板の間に半導体素子を挟んだものをモールド樹脂で封止した後、樹脂封止工程におけるワーク固定用のピンによって形成された穴部を封止材で封止してなる半導体装置の製造方法において、封止材とモールド樹脂との剥離を防止する。
【解決手段】ワーク１１０を支持するピンとして、その外周の側面のうち両金属板３、４の内面の間に対応する部位であって且つ第２の金属板４寄りの部位に段差を有するものを用いて樹脂封止工程を行うことによって、穴部１１として、ピンの段差に対応した部位に段差１１ａを有するものを形成し、封止材充填工程では、穴部１１の段差１１ａを越えないように穴部１１に封止材を充填する。 （もっと読む）

【課題】封止すべき部品の端部への樹脂供給量が不足して、当該部品および基板間の間隙への樹脂の浸透が起こらず濡れ広がってしまうことを防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、実装配線基板１０と、実装配線基板１０上に実装された半導体チップ２０と、実装配線基板１０および半導体チップ２０間の間隙に設けられたアンダーフィル樹脂３０と、実装配線基板１０上の半導体チップ２０の近傍に設けられ、アンダーフィル樹脂３０の上記間隙への流入を促す流入促進部４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置およびその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電基板11の下面にＩＤＴ電極とパッド電極と環状電極とが形成されるとともに上面の全体が樹脂膜31で被覆された弾性表面波素子が、絶縁基板41の上面に端子電極および環状導体が形成されるとともに下面に外部電極が形成された実装用基板の上面に、パッド電極と端子電極とを接続するとともに環状電極と環状導体とを接合しＩＤＴ電極を気密封止して実装され、かつ樹脂膜31の周囲から圧電基板11の側面を経て実装用基板の上面にかけて弾性表面波素子を被覆する保護樹脂32が樹脂膜31の上面を露出させて形成された弾性表面波装置である。圧電基板11の上面が樹脂膜31のみで被覆されているので、レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置である。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるスペーサの形成方法を実現することにある。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に平面的に並べられた複数の半導体チップ２０の、それぞれの半導体チップ２０にスペーサ５０を設けることを含み、複数のスペーサ５０を形成する工程を、基板１０上で一括して行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置に関し、大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する反りを低減することのできる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲む枠体２４と、複数の電極パッド３８が設けられた側の半導体チップ１４の面１４Ａと対向する底板２３とを備えた半導体チップ収容体１１を設けると共に、半導体チップ１４と底板２３との間隔Ｂを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｃよりも狭くして、半導体チップ１４と底板２３との間、及び電極パッド３８とはんだ１７との間にアンダーフィル樹脂１８を充填した。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ内の複数の半導体素子の結線数を増やし、なおかつ電気特性と熱伝導性を向上させ、さらに基板を連結部で折り曲げることによる、金ワイヤの接合部への応力を緩和するものである。
【解決手段】積層した第1の半導体素子１２および第２の半導体素子１３と、立体配線基板の各配線基板９を折り曲げることによって垂直に連結した複数の配線基板９とを金ワイヤ６で直接結線する。所定の配線基板９に金属板またはセラミック板からなる板材１７を張り合わせて高い電気特性と高い放熱性を得る。さらに、金ワイヤ６同士が近接せず電気的相互干渉の影響を低下させる。また、金ワイヤ６の接合部１５へ絶縁性樹脂１４を塗布し、折り曲げによる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハーレベルCSPパッケージにおける銅ポスト等形成のためのコスト高の課題と、半導体の積層化された回路形成のための感光性層間絶縁膜のコスト高の課題を簡便な形成方法により解決する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ７に封止樹脂５をインクジェット方法によって塗布すると同時に開口部４形成を行い、開口された部分に直接外部端子６を接合することにより、銅ポストなる材料と形成プロセスを省いた、低コストな半導体ウエハーレベルCSPパッケージ。また半導体チップの積層化された回路形成上の上下導通配線の形成において上下配線間の絶縁膜の形成をインクジェット方法により塗布すると同時に開口部形成を行い、開口された部分において下部配線と上部配線とを形成し上下導通配線とすることで安価な層間絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バッファ層など樹脂層の印刷時に印刷用マスクに残留する樹脂ペーストを容易に除去できる印刷用マスクの拭き取り装置及び拭き取り方法を提供する。
【解決手段】被印刷物に樹脂層を印刷する印刷用マスク１０に残留した樹脂ペースト１１ｒを拭き取る印刷用マスクの拭き取り装置であり、保持部とスクレーパＳＣと拭き取り部Ｈを有し、保持部は、印刷時に被印刷物側に向けられる印刷用マスクの一方の面を下向きにして印刷用マスクを保持し、スクレーパは、印刷用マスクの他方の面上に残留した樹脂ペーストを印刷用マスクから掻き落とし、拭き取り部は、印刷用マスクの一方の面側から所定の領域で接触するように押し当てられ、一方の面上を摺動して、印刷用マスクの一方の面側から樹脂ペーストを拭き取り、ここで、スクレーパの樹脂ペーストの掻き落とし位置が所定の領域内となるように、スクレーパと拭き取り部が同期して動く構成とする。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体基板の裏面と側面を保護・補強できるとともに、個片化のときの保護材のはがれや欠けによる問題を回避する。
【解決手段】個片化された半導体基板２の一方の面３に電極を備え、該半導体基板２の他方の面４及び側面５には、同一部材からなる保護層６が形成されている半導体装置１とする。このような保護層６は、個片化された半導体基板２を覆うように保護層を構成する材料１６を塗布したのち、個片化された半導体基板２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を用いて基台１１上の半導体基板２が凹部１８内に入るように基台１１との間でプレス加工することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】製品歩留まりを向上させることが可能な半導体素子の切り出し方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２が所定の幅を有する間隙部を介してマトリクス状に複数形成されてなる半導体ウエハＷを切断して前記半導体素子を複数得る半導体素子の製造方法であって、前記間隙部に、前記所定の幅以下の厚さを有する第１の切断刃１４で切り込み溝１６を形成する切り込み溝形成工程と、前記切り込み溝に樹脂２０を充填して硬化させる樹脂充填工程と、該樹脂充填工程で硬化した前記樹脂を、前記第１の切断刃よりも薄い第２の切断刃２２で前記切り込み溝が延在する方向に沿って切断することによって、前記樹脂からなる外形保護樹脂層４を前記半導体素子の各切断面に均一な厚さで形成する外形保護樹脂層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】第１半導体チップと第２半導体チップの間に樹脂を充填した後、はみだした樹脂を効率的に除去することで第２実装を問題なく行えるようにする。
【解決手段】１つないし複数の第２半導体チップ１２からなる第２半導体ウェハ２０の表面上に、それぞれの第２半導体チップ１２に対応して第１半導体チップ１１をフリップチップによりそれぞれ接合して第１接合部Ｃ１を形成する。第２半導体ウェハ２０表面上に樹脂１３ａを供給して当該樹脂１３ａを第１半導体チップ１１と第２半導体チップ１２の間に充填する。第１半導体チップ１１と第２半導体チップ１２の間以外の樹脂を除去する。第２半導体ウェハ２０を予め定められた切断ライン２５に沿って切断する。 （もっと読む）

【課題】実装時の半導体基板のチッピングが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、半導体基板１１と、半導体基板１１の側面を被覆する第１被覆層２１と、半導体基板１１の下面に形成された配線１４等を具備している。第１被覆層２１は、例えば樹脂材料等の絶縁性を有する材料から成り半導体基板１１の側面を被覆している。更に、第１被覆層２１は少なくとも半導体基板１１の側面全域を被覆するように形成され、その下端は絶縁層１２まで位置し、上端は半導体基板１１の上面まで延在している。第１被覆層２１の厚みは、１０μｍ〜５０μｍ程度である。また、第１被覆層２１は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等から成り、放熱性および機械的強度を向上させるためにシリカ等の無機フィラーが混入されても良い。 （もっと読む）