半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子２１が半導体素子２１の主面に固着された接着部材３１を介して半導体素子２０上に積層され、半導体素子２０搭載領域に於いて、接着部材３１の半導体素子２０と接する側の面積を半導体素子２１と接する側の面積よりも大なるものとし、半導体素子２１並びに接着部材３１の側面に傾斜構造を備える。当該傾斜構造により、封止用樹脂５０のトランスファー成形の際、積層された半導体素子２０、２１間に、封止用樹脂５０中の無機フィラーが侵入せず、半導体装置としての信頼性が向上する。
【解決手段】半導体素子２１が半導体素子２１の主面に固着された接着部材３１を介して半導体素子２０上に積層され、半導体素子２０搭載領域に於いて、接着部材３１の半導体素子２０と接する側の面積を半導体素子２１と接する側の面積よりも大なるものとし、半導体素子２１並びに接着部材３１の側面に傾斜構造を備える。当該傾斜構造により、封止用樹脂５０のトランスファー成形の際、積層された半導体素子２０、２１間に、封止用樹脂５０中の無機フィラーが侵入せず、半導体装置としての信頼性が向上する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に複数の半導体素子が積層されて構成される所謂チップ積層型半導体装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル家電機器（携帯電話機、デジタルスチルカメラ他）などの電子機器にあっては、その高機能化と共に、より小型化、高速動作化が求められている。
この為、当該電子機器に搭載される半導体装置に対しても、更なる高機能化、高速化並びに小型化が求められており、その一つの手段として、支持部材上に複数個の半導体素子（半導体チップ）を積層して配置してなる半導体装置が実用化されている。
【０００３】
当該半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）としては、回路基板などの支持基板上に半導体素子を複数個積層したもの（例えば、特許文献１参照）、あるいはリードフレームのダイステージ上に複数の半導体素子を積層したもの（例えば、特許文献２参照）などがある。
【０００４】
回路基板などの支持基板上に複数個の半導体素子を積層してなるチップ積層型半導体装置の一例を、図２０に示す。
当該チップ積層型の半導体装置２００にあっては、回路基板２０１上に、２個の半導体素子２０２、２０３がそれぞれ接着部材２０４、接着部材２０５を介して積層されて搭載されている。
【０００５】
当該半導体素子２０２、半導体素子２０３に配設された電極パッド２０６、２０７と、回路基板２０１に配設された配線層２０８、２０９との間は、ボンディングワイヤ２１０、２１１により接続されている。そして、これらの半導体素子２０２、半導体素子２０３並びにボンディングワイヤ２１０、２１１は、封止用樹脂２１２により封止されている。
【０００６】
この様な半導体装置２００の製造工程では、生産性を向上させるために、半導体素子２０２、半導体素子２０３を回路基板２０１に搭載する前に、予め、半導体素子２０２の裏面に接着部材２０４を、また、半導体素子２０３の裏面に接着部材２０５を配設させておく工程が適用される。
【０００７】
例えば、半導体素子２０２が形成された半導体基板の裏面に予め熱可塑性の接着部材２０４を配設し、一方、半導体素子２０３が形成された半導体基板の裏面には予め接着部材２０５を配設しておき、これらの半導体基板のダイシング処理の際に、接着部材２０４あるいは接着部材２０５を、個片化された半導体素子２０２、半導体素子２０３の裏面に配設する。
【０００８】
そして、回路基板２０１上に、半導体素子２０２、半導体素子２０３を順次搭載する。
その後、トランスファーモールド法などを適用し、封止用樹脂２１２により封止する。
【特許文献１】特開平１１−２０４７２０号公報
【特許文献２】特開平１−２３５３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、半導体素子の裏面に配設された前記接着部材の素材によっては、前記封止用樹脂２１２のトランスファー成形時の圧力により、当該封止用樹脂２１２中に含有される無機フィラーが、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間に在る接着部材２０５内に入り込んでしまう場合がある。
【００１０】
封止用樹脂２１２中の無機フィラーが、接着部材２０５内に入り込む現象を、図２１を用いて説明する。
トランスファー成形時、前記接着部材２０５も加熱される。従って、かかる接着部材２０５が熱可塑性樹脂である場合、あるいは半硬化状態にある場合であっても、当該接着部材２０５は低弾性率状態にある。
【００１１】
従って、トランスファー成形の際の圧力により、封止用樹脂２１２に含まれる無機フィラー２１３の一部、例えば無機フィラー２１３Ａが、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間にある接着部材２０５内に入り込んでしまう場合がある。
【００１２】
当該無機フィラーは、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる。
かかる無機フィラー２１３Ａの入り込みは、半導体素子２０２、半導体素子２０３に対する樹脂注入ゲートの位置などに対応することなく、接着部材２０５の表出部全周にわたって生じ得る。
【００１３】
この様に、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間に当該無機フィラー２１３Ａが挟まれた状態をもってトランスファー成形を終了すると、封止用樹脂２１２が硬化・収縮する際に、半導体素子２０２と半導体素子２０３間には圧縮応力が働く。
【００１４】
この時、無機フィラー２１３Ａ部に、内部応力が集中してしまう。
この為、当該無機フィラー２１３Ａの直下に位置する半導体素子２０２の活性領域（電子回路形成領域）２０２ａに、クラックなどの損傷を生じてしまう。
【００１５】
また、半導体装置２００の構成部材は、それぞれ異なる熱膨張率を有している。
従って、トランスファー成形を行った際には損傷の発生が無くとも、その後の製造工程、あるいは半導体装置としての動作時に、昇温並びに降温の熱ストレスが加わることによって、半導体素子２０２の活性領域２０２ａに損傷が生じ、更に当該損傷が拡大してしまう場合もある。
【００１６】
特に、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間隔、即ち接着部材２０５の厚さにほぼ等しい外形寸法を有する無機フィラー２１３が挟まれた場合には、かかる損傷をより生じ易い。
【００１７】
この様なフィラーの入り込みによる損傷の発生を防止する方法として、接着部材２０５としてペースト状の熱硬化性接着材を用い、半導体素子２０２上に当該ペースト状の熱硬化性接着部材を塗布した後、半導体素子２０３を積層搭載する。そしてトランスファー成形前に、当該ペースト状の当該熱硬化性接着部材を硬化させておくことも考えられる。
【００１８】
かかる方法によれば、トランスファー成形時、接着部材２０５が既に硬化しているので、半導体素子間へのフィラーの入り込みを防止することができる。
しかしながら、この方法は生産性を高めることができず、製造コストが上昇してしまう。
【００１９】
また、当該ペースト状の熱硬化性接着部材を用いる場合、半導体素子２０２上に塗布する際に、半導体素子２０２の電極パッド２０６に当該接着部材が付着しないように、その塗布位置、塗布量、粘度等を高精度に制御する必要がある。従って、生産性の低下に加えて、製造歩留まりが低下してしまう恐れもある。
【００２０】
本発明の対象とする半導体素子積層型半導体装置の主要用途であるデジタル家電機器の分野では、製造コストの上昇は大きな問題となる。
従って、半導体素子２０３を半導体素子２０２上に搭載する接着部材２０５として、かかるペースト状の熱硬化性接着材は適切でない。
【００２１】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、接着部材として、熱可塑性樹脂を用いた場合、あるいは接着部材が半硬化状態にある場合でも、トランスファー成形時、封止用樹脂中に含有されている無機フィラーが積層された半導体素子間に侵入することのない、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明では上記課題を解決するために、支持基板と、前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備し、前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２３】
このような半導体装置によれば、支持基板上に、第１の半導体素子が配設され、外周端部の少なくとも一部が第１の半導体素子の活性領域上に位置して、第１の半導体素子上に接着部材を介して第２の半導体素子が配設され、第１の半導体素子及び第２の半導体素子が封止用樹脂で封止される。そして、接着部材の第１の半導体素子と接する面積が、第２の半導体素子と接する面積よりも大となる。
【００２４】
また、本発明では、支持基板と、前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備し、前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２５】
このような半導体装置によれば、支持基板上に第１の半導体素子が配設され、外周端部の少なくとも一部が第１の半導体素子の活性領域上に位置して、第１の半導体素子上に接着部材を介してスペーサが配設され、スペーサ上に第２の半導体素子が配設され、第１の半導体素子、スペーサ及び第２の半導体素子が封止用樹脂で封止される。そして、接着部材の第１の半導体素子と接する面積が、スペーサと接する面積よりも大となる。
【００２６】
また、本発明では、支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２７】
このような半導体装置の製造方法によれば、支持基板上に第１の半導体素子が配設され、複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板が接着部材を介して支持体上に配置され、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、半導体基板がダイシング処理され、第２の半導体素子が接着部材と共に個片化され、第２の半導体素子が接着部材を介して、第１の半導体素子上に搭載され、第１の半導体素子及び第２の半導体素子とが樹脂封止される。
【００２８】
さらに、本発明では、一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２９】
このような半導体装置の製造方法によれば、一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材が準備され、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、板状スペーサ部材が接着部材と共にスペーサに個片化され、スペーサが接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載され、スペーサ上に、第２の半導体素子が搭載され、第１の半導体素子、スペーサ及び第２の半導体素子とが樹脂封止される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）に於いて、封止用樹脂の被覆の際、当該封止用樹脂中に含まれているフィラー材が、積層されている半導体素子間に侵入して半導体素子の活性領域への損傷が防止される。
【００３１】
これにより、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）を、高い製造歩留りをもって形成することができ、更に当該半導体装置は高い信頼性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態である、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１００を、図１に示す。
【００３３】
図１（Ｂ）は、平面形状を示す図１（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１（Ａ）にあっては、樹脂封止体の表示を省略している。
当該半導体装置１００にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、接着部材３１を介して第２の半導体素子２１が搭載・固着されている。
【００３４】
当該第２の半導体素子２１は、第１の半導体素子２０よりも小なる外形寸法を有し、その外周縁部（エッジ部）が、第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。
【００３５】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４０によって、また、前記第２の半導体素子２１の電極パッド２１ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４１によって接続されている。
【００３６】
これら第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆・封止されている。
【００３７】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
そして、当該第１の実施の形態に於ける半導体装置１００にあっては、その特徴的構成として、前記第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該接着部材３１を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、垂直方向に立ち上がっておらず、当該第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【００３８】
かかる傾斜面は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられている。
従って、接着部材３１は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２１の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【００３９】
かかる構成に於いて、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１は、シリコン（Ｓｉ）あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層を含む活性領域（電子回路形成領域）が形成されて構成されている。
【００４０】
また、前記回路基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材とし、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に配設された導電層を具備している。
【００４１】
当該導電層は、銅（Ｃｕ）を主体とし、回路基板の表面及び／あるいは裏面に配設された前記電極端子及び前記電極ランドに接続されている。尚、前記電極端子及び前記電極ランドは、当該導電層の一部として形成されてもよく、また、前記電極端子の表面は下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【００４２】
当該回路基板１０は、支持基板、配線基板あるいはインターポーザとも称される。
また、前記接着部材３０、並びに接着部材３１は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体として構成される。
【００４３】
両接着部材は、同一材料から形成されてもよく、または異種材料をもって形成されてもよい。尚、接着部材３０には、必要に応じて銀（Ａｇ）等の導電性粒子を含有させてもよい。
【００４４】
また、前記ボンディングワイヤ４０、４１は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらの何れかを含む合金からなる金属細線をもって形成される。
更に、前記封止用樹脂５０としては、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有するエポキシ系樹脂が適用され、封止方法としては所謂トランフファーモールド法が適用される。
【００４５】
前記図１に示す、本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００の要部断面を、図２に示す。
即ち、上面に活性領域（電子回路形成領域）２１ｂが形成されている第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面２１ｃ、並びに当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面３１ｃは、当該第１の半導体素子２０上面から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θを有し、且つ連続する傾斜面Ｓをもって形成されている。
【００４６】
当該傾斜角θは、３０〜６０°とされる。
かかる傾斜面Ｓは、当該接着部材３１と第２の半導体素子２１の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【００４７】
従って、当該接着部材３１は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２１の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【００４８】
この様に、少なくとも接着部材３１が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３１の傾斜面Ｓに当接することとなる。
尚、部位２１ｄは、第２の半導体素子２１の上面端部であり、また、部位３１ｄは、接着部材３１の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
【００４９】
この様な、外周縁部（エッジ部）側面への傾斜面Ｓの設定によってもたらされる効果について、図３並びに図４を用いて説明する。
即ち、前記従来の半導体装置にあっては、図３（Ａ）に示される様に、半導体素子２０３の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２０３を前記半導体素子２０２上に固着する接着部材２０５の外周縁部（エッジ部）側面が、半導体素子２０２上面からほぼ垂直方向に立ち上がっている。
【００５０】
従って、当該接着部材２０５の側面に位置し、当該接着部材２０５に当接する無機フィラー２１３Ａに対するトランスファー成形の際の圧力Ｆは、当該接着部材２０５の側面に垂直な方向に印加される。
【００５１】
従って、かかる接着部材２０５が熱可塑性樹脂である場合あるいは半硬化状態にある樹脂である場合には、当該接着部材２０５は低弾性率状態にあることから、外形寸法が当該接着部材２０５の厚さと同等あるいはこれよりも小である無機フィラー２１３Ａは、当該接着部材２０５中へ容易に侵入し、半導体素子２０３と半導体素子２０２との間に位置してしまう。
【００５２】
これに対し、本発明の第１の実施の形態にあっては、図３（Ｂ）に示される様に、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θをなす傾斜面Ｓを有して形成されている。
【００５３】
従って、接着部材３１の端部に位置し、当該接着部材３１に当接する無機フィラー５１Ａに対するトランスファー成形の際の圧力Ｆは、矢印ｆ１、ｆ２にて示す如く分散される。
【００５４】
かかる応力の分散より、無機フィラー５１Ａから接着部材３１に対する応力が緩和され、かかる接着部材３１が熱可塑性樹脂である場合あるいは半硬化状態にある樹脂である場合であっても、当該接着部材３１中への無機フィラー５１Ａの入り込み、侵入が防止される。
【００５５】
また、かかる本発明の第１の実施の形態にあっては、第２の半導体素子２１並びに接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に、連続した傾斜面Ｓが形成されている。この為、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際、かかる傾斜面Ｓ近傍にあっては無機フィラー５１の流動が制限されない。
【００５６】
従って、無機フィラー５１の停滞が防止され、この点からも無機フィラー５１の接着部材３１中への入り込み、侵入を防止することができる。
本発明の第１の実施の形態にあって、前記第２の半導体素子２１を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、傾斜面Ｓとされたことによる他の利点を、図４を用いて説明する。
【００５７】
当該第１の実施の形態にあっては、接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面に連続する如く、傾斜面Ｓを有して形成されている。
【００５８】
従って、当該接着部材３１は、図４（Ａ）に示される如く、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）よりも、寸法ｄをもって外側に延出している。
これにより、図４（Ｂ）に示す様に、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３１に侵入したとしても、接着部材３１の端部が寸法ｄにわたり外側に延出している分、第２の半導体素子２１の下、即ち、当該半導体素子２１と第１の半導体素子２０との間に到達し難い。
【００５９】
即ち、トランスファー成形時に於いて、無機フィラー５１Ａの移動距離を寸法ｄの値分長くすることによって、無機フィラー５１の第２の半導体素子２１の下への侵入を抑制することができる。
【００６０】
この様な作用により、トランスファー成形中に、封止用樹脂５０に含まれる無機フィラー５１が第２の半導体素子２１と第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂとの間に到達することが防止され、当該無機フィラー５１の存在に基づく第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生を防止することができる。
【００６１】
尚、第２の半導体素子２１並びに接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜角θは、３０〜６０°の範囲に設定される。
この傾斜角θが小さければ、封止用樹脂５０からの応力をより分散させ、且つ接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部を、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）端部から、より遠い位置とすることができる。
【００６２】
しかしながら、傾斜角θを３０°よりも小さなものとすると、複数個の半導体素子２１が形成された半導体基板を個片化する際、スクライブ領域幅（切断しろ）を大きく確保する必要性が生じ、半導体素子２１の取り数が減少する。その結果、半導体装置の生産性が低下してしまう。従って、傾斜角θは、３０°以上に設定することが好ましい。
【００６３】
一方、前記傾斜角θを６０°よりも大きなものとすると、接着部材３１の端部３１Ｅに於いて封止用樹脂５０から受ける応力を充分に分散させることが困難となる。従って、傾斜角θは、６０°以下に設定することが好ましい。
【００６４】
次に、第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１が回路基板１０上に搭載される工程を含む半導体装置１００の製造方法を、図５〜図８を用いて説明する。
尚、図５〜図８に於いては、前記図１に於いて説明した部材と同一の部材には同一の符号を付している。
【００６５】
前記第２の半導体素子２１の裏面に、接着部材３１を配設する工程を、図５に示す。
まず、第２の半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面（半導体素子２１に於ける電子回路形成面とは反対側の面）に、シート状の接着部材３１を位置させる（図５（Ａ）参照）。
【００６６】
当該接着部材３１は、例えばポリイミド系樹脂あるいはエポキシ系樹脂を主成分としている。
そして、接着部材３１を半導体基板２１ＷＦの裏面に、例えばロール式ラミネート法によって貼り合わせて固着する（図５（Ｂ）参照）。
【００６７】
本実施の形態に於ける半導体装置の製造方法にあっては、生産性を向上させるために、この段階で接着部材３１を半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面に配設しておく。尚、接着部材３１は、常温時または加熱時にタック性（粘着性）を有している。
【００６８】
尚、接着部材３１を、半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面に配設する方法としては、上記貼り合わせ方法の他、ペースト状の接着部材３１を用い、スピンコート法によって半導体基板２１ＷＦの裏面全面に塗布し、固化あるいは半硬化せしめる方法をとることもできる。
【００６９】
しかる後、前記半導体基板２１ＷＦを、その半導体素子形成部を上側として、ダイシングシート６１にマウントし、リングフレーム６０に固定する（図５（Ｃ）参照）。
次いで、前記リングフレーム６０にダイシングシート６１を介して支持された半導体基板２１ＷＦをダイシング装置のテーブル（図示せず）上に搭載し、回転式のダイシングブレード６２を用いて、個々の半導体素子２１に切断・分離する（図６参照）。
【００７０】
尚、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に於いて破線円に囲まれた部分を拡大して示す。
当該ダイシングブレード６２は、半導体基板２１ＷＦの表面から、ダイシングシート６１に至るように当該半導体基板２１ＷＦ及び接着部材３１を連続して、その厚さ方向に切断する。
【００７１】
図示される様に、ダイシングブレード６２は、そのブレードの切削部６２ａに直線状の傾斜面Ｓｂを有する。即ち、その断面は、逆等脚台状に形成されている。
従って、当該切削部６２ａによって切断され、個片化される半導体素子２１並びに接着部材３１には、その外周縁部（エッジ部）側面に、連続する傾斜面Ｓが形成される。即ち、ブレードの切削部６２ａに於ける傾斜面Ｓｂに対応して、傾斜面Ｓが形成される。
【００７２】
この様に個片化された第２の半導体素子２１は、前記第１の半導体素子２０と共に、回路基板１０上に積層されて搭載される。
尚、第１の半導体素子２０も、第２の半導体素子２１と同様の工程ももって、その裏面に予め接着部材３０が配設されている。
【００７３】
尚、当該第１の半導体素子２０が複数個形成された半導体基板をダイシング処理する際には、第２の半導体素子を個片化する際に用いられたところの切削部に傾斜面が設けられたダイシングブレードを適用する必要は無い。
【００７４】
これら第１の半導体素子２０、及び第２の半導体素子２１の積層工程を、図７をもって説明する。
即ち、回路基板１０の一方の主面に、まず第１の半導体素子２０を搭載・固着する。
【００７５】
当該第１の半導体素子２０は、前述の如く、その裏面に予め接着部材３０が配設されており、ボンディングツール７０に吸着・保持されている。
また、回路基板１０は、ボンディングステージ（図示せず）上に吸着・保持され、必要に応じて、例えば５０℃〜１５０℃に加熱されている。
【００７６】
そして、当該第１の半導体素子２０を回路基板１０に対向させ、矢印の方向に第１の半導体素子２０を回路基板１０に対し、降下せしめる（図７（Ａ）参照）。
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に抗してボンディングツール７０により押圧し、回路基板１０に若干荷重を与える。
【００７７】
かかる荷重の印加により、当該第１の半導体素子２０は、その裏面に固着させた接着部材３０のタック性（粘着性）により、回路基板１０上に固着される（図７（Ｂ）参照）。
尚、接着部材３０のタック性（粘着性）は、回路基板１０を通しての加熱により発現させてもよい。
【００７８】
また、ここでは接着部材３０を予め第１の半導体素子２０の裏面に配設しているが、これに代えて、接着部材３０を予め回路基板１０上に、貼付けあるいは塗布等により配設しておき、第１の半導体素子２０を回路基板１０上に搭載してもよい。
【００７９】
この結果、当該第１の半導体素子２０は、その活性領域（電子回路形成領域）形成面を上として、回路基板１０上に固着される。
次いで、前記第１の半導体素子２０上に、第２の半導体素子２１を搭載する。
【００８０】
即ち、ボンディングツール７１によって吸着・保持された第２半導体素子２１を、第１の半導体素子２０に向かって降下させ、当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０上に、接着部材３１のタック性（粘着性）により接着する（図７（Ｃ）参照）。
【００８１】
尚、第２の半導体素子２１の搭載は、回路基板１０及び第１の半導体素子２０を、例えば５０℃〜１５０℃に加熱しつつ行ってよい。かかる場合には、当該加熱によって接着部材３１のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【００８２】
かかる積層構造に於いて、第２の半導体素子２１は、前記第１の半導体素子２０よりも小型の半導体素子であり、その外周縁部（エッジ部）は、少なくともその一部が前記第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）形成面上に位置して搭載されている。
【００８３】
尚、搭載された第２の半導体素子２１、接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部には、前述の如く、連続する傾斜面Ｓが形成されている。
これらの工程により、第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１が回路基板１０上に積層して配設される。
【００８４】
この様に、回路基板１０の一方の主上に積層配置された第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１は、それぞれの表面に配設されている電極パッド２０ａ、２１ａと回路基板１０上の電極端子１０ａ、１０ｂとが、ボンディングワイヤ４０、４１により接続される（図８（Ａ）参照）。
【００８５】
しかる後、回路基板１０の一方の主面に搭載、配置された第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１、並びにボンディングワイヤ４０、４１等を被覆して封止用樹脂５０を被覆する（図８（Ｂ）参照）。
【００８６】
当該封止用樹脂５０の被覆方法として、所謂トランスファーモールド法を適用することができる。
かかるトランスファーモールド法を適用しても、本発明の特徴的構成、即ち第２の半導体素子２１、及び接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部に、傾斜角θを有する連続する傾斜面Ｓが形成されていることにより、当該第２の半導体素子２１下に配設された接着部材３１中への無機フィラーの入り込み、侵入を生じない。
【００８７】
当該樹脂モールド工程の後、回路基板１０の他方の主面（裏面）に配設されている電極ランド１０ｃ上に、外部接続端子を構成する半田バンプ１１をリフロー法により形成する（図示せず）。
【００８８】
この様な製造工程により、前記図１に示すところの、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造を有する半導体装置１００を形成する。
尚、当該半導体装置１００に於いては、半田バンプ１１の配設を省略し、電極ランド１０ｃを外部接続端子としたＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造としてもよい。
【００８９】
この様に、本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００にあっては、第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有して連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【００９０】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３１の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中に含まれる無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【００９１】
また、当該傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３１の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【００９２】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３１の端部が第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３１に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２１の下部に到達するための移動距離を大きくすることができる。
【００９３】
この様に、本第１の実施の形態によれば、無機フィラー５１の、接着部材３１の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【００９４】
また、本第１の実施の形態では、接着部材３０及び接着部材３１を、予め第１の半導体素子２０が形成された半導体基板の裏面に接着部材３０を、また、第２の半導体素子２１が形成された半導体基板の裏面に接着部材３１を、予め配設している。
【００９５】
従って、第１の半導体素子２０の回路基板１０上への搭載・固着工程、並びに第２の半導体素子２１の第１の半導体素子２１上への搭載・固着工程に於いては、接着部材３０及び接着部材３１の個別の配設が不要である。
【００９６】
当該接着部材３０並びに接着部材３１としては、熱可塑性樹脂を用いることができる。従って、タック性（粘着性）を生じる樹脂材料の選択が容易である。
上述の如く、本第１の実施の形態によれば、接着部材３１への無機フィラーの侵入が抑制・防止される為、封止用樹脂５０として、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることができる。
【００９７】
従って、当該封止用樹脂材料の流動性の調整が容易となり、半導体装置１００を樹脂封止する際、モールド成形金型への樹脂充填性を向上させることができる。
更に、封止用樹脂５０として、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることにより、硬化後の封止用樹脂の熱膨張率の調整が容易となる。
【００９８】
従って、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１と、回路基板１０との熱膨張率のミスマッチングによる応力集中を緩和することができる。
また、前記第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜面Ｓの傾斜角θは、ダイシングブレード６２の切削部６２ａの先端形状を変更することにより容易に調整することができる。
【００９９】
従って、製造工程あるいは半導体装置としての構成部材を変更する必要が無く、高い生産性をもって半導体装置１００を製造することができる。
この様に、上記第１の実施の形態によれば、複数個の半導体素子を積層して構成する半導体装置を、高い製造歩留り、信頼性をもって製造することができる。
【０１００】
従って、より高機能化が求められている半導体装置の製造に有効である。
前述の如く、前記第１の実施の形態に於ける、第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の形状は、種々変更が可能である。
【０１０１】
以下、変更された傾斜面の形態について、それぞれ実施の形態として、図面をもって説明する。
＜第２の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の側面形状の変更例その１を、第２の実施の形態である半導体装置１０１として、図９に示す。
【０１０２】
図９は、前記図２に示した構造に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１０３】
図９に示すに、当該半導体装置１０１は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２２ｂを備えた第２の半導体素子２２が接着部材３２を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１０４】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２２の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２２を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２２の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて円弧状をなす傾斜面（曲面）ＳＲが連続して形成されている。
【０１０５】
当該円弧状をなす傾斜面ＳＲは、当該接着部材３２と第２の半導体素子２２の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられている。
【０１０６】
従って、当該接着部材３２は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２２の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１０７】
この様に、少なくとも前記接着部材３２が円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３２の円弧状をなす傾斜面Ｓに当接することとなる。
【０１０８】
尚、部位２２ｄは、第２の半導体素子２２の上面端部であり、また、部位３２ｄは、接着部材３２の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
ここで、第２の半導体素子２２の厚さをａ、接着部材３２の厚さをｂとするとき、円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径Ｒは、Ｒ≧ａ＋ｂの関係式が充足するように選択される。
【０１０９】
即ち、第２の半導体素子２１の厚みａが例えば５０〜３５０μｍ、接着部材３２の厚みｂが例えば５〜５０μｍとされる場合、第２の半導体素子２２の外周縁部（エッジ部）側面及び接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面の円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径Ｒは、例えば５５〜４００μｍ以上の値に選択される。
【０１１０】
尚、曲率半径Ｒは一定値に設定されるものではなく、第２の半導体素子２２上面から接着部材３２下面にかけて、曲率半径Ｒを連続的に変化させてもよい。
この様な曲率半径Ｒを有して円弧状をなす傾斜面ＳＲを、接着部材３２と第２の半導体素子２２の積層構造体の側面に形成する手段としては、図１０に示される様に、切削部６３ａが曲率半径Ｒに対応する凸状の曲面ＳＲｂを有するダイシングブレード６３を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１１１】
これにより、当該切削部６３ａを用いて切断され、個片化された第２の半導体素子２２並びに接着部材３２は、その外周縁部（エッジ部）側面に、曲率半径Ｒをもって連続する円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備する。
【０１１２】
この様に、第２の実施の形態に於ける半導体装置１０１にあっては、第２の半導体素子２２と接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面に、曲率半径Ｒを有して連続する円弧状をなす傾斜面ＳＲが配設されている。
【０１１３】
かかる連続した円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３２の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１Ａの接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１１４】
また、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３１の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１１５】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、接着部材３１の端部が第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３１に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２１の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１１６】
この様に、本第２の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３２の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１１７】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径、あるいはその中心を選択することにより、第２の半導体素子２２の上端２２ｄを前記図２に示した第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
【０１１８】
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２２の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１１９】
＜第３の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の変更例その２を、第３の実施の形態である半導体装置１０２として、図１１に示す。
【０１２０】
図１１は、前記図２に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１２１】
図示するように、当該半導体装置１０２は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２３ｂを備えた第２の半導体素子２３が接着部材３３を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１２２】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２３の外周縁部（エッジ部）側面、並びに第２の半導体素子２３を前記第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３３の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０上面から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて２段階の傾斜面Ｓから形成されている。
【０１２３】
即ち、当該傾斜面Ｓは、第１の半導体素子２０上の接着部材３３下端部から第２の半導体素子２３の厚さの中間部にわたり連続する第１の傾斜部Ｓ１と、当該第２の半導体素子２３の厚さの中間部から当該第２の半導体素子２３の上面に至る第２の傾斜部Ｓ２とを具備する２段階の傾斜面をもって構成されている。
【０１２４】
かかる２段階の傾斜面Ｓは、接着部材３３と第２の半導体素子２１の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１２５】
従って、当該接着部材３３は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２３の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１２６】
この様に、少なくとも接着部材３３が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３３の傾斜面Ｓに当接することとなる。
尚、部位２３ｄは、第２の半導体素子２３の上面端部であり、また、部位３３ｄは、接着部材３３の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
【０１２７】
この様な２段階の傾斜面Ｓを有する外周縁部（エッジ部）側面を、接着部材３１と第２の半導体素子２１の積層構造体の側面に形成する手段としては、図１２に示される様に、切削部６４ａに連続する二つの傾斜面Ｓ１ｂ及びＳ２ｂを有するダイシングブレード６４を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１２８】
これにより、当該切削部６４ａを用いて切断され、個片化された半導体素子２３並びに接着部材３３は、その外周縁部（エッジ部）側面に、２段階の連続する傾斜面Ｓをもって形成される。
【０１２９】
この様に、本第３の実施の形態に於ける半導体装置１０２にあっては、第２の半導体素子２３と接着部材３３の外周縁部（エッジ部）側面に、２段階の傾斜面Ｓが配設されている。
【０１３０】
かかる２段階の傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３３の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１３１】
また、２段階の傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３３の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても、当該無機フィラー５１の接着部材３３中への侵入が防止・抑制される。
【０１３２】
更に、当該２段階の傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３３の端部が第２の半導体素子２３の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３３に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２３の下部にまで至る移動距離を大きくすることができる。
【０１３３】
この様に、本第２の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３３の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１３４】
更に、当該２段階の傾斜面Ｓの配置により、第２の半導体素子２３の上端２３ｄを前記図２に示す第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２３の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１３５】
＜第４の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の変更例その３を、第４の実施の形態である半導体装置１０３として、図１３に示す。
【０１３６】
同図は、前記図２に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１３７】
図示するように、半導体装置１０３は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２４ｂを備えた第２の半導体素子２４が接着部材３４を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１３８】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２４を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、第２の半導体素子２４の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて円弧状をなす傾斜面（曲面）ＳＲが形成されている。
【０１３９】
かかる円弧状をなす傾斜面ＳＲは、当該接着部材３４と第２の半導体素子２４の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１４０】
従って、当該接着部材３４は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２４の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１４１】
この様に、少なくとも前記接着部材３４が円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３４の円弧状をなす傾斜面ＳＲに当接することとなる。
【０１４２】
尚、部位２４ｄは、第２の半導体素子２４の上面端部であり、また、部位３４ｄは、接着部材３４の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
この様な円弧状を有する外周縁部（エッジ部）側面を、接着部材３４と第２の半導体素子２４の積層構造体側面の、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に形成する手段としては、図１４に示される様に、切削部６５ａの先端部の両面端部に凸状の曲面ＳＲｂを有するダイシングブレード６５を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１４３】
従って、かかる切削部６５ａを用いて切断され、個片化された半導体素子２１並びに接着部材３４は、少なくとも当該接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、円弧状をなす傾斜面ＳＲをもって形成される。
【０１４４】
尚、かかるダイシングブレード６５に於ける、先端部の曲面ＳＲｂの曲率半径は、前記図１０に示すダイシングブレード６３の先端部の曲面ＳＲｂの曲率半径よりも小さい。
従って、接着部材３４、並びに当該接着部材３４に接している第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面は円弧状に切削される。一方、当該第２の半導体素子２４の、接着部材３４から厚さ方向に離れた外周縁部（エッジ部）側面部は、ほぼ垂直方向に直線状に切削される。
【０１４５】
この様に、第４の実施の形態に於ける半導体装置１０３にあっては、第２の半導体素子２４と接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に円弧状をなす傾斜面ＳＲが配設されている。
【０１４６】
かかる円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３４の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の接着部材３４中への侵入が防止・抑制される。
【０１４７】
また、円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３４の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３４への侵入が防止・抑制される。
【０１４８】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、接着部材３４の端部が第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３４に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２４の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１４９】
この様に、本第４の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３４の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１５０】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの配置により、第２の半導体素子２４の上端２４ｄを前記図２に示す第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
【０１５１】
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２４の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１５２】
＜第５の実施の形態＞
次に、本発明の第５の実施の形態として、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）の他の形態を示す。
【０１５３】
当該第５の実施の形態にかかる、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１０４を、図１５に示す。
図１５（Ｂ）は、平面形状を示す図１５（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１５（Ａ）にあっては、封止用樹脂の表示を省略している。また、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１５４】
当該半導体装置１０４にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、接着部材３５を介して第２の半導体素子２５が搭載・固着されている。
【０１５５】
当該第２の半導体素子２５は、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置され、その外周縁部（エッジ部）が、第１の半導体素子の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。図示される状態にあっては、当該第２の半導体素子２５は、第１の半導体素子２０と直交する方向に位置して搭載・配置されている。
【０１５６】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４０によって、また、前記第２の半導体素子２５の電極パッド２５ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４１によって接続されている。
【０１５７】
これら第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２５並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆されている。
【０１５８】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
当該第５の実施の形態にあっては、その特徴的構成として、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置された第２の半導体素子２５の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該接着部材３５を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面が、前記第１の実施の形態と同様に、垂直方向に立ち上がっておらず、当該第２の半導体素子２５の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【０１５９】
かかる傾斜面は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
これにより、接着部材３５は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２５の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１６０】
この様に、第５の実施の形態に於ける半導体装置１０４にあっては、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置された第２の半導体素子２５と接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【０１６１】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３５の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラーの接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１６２】
また、傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラーの流動が阻害されず、接着部材３５の端部に於ける無機フィラーの停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラーの接着部材３５への侵入が防止・抑制される。
【０１６３】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３５の端部が第２の半導体素子２５の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラーが当該接着部材３５に侵入した場合であっても、当該無機フィラーが第２の半導体素子２５の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１６４】
この様に、本第５の実施の形態によれば、交差する如く積層された二つの半導体素子間に於いても、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂの直上に位置する接着部材３５の端部への無機フィラーの侵入が防止・抑制され、当該第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が有効に防止される。
【０１６５】
尚、かかる構成に於いて、半導体素子を構成する半導体材料、半導体素子製造プロセス、回路基板材料、導電層材料、接着部材材料、積層方法、ボンディングワイヤ材料、封止用樹脂材料、並びに樹脂封止方法などは、前記第１の実施の形態に於いて示した材料、あるいは手段と同様であることから、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１６６】
また、前記第２の半導体素子２５接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様の形態に限られるものではなく、前記第２乃至第４の実施の形態に於ける形態を適宜適用することができる。
【０１６７】
＜第６の実施の形態＞
本発明の第６の実施の形態として、前記実施の形態に於ける封止構造とは異なる封止構造を示す。
【０１６８】
本第６の実施の形態である半導体装置１０５にあっては、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子が、所謂リードフレーム上に積層されて搭載・支持された半導体装置構造を有する。
【０１６９】
かかる状態を、図１６に示す。尚、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
即ち、当該半導体装置１０５にあっては、第１の半導体素子２０は接着部材３０を介してダイステージ１３ａ上に搭載・固着されており、当該第１の半導体素子２０上には接着部材３１を介して第２の半導体素子２１が搭載・固着されている。
【０１７０】
当該第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓとされている。
そして、第１の半導体素子２０並びに第２の半導体素子２１それぞれに於ける電極パッド２０ａ、２１ａと、外部接続用リードフレーム１３のインナーリード部１３ｂとの間は、ボンディングワイヤ４５、４６により接続されている。
【０１７１】
更に、前記ダイステージ１３ａ上の第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１、ボンディングワイヤ４５、４６、並びにインナーリード部１３ｂを覆って封止用樹脂５０が被覆されている。
【０１７２】
当該封止用樹脂５０の外部へは、前記インナーリード部１３ｂに連続するアウターリード部１３ｃが導出され、外部接続端子を構成している。
かかる構造にあっても、第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓを具備していることから、封止用樹脂５０をトランスファーモールド法により被覆する際、接着部材３１中への無機フィラーの侵入が防止される。
【０１７３】
従って、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生は、有効に防止される。
尚、前記ダイステージ１３ａ、外部接続用リードフレーム１３は、鉄−ニッケル合金、銅、銅合金等の金属を主体として構成される。
【０１７４】
また、前記アウターリード部１３ｃは、図示される所謂ガルウィング状の屈曲形状の他、Ｊ字状、Ｌ字状等の形状であってもよい。
そして、前記第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様の形態に限られるものではなく、前記第２乃至第４の実施の形態に於ける形態を適宜適用することができる。
【０１７５】
次いで、本発明の第７の実施の形態として、積層される半導体素子２０と半導体素子２１との間に、スペーサを配しての積層構造に於いて、本発明思想を適用した例を示す。
＜第７の実施の形態＞
本発明の第７の実施の形態として、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）の、更に他の形態を示す。
【０１７６】
当該第７の実施の形態にかかる、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１０６を図１７に示す。
図１７（Ｂ）は、平面形状を示す図１７（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１７（Ａ）にあっては、封止用樹脂の表示を省略している。また、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１７７】
当該半導体装置１０６にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、当該第１の半導体素子２０よりも小面積を有する板状のスペーサ部材（間隔設定部材）２６が接着部材３６を介して搭載・固着されている。
【０１７８】
そして、当該スペーサ部材２６上に、接着部材３７を介して、第２の半導体素子２７が搭載・固着されている。
当該第２の半導体素子２７は、前記第１の半導体素子２０と同等の寸法を有して、スペーサ部材２６上に搭載されている。
【０１７９】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４２によって接続され、また、前記第２の半導体素子２７の電極パッド２７ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４３によって接続されている。
【０１８０】
これら半導体素子２０、半導体素子２７、スペーサ部材２６並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆されている。
【０１８１】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
この様に、第１の半導体素子２０上に、スペーサ部材２６を介して第２の半導体素子２７を搭載することにより、当該第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７との間には、当該スペーサ部材２６の厚さに対応して間隙が形成される。
【０１８２】
従って、第１の半導体素子２０上に、第２の半導体素子２７をボンディングワイヤ４２との接触を招来することなく積層配置することができ、当該半導体装置１０６に於ける第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７の組合せの自由度を高めることができる。
【０１８３】
そして、当該第７の実施の形態にあっては、その特徴的構成として、前記スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該スペーサ部材２６を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面が、垂直方向に立ち上がっておらず、当該スペーサ部材２６の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【０１８４】
かかる傾斜面は、スペーサ部材２６の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
従って、当該接着部材３６は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、スペーサ部材２６の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１８５】
かかる構成に於いて、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２７は、シリコン（Ｓｉ）、あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層を含む活性領域（電子回路形成領域）が形成されて構成されている。
【０１８６】
また、前記回路基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材と、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に配設された導電層を具備している。
【０１８７】
当該導電層は、銅（Ｃｕ）を主体とし、回路基板の表面及び／あるいは裏面に配設された前記電極端子及び前記電極ランドに接続されている。尚、前記電極端子及び前記電極ランドは、当該導電層の一部として形成されてもよく、また、前記電極端子の表面は下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【０１８８】
当該回路基板１０は、支持基板、配線基板あるいはインターポーザとも称される。
また、スペーサ部材２６は、シリコン（Ｓｉ）片、金属板、樹脂板あるいはセラミック板から形成される。
【０１８９】
一方、前記接着部材３０、接着部材３６並びに接着部材３７は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体として構成される。
これらの接着部材は、同一材料から形成されてもよく、または異種材料をもって形成されてもよい。尚、接着部材３０には、必要に応じて銀（Ａｇ）等の導電性粒子を含有させてもよい。
【０１９０】
また、前記ボンディングワイヤ４２、４３は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらの何れかを含む合金からなる金属細線をもって形成される。
更に、前記封止用樹脂５０としてはシリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含むエポキシ系樹脂が適用され、封止方法としては所謂トランフファーモールド法が適用される。
【０１９１】
図１７に示したところの、本発明の第７の実施の形態に於ける半導体装置１０６の要部断面を、図１８に示す。
即ち、前記スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該スペーサ部材２６を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、スペーサ部材２６の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θをなす傾斜面Ｓが連続して形成されたものとされている。
【０１９２】
当該傾斜角θは、３０〜６０°とされる。
かかる傾斜面Ｓは、当該接着部材３６とスペーサ部材２６の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１９３】
従って、当該接着部材３６は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、スペーサ部材２６の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１９４】
尚、部位２６ｄは、スペーサ部材２６上面端部であり、また、部位３６ｄは、接着部材３６の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
この様に、少なくとも前記接着部材３６が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３６の傾斜面Ｓに当接することとなる。
【０１９５】
従って、接着部材３６の端部に位置し、当該接着部材３６に当接する無機フィラー５１Ａに対するランスファー成形の際の圧力Ｆは、前記図３（Ｂ）を用いて示した如く分散される。
【０１９６】
かかる応力の分散より、接着部材３６への応力が緩和され、当該接着部材３６への無機フィラー５１Ａの入り込み、侵入が防止される。
また、スペーサ部材２６並びに接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に、連続した傾斜面Ｓが形成されているので、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、かかる傾斜面近傍にあっては、無機フィラー５１の流動が制限されない。
【０１９７】
従って、無機フィラー５１の停滞が防止され、かかる点からも無機フィラー５１の接着部材３６への入り込み、侵入を防止することができる。
更に、接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面は、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面に連続する如く、傾斜面Ｓを有して形成されている。
【０１９８】
従って、当該接着部材３６は、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）よりも、外側に延出している。
これにより、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３６に侵入したとしても、接着部材３６の端部が外側に突出している距離だけ、スペーサ部材２６と第１の半導体素子２０との間に侵入し難い。
【０１９９】
即ち、トランスファー成形中の無機フィラー５１Ａの移動距離を稼ぐことができ、これにより、無機フィラー５１のスペーサ部材２６下への侵入を防止・抑制することができる。
【０２００】
この様な作用により、トランスファー成形中に、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１がスペーサ部材２６と第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂとの間に到達することが防止され、当該無機フィラー５１の存在に基づく第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生を防止することができる。
【０２０１】
尚、スペーサ部材２６並びに接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜角θは、３０〜６０°の範囲に設定される。
この傾斜角θが小さければ、封止用樹脂５０からの応力をより分散させ、且つ接着部材３６の外周縁部（エッジ部）端部を、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）端部から、より遠い位置とすることができる。
【０２０２】
しかし、傾斜角θを３０°よりも小さなものとすると、スペーサ部材２６を半導体基板から個片化して形成する際、スクライブ領域幅（切断しろ）を大きく確保する必要性が生じ、当該スペーサ部材２６の取り数が減少する。従って、傾斜角θは、３０°以上に設定することが好ましい。
【０２０３】
一方、前記傾斜角θを６０°よりも大きなものとすると、接着部材３６の端部に於いて封止用樹脂５０から受ける応力を十分に分散させることができない。従って、傾斜角θは、６０°以下に設定することが好ましい。
【０２０４】
尚、当該スペーサ部材２６及び接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に形成される傾斜面の形状は、上記形状に限られるものではなく、前記第２乃至第５実施の形態に於いて示したところの、第２の半導体素子及びその下に配設される接着部材の外周縁部（エッジ部）側面形状から選択することも可能である。
【０２０５】
また、第１の半導体素子２０上にスペーサ部材２６を複数個配置する場合には、それぞれのスペーサ部材及びその下に配設される接着部材に於いて、その外周縁部（エッジ部）側面に連続する傾斜面が配設される。
【０２０６】
次に、このようなスペーサ部材２６を適用してなる半導体装置１０６の製造方法について、図１９及び図２０を用いて説明する。
まず、回路基板１０上に、複数の半導体素子がスペーサ部材２６を介して積層・配置される工程を、図１９に示す。
【０２０７】
即ち、回路基板１０の一方の主面に、第１の半導体素子２０を搭載・固着する。
当該第１の半導体素子２０は、その裏面に予め接着部材３０が配設されており、ボンディングツール７０に吸着・保持されている。また、回路基板１０は、ボンディングステージ（図示せず）上に吸着・保持され、必要に応じて、例えば５０℃〜１５０℃に加熱されている。
【０２０８】
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に対向させ、矢印の方向に半導体素子２０を回路基板１０に対して降下せしめる。
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に抗してボンディングツール７０により押圧し、回路基板１０に若干荷重を与える。
【０２０９】
かかる荷重の印加により、当該第１の半導体素子２０は、その裏面に固着させた接着部材３０のタック性（粘着性）により、回路基板１０上に固着される（図１９（Ａ）参照）。
【０２１０】
当該接着部材３０のタック性（粘着性）は、回路基板１０からの加熱によって発現させるようにしてもよい。
尚、ここでは接着部材３０を予め第１の半導体素子２０の裏面に配設したが、これに代えて、接着部材３０を予め回路基板１０上に貼付け、塗布等により配設しておき、第１の半導体素子２０を回路基板１０上に搭載してもよい。
【０２１１】
この結果、かかる第１の半導体素子２０は、その活性領域（電子回路形成領域）形成面を上として、回路基板１０上に固着される。
次いで、前記第１の半導体素子２０上に、スペーサ部材２６を搭載する。
【０２１２】
即ち、ボンディングツール７１によって吸着・保持されたスペーサ部材２６を、第１の半導体素子２０に向かって降下させ、当該スペーサ部材２６を第１の半導体素子２０上に、接着部材３５のタック性（粘着性）により接着する（図１９（Ｂ）参照）。
【０２１３】
尚、スペーサ部材２６の搭載は、回路基板１０及び第１の半導体素子２０を、例えば５０℃〜１５０℃に加熱しつつ行ってよい。かかる場合には、当該加熱によって接着部材３５のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【０２１４】
尚、搭載されたスペーサ部材２６、接着部材３６の外周縁部（エッジ部）端部には、前述の如く、連続した傾斜面Ｓが形成されている。
かかる積層構造に於いて、スペーサ部材２６は、前記第１の半導体素子２０よりも小なる外形寸法を有し、その外周縁部（エッジ部）の少なくともその一部は、前記第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。
【０２１５】
しかる後、第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０上の電極端子１０ａとの間をボンディングワイヤ４２により接続する（図示せず）。
この時、当該ボンディングワイヤ４２のワイヤーループの高さを、前記スペーサ部材２６表面の高さよりも低いものとする。
【０２１６】
次いで、前記スペーサ部材２６上に、第２の半導体素子２７を搭載・固着する。
即ち、ボンディングツール７２によって吸着・保持された第２の半導体素子２７を、スペーサ部材２６に向かって降下させ、当該第２の半導体素子２７を、スペーサ部材２６上に接着部材３７のタック性（粘着性）により接着する（図１９（Ｃ）参照）。
【０２１７】
尚、第２の半導体素子２７の搭載は、回路基板１０、第１の半導体素子２０及びスペーサ部材２６を、例えば５０℃乃至１５０℃に加熱しつつ行ってもよい。かかる場合、当該加熱により、接着部材３７のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【０２１８】
これらの工程により、第１の半導体素子２０、スペーサ部材２６、第２の半導体素子２７が回路基板１０上に積層して配設される。
次いで、当該第２の半導体素子２７の電極パッド２７ａと、前記回路基板１０上の電極端子１０ｂとの間を、ボンディングワイヤ４３により接続する（図示せず）。
【０２１９】
しかる後、前記回路基板１０の一方の主面に搭載、配置された第１の半導体素子２０、スペーサ部材２６、第２の半導体素子２７、ボンディングワイヤ４１、４２等を被覆して封止用樹脂５０を配設する（図示せず）。
【０２２０】
当該封止用樹脂５０の被覆は、所謂トランスファーモールド法を適用することができる。
かかるトランスファーモールド法を適用しても、スペーサ部材２６下に配設された接着部材３６中への無機フィラーの入り込み、侵入は生じない。
【０２２１】
かかる樹脂モールド工程の後、前記回路基板１０の他方の主面（裏面）に配設されている電極ランド１０ｃ上に、外部接続端子を構成する半田バンプ１１をリフロー法により形成する（図示せず）。
【０２２２】
これらの工程により、回路基板１０上に半導体素子２０、２７間にスペーサ部材２６が積層して配設された、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造を有する半導体装置１０６が形成される。
【０２２３】
尚、当該半導体装置１０６に於いて、半田バンプ１１の配設を省略し、電極ランド１０ｃを外部接続端子としたＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造としてもよい。
【０２２４】
この様に、第７の実施の形態に於ける半導体装置１０６にあっては、スペーサ部材２６と接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【０２２５】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、接着部材３６の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、当該封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の、接着部材３６中への侵入が防止・抑制される。
【０２２６】
また、当該傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３６の端部に於ける無機フィラーの停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３５への侵入が防止・抑制される。
【０２２７】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３６の端部がスペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３６に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１がスペーサ部材２６の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０２２８】
この様に、本第７の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３６の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０２２９】
また、本第７の実施の形態では、第１の半導体素子２０が形成された半導体基板の裏面に接着部材３０を、また、第２の半導体素子２７が形成された半導体基板の裏面に接着部材３７を、予め配設している。
【０２３０】
従って、第１の半導体素子２０の回路基板１０上への搭載・固着工程、並びに第２の半導体素子２７のスペーサ部材２６上への搭載・固着工程に於いては、接着部材３０及び接着部材３７の個別の配設が不要である。
【０２３１】
また、かかる接着部材３０、接着部材３６並びに接着部材３７として、熱可塑性樹脂を用いることができる。従って、タック性（粘着性）を生じる樹脂材料の選択が容易である。
【０２３２】
上述の如く、本第７の実施の形態によれば、封止用樹脂５０のトランスファー成形に於いて、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることができる。
従って、封止用樹脂材料の流動性の調整が容易となり、樹脂封止処理を行う際、モールド成形金型への樹脂充填性を向上させることができる。
【０２３３】
更に、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることにより、硬化後の封止用樹脂の熱膨張率の調整が容易になる。
従って、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２７と、回路基板１０との熱膨張率のミスマッチングによる応力集中を緩和することができる。
【０２３４】
また、前記スペーサ部材２６と接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜面Ｓの傾斜角θの調整は、当該スペーサ部材２６を半導体基板から切り出すことにより、ダイシングブレードのブレード先端部の先端形状を変更することにより容易に調整することができる。
【０２３５】
従って、製造工程あるいは半導体装置としての構成部材を変更する必要がなく、高い生産性をもって半導体装置１０７を製造することができる。
この様に、本第７の実施の形態によれば、複数の半導体素子を積層して搭載した半導体装置を、高い製造歩留り、信頼性をもって製造することができる。
【０２３６】
従って、より高機能化が求められている半導体装置の製造に有効である。
更に、本第７の実施の形態によれば、スペーサ部材２６を介して第２の半導体素子２７を搭載することにより、第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７との間には、スペーサ部材２６の厚さに対応して間隙が形成される。
【０２３７】
従って、第１の半導体素子２０上に位置して、第２の半導体素子２７をボンディングワイヤ４２との接触を生ずることなく積層配置することができる。
更に、当該半導体装置１０７に於ける、第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７の組合せの自由度を高めることができ、種々の機能を有する半導体装置の形成に対応することができる。
【０２３８】
（付記１） 支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【０２３９】
（付記２） 支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、
前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【０２４０】
（付記３） 前記第１の半導体素子の活性領域上の位置に位置する接着部材は、その外周端面が鋭角をなす傾斜面であることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
（付記４） 前記第２の半導体素子の外周端面及び前記接着部材の外周端面において、傾斜構造を有していることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０２４１】
（付記５） 前記第２の半導体素子の外周端面の少なくとも一部及び前記接着部材の外周端面により連続する傾斜面を形成することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記６） 前記スペーサの外周端面及び前記接着部材の外周端面において、傾斜構造を有していることを特徴とする付記２記載の半導体装置。
【０２４２】
（付記７） 前記第２の半導体素子の主面の一部が、前記第１の半導体素子の搭載領域から突き出し、前記第１の半導体素子並びに前記第２の半導体素子が交差していることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０２４３】
（付記８） 前記接着部材の材質が熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする付記１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
（付記９） 前記封止用樹脂に無機フィラーが含有されていることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
【０２４４】
（付記１０） 前記支持基板が回路基板またはリードフレームのダイステージであることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
（付記１１） 支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、
複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、
前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２４５】
（付記１２） 一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、
前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２４６】
（付記１３） 前記ダイシングブレードの先端部の断面が逆等脚台状または曲面または２段階の傾斜面であることを特徴とする付記１１または１２記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２４７】
【図１】本発明による半導体装置の第１の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図２】本発明による半導体装置の第１の実施の形態に於ける半導体素子の要部拡大断面図。
【図３】接着部材の端部への無機フィラーの入り込みが抑制される理由を説明する要部拡大断面図。
【図４】接着部材の端部への無機フィラーの入り込みが抑制される他の理由を説明する要部拡大断面図。
【図５】半導体ウェハをダイシングテープに固着する工程を示す要部断面模式図。
【図６】ダイシングにより半導体ウェハ状を個片化する工程を示す要部断面模式図。
【図７】回路基板上に複数個の半導体素子を積層配置する工程を示す要部断面模式図。
【図８】ワイヤボンディング工程並びに樹脂封止工程を示す要部断面模式図。
【図９】本発明による半導体装置の第２の実施の形態を示す要部断面図。
【図１０】本発明による半導体装置の第２の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１１】本発明による半導体装置の第３の実施の形態を示す要部断面図。
【図１２】本発明による半導体装置の第３の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１３】本発明による半導体装置の第４の実施の形態を示す要部断面図。
【図１４】本発明による半導体装置の第４の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１５】本発明による半導体装置の第５の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図１６】本発明による半導体装置の第６の実施の形態を示す要部断面図。
【図１７】本発明による半導体装置の第７の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図１８】本発明による半導体装置の第７の実施の形態に於ける積層部の要部拡大断面図。
【図１９】複数の半導体素子を回路基板上に積層する工程を説明する要部断面模式図。
【図２０】従来の半導体素子積層型半導体装置の要部断面模式図。
【図２１】封止用樹脂中の無機フィラーが接着部材の側面に入り込む現象を説明する要部断面模式図。
【符号の説明】
【０２４８】
１０、２０１ 回路基板
１０ａ、１０ｂ ２０８、２０９ 電極端子
２０ａ、２１ａ、２７ａ、２０６，２０７ 電極パッド
１０ｃ 電極ランド
１１ 半田バンプ
１３ａ ダイステージ
１３ｂ インナーリード
１３ｃ アウターリード
２０、２１、２２、２３、２４、２５、２７、２０２、２０３ 半導体素子
２６ スペーサ部材
２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ 活性領域
２１ｃ、３１ｃ 側面
２１ｄ、２２ｄ、２３ｄ、２４ｄ、２６ｄ 上端
３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、２０４，２０５ 接着部材
３１ｄ、３２ｄ、３３ｄ、３４ｄ、３６ｄ 下端
４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、２１０、２１１ ボンディングワイヤ
５０、５２、２１２ 封止用樹脂
５１、２１３ 無機フィラー
２１ＷＦ 半導体基板
６０ リングフレーム
６１ ダイシングシート
６２、６３、６４、６５ ダイシングブレード
６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａ 切削部
７０、７１、７２ ボンディングツール
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、２００ 半導体装置
Ｆ、ｆ１、ｆ２ 応力
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２、ＳＲ 傾斜面
ＳＲｂ 曲面
θ 傾斜角
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に複数の半導体素子が積層されて構成される所謂チップ積層型半導体装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル家電機器（携帯電話機、デジタルスチルカメラ他）などの電子機器にあっては、その高機能化と共に、より小型化、高速動作化が求められている。
この為、当該電子機器に搭載される半導体装置に対しても、更なる高機能化、高速化並びに小型化が求められており、その一つの手段として、支持部材上に複数個の半導体素子（半導体チップ）を積層して配置してなる半導体装置が実用化されている。
【０００３】
当該半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）としては、回路基板などの支持基板上に半導体素子を複数個積層したもの（例えば、特許文献１参照）、あるいはリードフレームのダイステージ上に複数の半導体素子を積層したもの（例えば、特許文献２参照）などがある。
【０００４】
回路基板などの支持基板上に複数個の半導体素子を積層してなるチップ積層型半導体装置の一例を、図２０に示す。
当該チップ積層型の半導体装置２００にあっては、回路基板２０１上に、２個の半導体素子２０２、２０３がそれぞれ接着部材２０４、接着部材２０５を介して積層されて搭載されている。
【０００５】
当該半導体素子２０２、半導体素子２０３に配設された電極パッド２０６、２０７と、回路基板２０１に配設された配線層２０８、２０９との間は、ボンディングワイヤ２１０、２１１により接続されている。そして、これらの半導体素子２０２、半導体素子２０３並びにボンディングワイヤ２１０、２１１は、封止用樹脂２１２により封止されている。
【０００６】
この様な半導体装置２００の製造工程では、生産性を向上させるために、半導体素子２０２、半導体素子２０３を回路基板２０１に搭載する前に、予め、半導体素子２０２の裏面に接着部材２０４を、また、半導体素子２０３の裏面に接着部材２０５を配設させておく工程が適用される。
【０００７】
例えば、半導体素子２０２が形成された半導体基板の裏面に予め熱可塑性の接着部材２０４を配設し、一方、半導体素子２０３が形成された半導体基板の裏面には予め接着部材２０５を配設しておき、これらの半導体基板のダイシング処理の際に、接着部材２０４あるいは接着部材２０５を、個片化された半導体素子２０２、半導体素子２０３の裏面に配設する。
【０００８】
そして、回路基板２０１上に、半導体素子２０２、半導体素子２０３を順次搭載する。
その後、トランスファーモールド法などを適用し、封止用樹脂２１２により封止する。
【特許文献１】特開平１１−２０４７２０号公報
【特許文献２】特開平１−２３５３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、半導体素子の裏面に配設された前記接着部材の素材によっては、前記封止用樹脂２１２のトランスファー成形時の圧力により、当該封止用樹脂２１２中に含有される無機フィラーが、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間に在る接着部材２０５内に入り込んでしまう場合がある。
【００１０】
封止用樹脂２１２中の無機フィラーが、接着部材２０５内に入り込む現象を、図２１を用いて説明する。
トランスファー成形時、前記接着部材２０５も加熱される。従って、かかる接着部材２０５が熱可塑性樹脂である場合、あるいは半硬化状態にある場合であっても、当該接着部材２０５は低弾性率状態にある。
【００１１】
従って、トランスファー成形の際の圧力により、封止用樹脂２１２に含まれる無機フィラー２１３の一部、例えば無機フィラー２１３Ａが、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間にある接着部材２０５内に入り込んでしまう場合がある。
【００１２】
当該無機フィラーは、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる。
かかる無機フィラー２１３Ａの入り込みは、半導体素子２０２、半導体素子２０３に対する樹脂注入ゲートの位置などに対応することなく、接着部材２０５の表出部全周にわたって生じ得る。
【００１３】
この様に、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間に当該無機フィラー２１３Ａが挟まれた状態をもってトランスファー成形を終了すると、封止用樹脂２１２が硬化・収縮する際に、半導体素子２０２と半導体素子２０３間には圧縮応力が働く。
【００１４】
この時、無機フィラー２１３Ａ部に、内部応力が集中してしまう。
この為、当該無機フィラー２１３Ａの直下に位置する半導体素子２０２の活性領域（電子回路形成領域）２０２ａに、クラックなどの損傷を生じてしまう。
【００１５】
また、半導体装置２００の構成部材は、それぞれ異なる熱膨張率を有している。
従って、トランスファー成形を行った際には損傷の発生が無くとも、その後の製造工程、あるいは半導体装置としての動作時に、昇温並びに降温の熱ストレスが加わることによって、半導体素子２０２の活性領域２０２ａに損傷が生じ、更に当該損傷が拡大してしまう場合もある。
【００１６】
特に、半導体素子２０２と半導体素子２０３との間隔、即ち接着部材２０５の厚さにほぼ等しい外形寸法を有する無機フィラー２１３が挟まれた場合には、かかる損傷をより生じ易い。
【００１７】
この様なフィラーの入り込みによる損傷の発生を防止する方法として、接着部材２０５としてペースト状の熱硬化性接着材を用い、半導体素子２０２上に当該ペースト状の熱硬化性接着部材を塗布した後、半導体素子２０３を積層搭載する。そしてトランスファー成形前に、当該ペースト状の当該熱硬化性接着部材を硬化させておくことも考えられる。
【００１８】
かかる方法によれば、トランスファー成形時、接着部材２０５が既に硬化しているので、半導体素子間へのフィラーの入り込みを防止することができる。
しかしながら、この方法は生産性を高めることができず、製造コストが上昇してしまう。
【００１９】
また、当該ペースト状の熱硬化性接着部材を用いる場合、半導体素子２０２上に塗布する際に、半導体素子２０２の電極パッド２０６に当該接着部材が付着しないように、その塗布位置、塗布量、粘度等を高精度に制御する必要がある。従って、生産性の低下に加えて、製造歩留まりが低下してしまう恐れもある。
【００２０】
本発明の対象とする半導体素子積層型半導体装置の主要用途であるデジタル家電機器の分野では、製造コストの上昇は大きな問題となる。
従って、半導体素子２０３を半導体素子２０２上に搭載する接着部材２０５として、かかるペースト状の熱硬化性接着材は適切でない。
【００２１】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、接着部材として、熱可塑性樹脂を用いた場合、あるいは接着部材が半硬化状態にある場合でも、トランスファー成形時、封止用樹脂中に含有されている無機フィラーが積層された半導体素子間に侵入することのない、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明では上記課題を解決するために、支持基板と、前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備し、前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２３】
このような半導体装置によれば、支持基板上に、第１の半導体素子が配設され、外周端部の少なくとも一部が第１の半導体素子の活性領域上に位置して、第１の半導体素子上に接着部材を介して第２の半導体素子が配設され、第１の半導体素子及び第２の半導体素子が封止用樹脂で封止される。そして、接着部材の第１の半導体素子と接する面積が、第２の半導体素子と接する面積よりも大となる。
【００２４】
また、本発明では、支持基板と、前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備し、前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２５】
このような半導体装置によれば、支持基板上に第１の半導体素子が配設され、外周端部の少なくとも一部が第１の半導体素子の活性領域上に位置して、第１の半導体素子上に接着部材を介してスペーサが配設され、スペーサ上に第２の半導体素子が配設され、第１の半導体素子、スペーサ及び第２の半導体素子が封止用樹脂で封止される。そして、接着部材の第１の半導体素子と接する面積が、スペーサと接する面積よりも大となる。
【００２６】
また、本発明では、支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２７】
このような半導体装置の製造方法によれば、支持基板上に第１の半導体素子が配設され、複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板が接着部材を介して支持体上に配置され、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、半導体基板がダイシング処理され、第２の半導体素子が接着部材と共に個片化され、第２の半導体素子が接着部材を介して、第１の半導体素子上に搭載され、第１の半導体素子及び第２の半導体素子とが樹脂封止される。
【００２８】
さらに、本発明では、一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２９】
このような半導体装置の製造方法によれば、一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材が準備され、切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、板状スペーサ部材が接着部材と共にスペーサに個片化され、スペーサが接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載され、スペーサ上に、第２の半導体素子が搭載され、第１の半導体素子、スペーサ及び第２の半導体素子とが樹脂封止される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）に於いて、封止用樹脂の被覆の際、当該封止用樹脂中に含まれているフィラー材が、積層されている半導体素子間に侵入して半導体素子の活性領域への損傷が防止される。
【００３１】
これにより、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）を、高い製造歩留りをもって形成することができ、更に当該半導体装置は高い信頼性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態である、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１００を、図１に示す。
【００３３】
図１（Ｂ）は、平面形状を示す図１（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１（Ａ）にあっては、樹脂封止体の表示を省略している。
当該半導体装置１００にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、接着部材３１を介して第２の半導体素子２１が搭載・固着されている。
【００３４】
当該第２の半導体素子２１は、第１の半導体素子２０よりも小なる外形寸法を有し、その外周縁部（エッジ部）が、第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。
【００３５】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４０によって、また、前記第２の半導体素子２１の電極パッド２１ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４１によって接続されている。
【００３６】
これら第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆・封止されている。
【００３７】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
そして、当該第１の実施の形態に於ける半導体装置１００にあっては、その特徴的構成として、前記第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該接着部材３１を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、垂直方向に立ち上がっておらず、当該第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【００３８】
かかる傾斜面は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられている。
従って、接着部材３１は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２１の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【００３９】
かかる構成に於いて、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１は、シリコン（Ｓｉ）あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層を含む活性領域（電子回路形成領域）が形成されて構成されている。
【００４０】
また、前記回路基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材とし、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に配設された導電層を具備している。
【００４１】
当該導電層は、銅（Ｃｕ）を主体とし、回路基板の表面及び／あるいは裏面に配設された前記電極端子及び前記電極ランドに接続されている。尚、前記電極端子及び前記電極ランドは、当該導電層の一部として形成されてもよく、また、前記電極端子の表面は下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【００４２】
当該回路基板１０は、支持基板、配線基板あるいはインターポーザとも称される。
また、前記接着部材３０、並びに接着部材３１は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体として構成される。
【００４３】
両接着部材は、同一材料から形成されてもよく、または異種材料をもって形成されてもよい。尚、接着部材３０には、必要に応じて銀（Ａｇ）等の導電性粒子を含有させてもよい。
【００４４】
また、前記ボンディングワイヤ４０、４１は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらの何れかを含む合金からなる金属細線をもって形成される。
更に、前記封止用樹脂５０としては、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有するエポキシ系樹脂が適用され、封止方法としては所謂トランフファーモールド法が適用される。
【００４５】
前記図１に示す、本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００の要部断面を、図２に示す。
即ち、上面に活性領域（電子回路形成領域）２１ｂが形成されている第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面２１ｃ、並びに当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面３１ｃは、当該第１の半導体素子２０上面から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θを有し、且つ連続する傾斜面Ｓをもって形成されている。
【００４６】
当該傾斜角θは、３０〜６０°とされる。
かかる傾斜面Ｓは、当該接着部材３１と第２の半導体素子２１の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【００４７】
従って、当該接着部材３１は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２１の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【００４８】
この様に、少なくとも接着部材３１が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３１の傾斜面Ｓに当接することとなる。
尚、部位２１ｄは、第２の半導体素子２１の上面端部であり、また、部位３１ｄは、接着部材３１の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
【００４９】
この様な、外周縁部（エッジ部）側面への傾斜面Ｓの設定によってもたらされる効果について、図３並びに図４を用いて説明する。
即ち、前記従来の半導体装置にあっては、図３（Ａ）に示される様に、半導体素子２０３の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２０３を前記半導体素子２０２上に固着する接着部材２０５の外周縁部（エッジ部）側面が、半導体素子２０２上面からほぼ垂直方向に立ち上がっている。
【００５０】
従って、当該接着部材２０５の側面に位置し、当該接着部材２０５に当接する無機フィラー２１３Ａに対するトランスファー成形の際の圧力Ｆは、当該接着部材２０５の側面に垂直な方向に印加される。
【００５１】
従って、かかる接着部材２０５が熱可塑性樹脂である場合あるいは半硬化状態にある樹脂である場合には、当該接着部材２０５は低弾性率状態にあることから、外形寸法が当該接着部材２０５の厚さと同等あるいはこれよりも小である無機フィラー２１３Ａは、当該接着部材２０５中へ容易に侵入し、半導体素子２０３と半導体素子２０２との間に位置してしまう。
【００５２】
これに対し、本発明の第１の実施の形態にあっては、図３（Ｂ）に示される様に、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θをなす傾斜面Ｓを有して形成されている。
【００５３】
従って、接着部材３１の端部に位置し、当該接着部材３１に当接する無機フィラー５１Ａに対するトランスファー成形の際の圧力Ｆは、矢印ｆ１、ｆ２にて示す如く分散される。
【００５４】
かかる応力の分散より、無機フィラー５１Ａから接着部材３１に対する応力が緩和され、かかる接着部材３１が熱可塑性樹脂である場合あるいは半硬化状態にある樹脂である場合であっても、当該接着部材３１中への無機フィラー５１Ａの入り込み、侵入が防止される。
【００５５】
また、かかる本発明の第１の実施の形態にあっては、第２の半導体素子２１並びに接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に、連続した傾斜面Ｓが形成されている。この為、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際、かかる傾斜面Ｓ近傍にあっては無機フィラー５１の流動が制限されない。
【００５６】
従って、無機フィラー５１の停滞が防止され、この点からも無機フィラー５１の接着部材３１中への入り込み、侵入を防止することができる。
本発明の第１の実施の形態にあって、前記第２の半導体素子２１を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面が、傾斜面Ｓとされたことによる他の利点を、図４を用いて説明する。
【００５７】
当該第１の実施の形態にあっては、接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面に連続する如く、傾斜面Ｓを有して形成されている。
【００５８】
従って、当該接着部材３１は、図４（Ａ）に示される如く、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）よりも、寸法ｄをもって外側に延出している。
これにより、図４（Ｂ）に示す様に、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３１に侵入したとしても、接着部材３１の端部が寸法ｄにわたり外側に延出している分、第２の半導体素子２１の下、即ち、当該半導体素子２１と第１の半導体素子２０との間に到達し難い。
【００５９】
即ち、トランスファー成形時に於いて、無機フィラー５１Ａの移動距離を寸法ｄの値分長くすることによって、無機フィラー５１の第２の半導体素子２１の下への侵入を抑制することができる。
【００６０】
この様な作用により、トランスファー成形中に、封止用樹脂５０に含まれる無機フィラー５１が第２の半導体素子２１と第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂとの間に到達することが防止され、当該無機フィラー５１の存在に基づく第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生を防止することができる。
【００６１】
尚、第２の半導体素子２１並びに接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜角θは、３０〜６０°の範囲に設定される。
この傾斜角θが小さければ、封止用樹脂５０からの応力をより分散させ、且つ接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部を、第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）端部から、より遠い位置とすることができる。
【００６２】
しかしながら、傾斜角θを３０°よりも小さなものとすると、複数個の半導体素子２１が形成された半導体基板を個片化する際、スクライブ領域幅（切断しろ）を大きく確保する必要性が生じ、半導体素子２１の取り数が減少する。その結果、半導体装置の生産性が低下してしまう。従って、傾斜角θは、３０°以上に設定することが好ましい。
【００６３】
一方、前記傾斜角θを６０°よりも大きなものとすると、接着部材３１の端部３１Ｅに於いて封止用樹脂５０から受ける応力を充分に分散させることが困難となる。従って、傾斜角θは、６０°以下に設定することが好ましい。
【００６４】
次に、第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１が回路基板１０上に搭載される工程を含む半導体装置１００の製造方法を、図５〜図８を用いて説明する。
尚、図５〜図８に於いては、前記図１に於いて説明した部材と同一の部材には同一の符号を付している。
【００６５】
前記第２の半導体素子２１の裏面に、接着部材３１を配設する工程を、図５に示す。
まず、第２の半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面（半導体素子２１に於ける電子回路形成面とは反対側の面）に、シート状の接着部材３１を位置させる（図５（Ａ）参照）。
【００６６】
当該接着部材３１は、例えばポリイミド系樹脂あるいはエポキシ系樹脂を主成分としている。
そして、接着部材３１を半導体基板２１ＷＦの裏面に、例えばロール式ラミネート法によって貼り合わせて固着する（図５（Ｂ）参照）。
【００６７】
本実施の形態に於ける半導体装置の製造方法にあっては、生産性を向上させるために、この段階で接着部材３１を半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面に配設しておく。尚、接着部材３１は、常温時または加熱時にタック性（粘着性）を有している。
【００６８】
尚、接着部材３１を、半導体素子２１が複数個形成された半導体基板２１ＷＦの裏面に配設する方法としては、上記貼り合わせ方法の他、ペースト状の接着部材３１を用い、スピンコート法によって半導体基板２１ＷＦの裏面全面に塗布し、固化あるいは半硬化せしめる方法をとることもできる。
【００６９】
しかる後、前記半導体基板２１ＷＦを、その半導体素子形成部を上側として、ダイシングシート６１にマウントし、リングフレーム６０に固定する（図５（Ｃ）参照）。
次いで、前記リングフレーム６０にダイシングシート６１を介して支持された半導体基板２１ＷＦをダイシング装置のテーブル（図示せず）上に搭載し、回転式のダイシングブレード６２を用いて、個々の半導体素子２１に切断・分離する（図６参照）。
【００７０】
尚、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に於いて破線円に囲まれた部分を拡大して示す。
当該ダイシングブレード６２は、半導体基板２１ＷＦの表面から、ダイシングシート６１に至るように当該半導体基板２１ＷＦ及び接着部材３１を連続して、その厚さ方向に切断する。
【００７１】
図示される様に、ダイシングブレード６２は、そのブレードの切削部６２ａに直線状の傾斜面Ｓｂを有する。即ち、その断面は、逆等脚台状に形成されている。
従って、当該切削部６２ａによって切断され、個片化される半導体素子２１並びに接着部材３１には、その外周縁部（エッジ部）側面に、連続する傾斜面Ｓが形成される。即ち、ブレードの切削部６２ａに於ける傾斜面Ｓｂに対応して、傾斜面Ｓが形成される。
【００７２】
この様に個片化された第２の半導体素子２１は、前記第１の半導体素子２０と共に、回路基板１０上に積層されて搭載される。
尚、第１の半導体素子２０も、第２の半導体素子２１と同様の工程ももって、その裏面に予め接着部材３０が配設されている。
【００７３】
尚、当該第１の半導体素子２０が複数個形成された半導体基板をダイシング処理する際には、第２の半導体素子を個片化する際に用いられたところの切削部に傾斜面が設けられたダイシングブレードを適用する必要は無い。
【００７４】
これら第１の半導体素子２０、及び第２の半導体素子２１の積層工程を、図７をもって説明する。
即ち、回路基板１０の一方の主面に、まず第１の半導体素子２０を搭載・固着する。
【００７５】
当該第１の半導体素子２０は、前述の如く、その裏面に予め接着部材３０が配設されており、ボンディングツール７０に吸着・保持されている。
また、回路基板１０は、ボンディングステージ（図示せず）上に吸着・保持され、必要に応じて、例えば５０℃〜１５０℃に加熱されている。
【００７６】
そして、当該第１の半導体素子２０を回路基板１０に対向させ、矢印の方向に第１の半導体素子２０を回路基板１０に対し、降下せしめる（図７（Ａ）参照）。
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に抗してボンディングツール７０により押圧し、回路基板１０に若干荷重を与える。
【００７７】
かかる荷重の印加により、当該第１の半導体素子２０は、その裏面に固着させた接着部材３０のタック性（粘着性）により、回路基板１０上に固着される（図７（Ｂ）参照）。
尚、接着部材３０のタック性（粘着性）は、回路基板１０を通しての加熱により発現させてもよい。
【００７８】
また、ここでは接着部材３０を予め第１の半導体素子２０の裏面に配設しているが、これに代えて、接着部材３０を予め回路基板１０上に、貼付けあるいは塗布等により配設しておき、第１の半導体素子２０を回路基板１０上に搭載してもよい。
【００７９】
この結果、当該第１の半導体素子２０は、その活性領域（電子回路形成領域）形成面を上として、回路基板１０上に固着される。
次いで、前記第１の半導体素子２０上に、第２の半導体素子２１を搭載する。
【００８０】
即ち、ボンディングツール７１によって吸着・保持された第２半導体素子２１を、第１の半導体素子２０に向かって降下させ、当該第２の半導体素子２１を第１の半導体素子２０上に、接着部材３１のタック性（粘着性）により接着する（図７（Ｃ）参照）。
【００８１】
尚、第２の半導体素子２１の搭載は、回路基板１０及び第１の半導体素子２０を、例えば５０℃〜１５０℃に加熱しつつ行ってよい。かかる場合には、当該加熱によって接着部材３１のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【００８２】
かかる積層構造に於いて、第２の半導体素子２１は、前記第１の半導体素子２０よりも小型の半導体素子であり、その外周縁部（エッジ部）は、少なくともその一部が前記第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）形成面上に位置して搭載されている。
【００８３】
尚、搭載された第２の半導体素子２１、接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部には、前述の如く、連続する傾斜面Ｓが形成されている。
これらの工程により、第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１が回路基板１０上に積層して配設される。
【００８４】
この様に、回路基板１０の一方の主上に積層配置された第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１は、それぞれの表面に配設されている電極パッド２０ａ、２１ａと回路基板１０上の電極端子１０ａ、１０ｂとが、ボンディングワイヤ４０、４１により接続される（図８（Ａ）参照）。
【００８５】
しかる後、回路基板１０の一方の主面に搭載、配置された第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１、並びにボンディングワイヤ４０、４１等を被覆して封止用樹脂５０を被覆する（図８（Ｂ）参照）。
【００８６】
当該封止用樹脂５０の被覆方法として、所謂トランスファーモールド法を適用することができる。
かかるトランスファーモールド法を適用しても、本発明の特徴的構成、即ち第２の半導体素子２１、及び接着部材３１の外周縁部（エッジ部）端部に、傾斜角θを有する連続する傾斜面Ｓが形成されていることにより、当該第２の半導体素子２１下に配設された接着部材３１中への無機フィラーの入り込み、侵入を生じない。
【００８７】
当該樹脂モールド工程の後、回路基板１０の他方の主面（裏面）に配設されている電極ランド１０ｃ上に、外部接続端子を構成する半田バンプ１１をリフロー法により形成する（図示せず）。
【００８８】
この様な製造工程により、前記図１に示すところの、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造を有する半導体装置１００を形成する。
尚、当該半導体装置１００に於いては、半田バンプ１１の配設を省略し、電極ランド１０ｃを外部接続端子としたＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造としてもよい。
【００８９】
この様に、本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００にあっては、第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有して連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【００９０】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３１の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中に含まれる無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【００９１】
また、当該傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３１の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【００９２】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３１の端部が第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３１に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２１の下部に到達するための移動距離を大きくすることができる。
【００９３】
この様に、本第１の実施の形態によれば、無機フィラー５１の、接着部材３１の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【００９４】
また、本第１の実施の形態では、接着部材３０及び接着部材３１を、予め第１の半導体素子２０が形成された半導体基板の裏面に接着部材３０を、また、第２の半導体素子２１が形成された半導体基板の裏面に接着部材３１を、予め配設している。
【００９５】
従って、第１の半導体素子２０の回路基板１０上への搭載・固着工程、並びに第２の半導体素子２１の第１の半導体素子２１上への搭載・固着工程に於いては、接着部材３０及び接着部材３１の個別の配設が不要である。
【００９６】
当該接着部材３０並びに接着部材３１としては、熱可塑性樹脂を用いることができる。従って、タック性（粘着性）を生じる樹脂材料の選択が容易である。
上述の如く、本第１の実施の形態によれば、接着部材３１への無機フィラーの侵入が抑制・防止される為、封止用樹脂５０として、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることができる。
【００９７】
従って、当該封止用樹脂材料の流動性の調整が容易となり、半導体装置１００を樹脂封止する際、モールド成形金型への樹脂充填性を向上させることができる。
更に、封止用樹脂５０として、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることにより、硬化後の封止用樹脂の熱膨張率の調整が容易となる。
【００９８】
従って、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１と、回路基板１０との熱膨張率のミスマッチングによる応力集中を緩和することができる。
また、前記第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜面Ｓの傾斜角θは、ダイシングブレード６２の切削部６２ａの先端形状を変更することにより容易に調整することができる。
【００９９】
従って、製造工程あるいは半導体装置としての構成部材を変更する必要が無く、高い生産性をもって半導体装置１００を製造することができる。
この様に、上記第１の実施の形態によれば、複数個の半導体素子を積層して構成する半導体装置を、高い製造歩留り、信頼性をもって製造することができる。
【０１００】
従って、より高機能化が求められている半導体装置の製造に有効である。
前述の如く、前記第１の実施の形態に於ける、第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の形状は、種々変更が可能である。
【０１０１】
以下、変更された傾斜面の形態について、それぞれ実施の形態として、図面をもって説明する。
＜第２の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の側面形状の変更例その１を、第２の実施の形態である半導体装置１０１として、図９に示す。
【０１０２】
図９は、前記図２に示した構造に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１０３】
図９に示すに、当該半導体装置１０１は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２２ｂを備えた第２の半導体素子２２が接着部材３２を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１０４】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２２の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２２を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２２の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて円弧状をなす傾斜面（曲面）ＳＲが連続して形成されている。
【０１０５】
当該円弧状をなす傾斜面ＳＲは、当該接着部材３２と第２の半導体素子２２の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられている。
【０１０６】
従って、当該接着部材３２は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２２の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１０７】
この様に、少なくとも前記接着部材３２が円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３２の円弧状をなす傾斜面Ｓに当接することとなる。
【０１０８】
尚、部位２２ｄは、第２の半導体素子２２の上面端部であり、また、部位３２ｄは、接着部材３２の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
ここで、第２の半導体素子２２の厚さをａ、接着部材３２の厚さをｂとするとき、円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径Ｒは、Ｒ≧ａ＋ｂの関係式が充足するように選択される。
【０１０９】
即ち、第２の半導体素子２１の厚みａが例えば５０〜３５０μｍ、接着部材３２の厚みｂが例えば５〜５０μｍとされる場合、第２の半導体素子２２の外周縁部（エッジ部）側面及び接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面の円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径Ｒは、例えば５５〜４００μｍ以上の値に選択される。
【０１１０】
尚、曲率半径Ｒは一定値に設定されるものではなく、第２の半導体素子２２上面から接着部材３２下面にかけて、曲率半径Ｒを連続的に変化させてもよい。
この様な曲率半径Ｒを有して円弧状をなす傾斜面ＳＲを、接着部材３２と第２の半導体素子２２の積層構造体の側面に形成する手段としては、図１０に示される様に、切削部６３ａが曲率半径Ｒに対応する凸状の曲面ＳＲｂを有するダイシングブレード６３を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１１１】
これにより、当該切削部６３ａを用いて切断され、個片化された第２の半導体素子２２並びに接着部材３２は、その外周縁部（エッジ部）側面に、曲率半径Ｒをもって連続する円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備する。
【０１１２】
この様に、第２の実施の形態に於ける半導体装置１０１にあっては、第２の半導体素子２２と接着部材３２の外周縁部（エッジ部）側面に、曲率半径Ｒを有して連続する円弧状をなす傾斜面ＳＲが配設されている。
【０１１３】
かかる連続した円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３２の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１Ａの接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１１４】
また、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３１の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１１５】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、接着部材３１の端部が第２の半導体素子２１の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３１に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２１の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１１６】
この様に、本第２の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３２の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１１７】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの曲率半径、あるいはその中心を選択することにより、第２の半導体素子２２の上端２２ｄを前記図２に示した第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
【０１１８】
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２２の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１１９】
＜第３の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の変更例その２を、第３の実施の形態である半導体装置１０２として、図１１に示す。
【０１２０】
図１１は、前記図２に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１２１】
図示するように、当該半導体装置１０２は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２３ｂを備えた第２の半導体素子２３が接着部材３３を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１２２】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２３の外周縁部（エッジ部）側面、並びに第２の半導体素子２３を前記第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３３の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０上面から垂直方向に立ち上がっておらず、第２の半導体素子２１の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて２段階の傾斜面Ｓから形成されている。
【０１２３】
即ち、当該傾斜面Ｓは、第１の半導体素子２０上の接着部材３３下端部から第２の半導体素子２３の厚さの中間部にわたり連続する第１の傾斜部Ｓ１と、当該第２の半導体素子２３の厚さの中間部から当該第２の半導体素子２３の上面に至る第２の傾斜部Ｓ２とを具備する２段階の傾斜面をもって構成されている。
【０１２４】
かかる２段階の傾斜面Ｓは、接着部材３３と第２の半導体素子２１の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１２５】
従って、当該接着部材３３は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２３の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１２６】
この様に、少なくとも接着部材３３が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３３の傾斜面Ｓに当接することとなる。
尚、部位２３ｄは、第２の半導体素子２３の上面端部であり、また、部位３３ｄは、接着部材３３の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
【０１２７】
この様な２段階の傾斜面Ｓを有する外周縁部（エッジ部）側面を、接着部材３１と第２の半導体素子２１の積層構造体の側面に形成する手段としては、図１２に示される様に、切削部６４ａに連続する二つの傾斜面Ｓ１ｂ及びＳ２ｂを有するダイシングブレード６４を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１２８】
これにより、当該切削部６４ａを用いて切断され、個片化された半導体素子２３並びに接着部材３３は、その外周縁部（エッジ部）側面に、２段階の連続する傾斜面Ｓをもって形成される。
【０１２９】
この様に、本第３の実施の形態に於ける半導体装置１０２にあっては、第２の半導体素子２３と接着部材３３の外周縁部（エッジ部）側面に、２段階の傾斜面Ｓが配設されている。
【０１３０】
かかる２段階の傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３３の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１３１】
また、２段階の傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３３の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても、当該無機フィラー５１の接着部材３３中への侵入が防止・抑制される。
【０１３２】
更に、当該２段階の傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３３の端部が第２の半導体素子２３の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３３に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２３の下部にまで至る移動距離を大きくすることができる。
【０１３３】
この様に、本第２の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３３の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１３４】
更に、当該２段階の傾斜面Ｓの配置により、第２の半導体素子２３の上端２３ｄを前記図２に示す第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２３の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１３５】
＜第４の実施の形態＞
第２の半導体素子並びに接着部材の外周縁部（エッジ部）の傾斜面の変更例その３を、第４の実施の形態である半導体装置１０３として、図１３に示す。
【０１３６】
同図は、前記図２に対応する半導体装置の要部断面を示している。
尚、当該図２に示した部材と同一の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１３７】
図示するように、半導体装置１０３は、活性領域２０ｂを備えた第１の半導体素子２０が接着部材３０を介して回路基板１０の主面に搭載され、更に活性領域２４ｂを備えた第２の半導体素子２４が接着部材３４を介して第１の半導体素子２０上に搭載されている。
【０１３８】
そして、これらの半導体素子は、封止用樹脂５０によって封止されている。
本実施の形態にあっては、前記第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該第２の半導体素子２４を第１の半導体素子２０上に固着する接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、第２の半導体素子２４の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて円弧状をなす傾斜面（曲面）ＳＲが形成されている。
【０１３９】
かかる円弧状をなす傾斜面ＳＲは、当該接着部材３４と第２の半導体素子２４の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１４０】
従って、当該接着部材３４は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２４の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１４１】
この様に、少なくとも前記接着部材３４が円弧状をなす傾斜面ＳＲを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３４の円弧状をなす傾斜面ＳＲに当接することとなる。
【０１４２】
尚、部位２４ｄは、第２の半導体素子２４の上面端部であり、また、部位３４ｄは、接着部材３４の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
この様な円弧状を有する外周縁部（エッジ部）側面を、接着部材３４と第２の半導体素子２４の積層構造体側面の、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に形成する手段としては、図１４に示される様に、切削部６５ａの先端部の両面端部に凸状の曲面ＳＲｂを有するダイシングブレード６５を用いてのダイシング処理が適用される。
【０１４３】
従って、かかる切削部６５ａを用いて切断され、個片化された半導体素子２１並びに接着部材３４は、少なくとも当該接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、円弧状をなす傾斜面ＳＲをもって形成される。
【０１４４】
尚、かかるダイシングブレード６５に於ける、先端部の曲面ＳＲｂの曲率半径は、前記図１０に示すダイシングブレード６３の先端部の曲面ＳＲｂの曲率半径よりも小さい。
従って、接着部材３４、並びに当該接着部材３４に接している第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面は円弧状に切削される。一方、当該第２の半導体素子２４の、接着部材３４から厚さ方向に離れた外周縁部（エッジ部）側面部は、ほぼ垂直方向に直線状に切削される。
【０１４５】
この様に、第４の実施の形態に於ける半導体装置１０３にあっては、第２の半導体素子２４と接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に於いて、少なくとも接着部材３４の外周縁部（エッジ部）側面に円弧状をなす傾斜面ＳＲが配設されている。
【０１４６】
かかる円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３４の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の接着部材３４中への侵入が防止・抑制される。
【０１４７】
また、円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３４の端部に於ける無機フィラー５１の停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３４への侵入が防止・抑制される。
【０１４８】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの存在によって、接着部材３４の端部が第２の半導体素子２４の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３４に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１が第２の半導体素子２４の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１４９】
この様に、本第４の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３４の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０１５０】
更に、当該円弧状をなす傾斜面ＳＲの配置により、第２の半導体素子２４の上端２４ｄを前記図２に示す第２の半導体素子２１の上端２１ｄよりも外側に位置させることができる。
【０１５１】
従って、ダイシングを行う際のスクライブ領域をより減少させることができ、１枚の半導体基板に於ける当該第２の半導体素子２４の取り数を増加せしめることができ、半導体装置の生産性が向上する。
【０１５２】
＜第５の実施の形態＞
次に、本発明の第５の実施の形態として、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）の他の形態を示す。
【０１５３】
当該第５の実施の形態にかかる、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１０４を、図１５に示す。
図１５（Ｂ）は、平面形状を示す図１５（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１５（Ａ）にあっては、封止用樹脂の表示を省略している。また、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１５４】
当該半導体装置１０４にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、接着部材３５を介して第２の半導体素子２５が搭載・固着されている。
【０１５５】
当該第２の半導体素子２５は、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置され、その外周縁部（エッジ部）が、第１の半導体素子の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。図示される状態にあっては、当該第２の半導体素子２５は、第１の半導体素子２０と直交する方向に位置して搭載・配置されている。
【０１５６】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４０によって、また、前記第２の半導体素子２５の電極パッド２５ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４１によって接続されている。
【０１５７】
これら第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２５並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆されている。
【０１５８】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
当該第５の実施の形態にあっては、その特徴的構成として、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置された第２の半導体素子２５の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該接着部材３５を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面が、前記第１の実施の形態と同様に、垂直方向に立ち上がっておらず、当該第２の半導体素子２５の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【０１５９】
かかる傾斜面は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
これにより、接着部材３５は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、第２の半導体素子２５の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１６０】
この様に、第５の実施の形態に於ける半導体装置１０４にあっては、第１の半導体素子２０と交差する方向に搭載・配置された第２の半導体素子２５と接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【０１６１】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０のトランスファー成形中に、接着部材３５の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、封止用樹脂５０中の無機フィラーの接着部材３１中への侵入が防止・抑制される。
【０１６２】
また、傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、無機フィラーの流動が阻害されず、接着部材３５の端部に於ける無機フィラーの停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラーの接着部材３５への侵入が防止・抑制される。
【０１６３】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３５の端部が第２の半導体素子２５の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラーが当該接着部材３５に侵入した場合であっても、当該無機フィラーが第２の半導体素子２５の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０１６４】
この様に、本第５の実施の形態によれば、交差する如く積層された二つの半導体素子間に於いても、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂの直上に位置する接着部材３５の端部への無機フィラーの侵入が防止・抑制され、当該第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が有効に防止される。
【０１６５】
尚、かかる構成に於いて、半導体素子を構成する半導体材料、半導体素子製造プロセス、回路基板材料、導電層材料、接着部材材料、積層方法、ボンディングワイヤ材料、封止用樹脂材料、並びに樹脂封止方法などは、前記第１の実施の形態に於いて示した材料、あるいは手段と同様であることから、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１６６】
また、前記第２の半導体素子２５接着部材３５の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様の形態に限られるものではなく、前記第２乃至第４の実施の形態に於ける形態を適宜適用することができる。
【０１６７】
＜第６の実施の形態＞
本発明の第６の実施の形態として、前記実施の形態に於ける封止構造とは異なる封止構造を示す。
【０１６８】
本第６の実施の形態である半導体装置１０５にあっては、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子が、所謂リードフレーム上に積層されて搭載・支持された半導体装置構造を有する。
【０１６９】
かかる状態を、図１６に示す。尚、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
即ち、当該半導体装置１０５にあっては、第１の半導体素子２０は接着部材３０を介してダイステージ１３ａ上に搭載・固着されており、当該第１の半導体素子２０上には接着部材３１を介して第２の半導体素子２１が搭載・固着されている。
【０１７０】
当該第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓとされている。
そして、第１の半導体素子２０並びに第２の半導体素子２１それぞれに於ける電極パッド２０ａ、２１ａと、外部接続用リードフレーム１３のインナーリード部１３ｂとの間は、ボンディングワイヤ４５、４６により接続されている。
【０１７１】
更に、前記ダイステージ１３ａ上の第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２１、ボンディングワイヤ４５、４６、並びにインナーリード部１３ｂを覆って封止用樹脂５０が被覆されている。
【０１７２】
当該封止用樹脂５０の外部へは、前記インナーリード部１３ｂに連続するアウターリード部１３ｃが導出され、外部接続端子を構成している。
かかる構造にあっても、第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓを具備していることから、封止用樹脂５０をトランスファーモールド法により被覆する際、接着部材３１中への無機フィラーの侵入が防止される。
【０１７３】
従って、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生は、有効に防止される。
尚、前記ダイステージ１３ａ、外部接続用リードフレーム１３は、鉄−ニッケル合金、銅、銅合金等の金属を主体として構成される。
【０１７４】
また、前記アウターリード部１３ｃは、図示される所謂ガルウィング状の屈曲形状の他、Ｊ字状、Ｌ字状等の形状であってもよい。
そして、前記第２の半導体素子２１と接着部材３１の外周縁部（エッジ部）側面は、前記第１の実施の形態と同様の形態に限られるものではなく、前記第２乃至第４の実施の形態に於ける形態を適宜適用することができる。
【０１７５】
次いで、本発明の第７の実施の形態として、積層される半導体素子２０と半導体素子２１との間に、スペーサを配しての積層構造に於いて、本発明思想を適用した例を示す。
＜第７の実施の形態＞
本発明の第７の実施の形態として、回路基板上に複数の半導体素子が積層して搭載される半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）の、更に他の形態を示す。
【０１７６】
当該第７の実施の形態にかかる、半導体素子積層型の半導体装置（チップ積層型半導体装置）１０６を図１７に示す。
図１７（Ｂ）は、平面形状を示す図１７（Ａ）に於ける、線Ａ−Ａに沿った断面を示している。尚、図１７（Ａ）にあっては、封止用樹脂の表示を省略している。また、前記第１の実施の形態に於ける部材に対応する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１７７】
当該半導体装置１０６にあっては、回路基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して第１の半導体素子２０が搭載・固着され、当該第１の半導体素子２０上には、当該第１の半導体素子２０よりも小面積を有する板状のスペーサ部材（間隔設定部材）２６が接着部材３６を介して搭載・固着されている。
【０１７８】
そして、当該スペーサ部材２６上に、接着部材３７を介して、第２の半導体素子２７が搭載・固着されている。
当該第２の半導体素子２７は、前記第１の半導体素子２０と同等の寸法を有して、スペーサ部材２６上に搭載されている。
【０１７９】
そして、前記第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０の電極端子１０ａとの間はボンディングワイヤ４２によって接続され、また、前記第２の半導体素子２７の電極パッド２７ａと回路基板１０の電極端子１０ｂとの間はボンディングワイヤ４３によって接続されている。
【０１８０】
これら半導体素子２０、半導体素子２７、スペーサ部材２６並びにボンディングワイヤなどは、当該回路基板１０の一方の主面を覆って配設された封止用樹脂５０により被覆されている。
【０１８１】
一方、回路基板１０の他方の主面には、電極ランド１０ｃ上に外部接続端子となる半田バンプ１１が配設されている。
この様に、第１の半導体素子２０上に、スペーサ部材２６を介して第２の半導体素子２７を搭載することにより、当該第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７との間には、当該スペーサ部材２６の厚さに対応して間隙が形成される。
【０１８２】
従って、第１の半導体素子２０上に、第２の半導体素子２７をボンディングワイヤ４２との接触を招来することなく積層配置することができ、当該半導体装置１０６に於ける第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７の組合せの自由度を高めることができる。
【０１８３】
そして、当該第７の実施の形態にあっては、その特徴的構成として、前記スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該スペーサ部材２６を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面が、垂直方向に立ち上がっておらず、当該スペーサ部材２６の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角となる傾斜面が連続して形成されている。
【０１８４】
かかる傾斜面は、スペーサ部材２６の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
従って、当該接着部材３６は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、スペーサ部材２６の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１８５】
かかる構成に於いて、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２７は、シリコン（Ｓｉ）、あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層を含む活性領域（電子回路形成領域）が形成されて構成されている。
【０１８６】
また、前記回路基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材と、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に配設された導電層を具備している。
【０１８７】
当該導電層は、銅（Ｃｕ）を主体とし、回路基板の表面及び／あるいは裏面に配設された前記電極端子及び前記電極ランドに接続されている。尚、前記電極端子及び前記電極ランドは、当該導電層の一部として形成されてもよく、また、前記電極端子の表面は下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【０１８８】
当該回路基板１０は、支持基板、配線基板あるいはインターポーザとも称される。
また、スペーサ部材２６は、シリコン（Ｓｉ）片、金属板、樹脂板あるいはセラミック板から形成される。
【０１８９】
一方、前記接着部材３０、接着部材３６並びに接着部材３７は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体として構成される。
これらの接着部材は、同一材料から形成されてもよく、または異種材料をもって形成されてもよい。尚、接着部材３０には、必要に応じて銀（Ａｇ）等の導電性粒子を含有させてもよい。
【０１９０】
また、前記ボンディングワイヤ４２、４３は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらの何れかを含む合金からなる金属細線をもって形成される。
更に、前記封止用樹脂５０としてはシリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含むエポキシ系樹脂が適用され、封止方法としては所謂トランフファーモールド法が適用される。
【０１９１】
図１７に示したところの、本発明の第７の実施の形態に於ける半導体装置１０６の要部断面を、図１８に示す。
即ち、前記スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面、並びに当該スペーサ部材２６を前記第１の半導体素子２０に固着する接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面が、第１の半導体素子２０から垂直方向に立ち上がっておらず、スペーサ部材２６の下に於ける第１の半導体素子２０の上面からみて鋭角θをなす傾斜面Ｓが連続して形成されたものとされている。
【０１９２】
当該傾斜角θは、３０〜６０°とされる。
かかる傾斜面Ｓは、当該接着部材３６とスペーサ部材２６の積層構造体の、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分の全てにわたって設けられる。
【０１９３】
従って、当該接着部材３６は、少なくとも第１の半導体素子２０の活性領域上に位置する部分にあっては、スペーサ部材２６の裏面に接する面積よりも大なる面積をもって、当該第１の半導体素子２０の活性領域上の表面に接している。
【０１９４】
尚、部位２６ｄは、スペーサ部材２６上面端部であり、また、部位３６ｄは、接着部材３６の第１の半導体素子２０上に於ける端部である。
この様に、少なくとも前記接着部材３６が傾斜面Ｓを具備することにより、封止用樹脂５０内に含まれる無機フィラー５１は、当該接着部材３６の傾斜面Ｓに当接することとなる。
【０１９５】
従って、接着部材３６の端部に位置し、当該接着部材３６に当接する無機フィラー５１Ａに対するランスファー成形の際の圧力Ｆは、前記図３（Ｂ）を用いて示した如く分散される。
【０１９６】
かかる応力の分散より、接着部材３６への応力が緩和され、当該接着部材３６への無機フィラー５１Ａの入り込み、侵入が防止される。
また、スペーサ部材２６並びに接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に、連続した傾斜面Ｓが形成されているので、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、かかる傾斜面近傍にあっては、無機フィラー５１の流動が制限されない。
【０１９７】
従って、無機フィラー５１の停滞が防止され、かかる点からも無機フィラー５１の接着部材３６への入り込み、侵入を防止することができる。
更に、接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面は、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面に連続する如く、傾斜面Ｓを有して形成されている。
【０１９８】
従って、当該接着部材３６は、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）よりも、外側に延出している。
これにより、無機フィラー５１Ａが当該接着部材３６に侵入したとしても、接着部材３６の端部が外側に突出している距離だけ、スペーサ部材２６と第１の半導体素子２０との間に侵入し難い。
【０１９９】
即ち、トランスファー成形中の無機フィラー５１Ａの移動距離を稼ぐことができ、これにより、無機フィラー５１のスペーサ部材２６下への侵入を防止・抑制することができる。
【０２００】
この様な作用により、トランスファー成形中に、封止用樹脂５０中の無機フィラー５１がスペーサ部材２６と第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂとの間に到達することが防止され、当該無機フィラー５１の存在に基づく第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生を防止することができる。
【０２０１】
尚、スペーサ部材２６並びに接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜角θは、３０〜６０°の範囲に設定される。
この傾斜角θが小さければ、封止用樹脂５０からの応力をより分散させ、且つ接着部材３６の外周縁部（エッジ部）端部を、スペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）端部から、より遠い位置とすることができる。
【０２０２】
しかし、傾斜角θを３０°よりも小さなものとすると、スペーサ部材２６を半導体基板から個片化して形成する際、スクライブ領域幅（切断しろ）を大きく確保する必要性が生じ、当該スペーサ部材２６の取り数が減少する。従って、傾斜角θは、３０°以上に設定することが好ましい。
【０２０３】
一方、前記傾斜角θを６０°よりも大きなものとすると、接着部材３６の端部に於いて封止用樹脂５０から受ける応力を十分に分散させることができない。従って、傾斜角θは、６０°以下に設定することが好ましい。
【０２０４】
尚、当該スペーサ部材２６及び接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に形成される傾斜面の形状は、上記形状に限られるものではなく、前記第２乃至第５実施の形態に於いて示したところの、第２の半導体素子及びその下に配設される接着部材の外周縁部（エッジ部）側面形状から選択することも可能である。
【０２０５】
また、第１の半導体素子２０上にスペーサ部材２６を複数個配置する場合には、それぞれのスペーサ部材及びその下に配設される接着部材に於いて、その外周縁部（エッジ部）側面に連続する傾斜面が配設される。
【０２０６】
次に、このようなスペーサ部材２６を適用してなる半導体装置１０６の製造方法について、図１９及び図２０を用いて説明する。
まず、回路基板１０上に、複数の半導体素子がスペーサ部材２６を介して積層・配置される工程を、図１９に示す。
【０２０７】
即ち、回路基板１０の一方の主面に、第１の半導体素子２０を搭載・固着する。
当該第１の半導体素子２０は、その裏面に予め接着部材３０が配設されており、ボンディングツール７０に吸着・保持されている。また、回路基板１０は、ボンディングステージ（図示せず）上に吸着・保持され、必要に応じて、例えば５０℃〜１５０℃に加熱されている。
【０２０８】
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に対向させ、矢印の方向に半導体素子２０を回路基板１０に対して降下せしめる。
そして、第１の半導体素子２０を回路基板１０に抗してボンディングツール７０により押圧し、回路基板１０に若干荷重を与える。
【０２０９】
かかる荷重の印加により、当該第１の半導体素子２０は、その裏面に固着させた接着部材３０のタック性（粘着性）により、回路基板１０上に固着される（図１９（Ａ）参照）。
【０２１０】
当該接着部材３０のタック性（粘着性）は、回路基板１０からの加熱によって発現させるようにしてもよい。
尚、ここでは接着部材３０を予め第１の半導体素子２０の裏面に配設したが、これに代えて、接着部材３０を予め回路基板１０上に貼付け、塗布等により配設しておき、第１の半導体素子２０を回路基板１０上に搭載してもよい。
【０２１１】
この結果、かかる第１の半導体素子２０は、その活性領域（電子回路形成領域）形成面を上として、回路基板１０上に固着される。
次いで、前記第１の半導体素子２０上に、スペーサ部材２６を搭載する。
【０２１２】
即ち、ボンディングツール７１によって吸着・保持されたスペーサ部材２６を、第１の半導体素子２０に向かって降下させ、当該スペーサ部材２６を第１の半導体素子２０上に、接着部材３５のタック性（粘着性）により接着する（図１９（Ｂ）参照）。
【０２１３】
尚、スペーサ部材２６の搭載は、回路基板１０及び第１の半導体素子２０を、例えば５０℃〜１５０℃に加熱しつつ行ってよい。かかる場合には、当該加熱によって接着部材３５のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【０２１４】
尚、搭載されたスペーサ部材２６、接着部材３６の外周縁部（エッジ部）端部には、前述の如く、連続した傾斜面Ｓが形成されている。
かかる積層構造に於いて、スペーサ部材２６は、前記第１の半導体素子２０よりも小なる外形寸法を有し、その外周縁部（エッジ部）の少なくともその一部は、前記第１の半導体素子２０の活性領域（電子回路形成領域）上に位置して搭載されている。
【０２１５】
しかる後、第１の半導体素子２０の電極パッド２０ａと回路基板１０上の電極端子１０ａとの間をボンディングワイヤ４２により接続する（図示せず）。
この時、当該ボンディングワイヤ４２のワイヤーループの高さを、前記スペーサ部材２６表面の高さよりも低いものとする。
【０２１６】
次いで、前記スペーサ部材２６上に、第２の半導体素子２７を搭載・固着する。
即ち、ボンディングツール７２によって吸着・保持された第２の半導体素子２７を、スペーサ部材２６に向かって降下させ、当該第２の半導体素子２７を、スペーサ部材２６上に接着部材３７のタック性（粘着性）により接着する（図１９（Ｃ）参照）。
【０２１７】
尚、第２の半導体素子２７の搭載は、回路基板１０、第１の半導体素子２０及びスペーサ部材２６を、例えば５０℃乃至１５０℃に加熱しつつ行ってもよい。かかる場合、当該加熱により、接着部材３７のタック性（粘着性）を発現させてもよい。
【０２１８】
これらの工程により、第１の半導体素子２０、スペーサ部材２６、第２の半導体素子２７が回路基板１０上に積層して配設される。
次いで、当該第２の半導体素子２７の電極パッド２７ａと、前記回路基板１０上の電極端子１０ｂとの間を、ボンディングワイヤ４３により接続する（図示せず）。
【０２１９】
しかる後、前記回路基板１０の一方の主面に搭載、配置された第１の半導体素子２０、スペーサ部材２６、第２の半導体素子２７、ボンディングワイヤ４１、４２等を被覆して封止用樹脂５０を配設する（図示せず）。
【０２２０】
当該封止用樹脂５０の被覆は、所謂トランスファーモールド法を適用することができる。
かかるトランスファーモールド法を適用しても、スペーサ部材２６下に配設された接着部材３６中への無機フィラーの入り込み、侵入は生じない。
【０２２１】
かかる樹脂モールド工程の後、前記回路基板１０の他方の主面（裏面）に配設されている電極ランド１０ｃ上に、外部接続端子を構成する半田バンプ１１をリフロー法により形成する（図示せず）。
【０２２２】
これらの工程により、回路基板１０上に半導体素子２０、２７間にスペーサ部材２６が積層して配設された、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造を有する半導体装置１０６が形成される。
【０２２３】
尚、当該半導体装置１０６に於いて、半田バンプ１１の配設を省略し、電極ランド１０ｃを外部接続端子としたＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ構造としてもよい。
【０２２４】
この様に、第７の実施の形態に於ける半導体装置１０６にあっては、スペーサ部材２６と接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に、傾斜角θを有する連続した傾斜面Ｓが配設されている。
【０２２５】
かかる連続した傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際に、接着部材３６の側面が封止用樹脂５０から受ける応力が分散され、当該封止用樹脂５０中の無機フィラー５１の、接着部材３６中への侵入が防止・抑制される。
【０２２６】
また、当該傾斜面Ｓの存在によって、封止用樹脂５０をトランスファー成形法にて被覆する際、無機フィラー５１の流動が阻害されず、接着部材３６の端部に於ける無機フィラーの停滞が抑制される。これによっても当該無機フィラー５１の接着部材３５への侵入が防止・抑制される。
【０２２７】
更に、当該傾斜面Ｓの存在によって、接着部材３６の端部がスペーサ部材２６の外周縁部（エッジ部）側面端部よりも外側に位置することとなり、無機フィラー５１が当該接着部材３６に侵入した場合であっても、当該無機フィラー５１がスペーサ部材２６の下部に至る移動距離を大きくすることができる。
【０２２８】
この様に、本第７の実施の形態によれば、無機フィラー５１の接着部材３６の端部への侵入が防止・抑制され、第１の半導体素子２０の活性領域２０ｂに於ける損傷の発生が防止される。
【０２２９】
また、本第７の実施の形態では、第１の半導体素子２０が形成された半導体基板の裏面に接着部材３０を、また、第２の半導体素子２７が形成された半導体基板の裏面に接着部材３７を、予め配設している。
【０２３０】
従って、第１の半導体素子２０の回路基板１０上への搭載・固着工程、並びに第２の半導体素子２７のスペーサ部材２６上への搭載・固着工程に於いては、接着部材３０及び接着部材３７の個別の配設が不要である。
【０２３１】
また、かかる接着部材３０、接着部材３６並びに接着部材３７として、熱可塑性樹脂を用いることができる。従って、タック性（粘着性）を生じる樹脂材料の選択が容易である。
【０２３２】
上述の如く、本第７の実施の形態によれば、封止用樹脂５０のトランスファー成形に於いて、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることができる。
従って、封止用樹脂材料の流動性の調整が容易となり、樹脂封止処理を行う際、モールド成形金型への樹脂充填性を向上させることができる。
【０２３３】
更に、無機フィラー５１を含有する封止用樹脂材料を用いることにより、硬化後の封止用樹脂の熱膨張率の調整が容易になる。
従って、前記第１の半導体素子２０、第２の半導体素子２７と、回路基板１０との熱膨張率のミスマッチングによる応力集中を緩和することができる。
【０２３４】
また、前記スペーサ部材２６と接着部材３６の外周縁部（エッジ部）側面に於ける傾斜面Ｓの傾斜角θの調整は、当該スペーサ部材２６を半導体基板から切り出すことにより、ダイシングブレードのブレード先端部の先端形状を変更することにより容易に調整することができる。
【０２３５】
従って、製造工程あるいは半導体装置としての構成部材を変更する必要がなく、高い生産性をもって半導体装置１０７を製造することができる。
この様に、本第７の実施の形態によれば、複数の半導体素子を積層して搭載した半導体装置を、高い製造歩留り、信頼性をもって製造することができる。
【０２３６】
従って、より高機能化が求められている半導体装置の製造に有効である。
更に、本第７の実施の形態によれば、スペーサ部材２６を介して第２の半導体素子２７を搭載することにより、第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７との間には、スペーサ部材２６の厚さに対応して間隙が形成される。
【０２３７】
従って、第１の半導体素子２０上に位置して、第２の半導体素子２７をボンディングワイヤ４２との接触を生ずることなく積層配置することができる。
更に、当該半導体装置１０７に於ける、第１の半導体素子２０と第２の半導体素子２７の組合せの自由度を高めることができ、種々の機能を有する半導体装置の形成に対応することができる。
【０２３８】
（付記１） 支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【０２３９】
（付記２） 支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、
前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【０２４０】
（付記３） 前記第１の半導体素子の活性領域上の位置に位置する接着部材は、その外周端面が鋭角をなす傾斜面であることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
（付記４） 前記第２の半導体素子の外周端面及び前記接着部材の外周端面において、傾斜構造を有していることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０２４１】
（付記５） 前記第２の半導体素子の外周端面の少なくとも一部及び前記接着部材の外周端面により連続する傾斜面を形成することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記６） 前記スペーサの外周端面及び前記接着部材の外周端面において、傾斜構造を有していることを特徴とする付記２記載の半導体装置。
【０２４２】
（付記７） 前記第２の半導体素子の主面の一部が、前記第１の半導体素子の搭載領域から突き出し、前記第１の半導体素子並びに前記第２の半導体素子が交差していることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０２４３】
（付記８） 前記接着部材の材質が熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする付記１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
（付記９） 前記封止用樹脂に無機フィラーが含有されていることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
【０２４４】
（付記１０） 前記支持基板が回路基板またはリードフレームのダイステージであることを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。
（付記１１） 支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、
複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、
前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２４５】
（付記１２） 一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、
前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２４６】
（付記１３） 前記ダイシングブレードの先端部の断面が逆等脚台状または曲面または２段階の傾斜面であることを特徴とする付記１１または１２記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２４７】
【図１】本発明による半導体装置の第１の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図２】本発明による半導体装置の第１の実施の形態に於ける半導体素子の要部拡大断面図。
【図３】接着部材の端部への無機フィラーの入り込みが抑制される理由を説明する要部拡大断面図。
【図４】接着部材の端部への無機フィラーの入り込みが抑制される他の理由を説明する要部拡大断面図。
【図５】半導体ウェハをダイシングテープに固着する工程を示す要部断面模式図。
【図６】ダイシングにより半導体ウェハ状を個片化する工程を示す要部断面模式図。
【図７】回路基板上に複数個の半導体素子を積層配置する工程を示す要部断面模式図。
【図８】ワイヤボンディング工程並びに樹脂封止工程を示す要部断面模式図。
【図９】本発明による半導体装置の第２の実施の形態を示す要部断面図。
【図１０】本発明による半導体装置の第２の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１１】本発明による半導体装置の第３の実施の形態を示す要部断面図。
【図１２】本発明による半導体装置の第３の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１３】本発明による半導体装置の第４の実施の形態を示す要部断面図。
【図１４】本発明による半導体装置の第４の実施の形態にかかるダイシングにより半導体素子の個片化工程を示す要部断面模式図。
【図１５】本発明による半導体装置の第５の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図１６】本発明による半導体装置の第６の実施の形態を示す要部断面図。
【図１７】本発明による半導体装置の第７の実施の形態を示す要部平面図及び要部断面図。
【図１８】本発明による半導体装置の第７の実施の形態に於ける積層部の要部拡大断面図。
【図１９】複数の半導体素子を回路基板上に積層する工程を説明する要部断面模式図。
【図２０】従来の半導体素子積層型半導体装置の要部断面模式図。
【図２１】封止用樹脂中の無機フィラーが接着部材の側面に入り込む現象を説明する要部断面模式図。
【符号の説明】
【０２４８】
１０、２０１ 回路基板
１０ａ、１０ｂ ２０８、２０９ 電極端子
２０ａ、２１ａ、２７ａ、２０６，２０７ 電極パッド
１０ｃ 電極ランド
１１ 半田バンプ
１３ａ ダイステージ
１３ｂ インナーリード
１３ｃ アウターリード
２０、２１、２２、２３、２４、２５、２７、２０２、２０３ 半導体素子
２６ スペーサ部材
２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ 活性領域
２１ｃ、３１ｃ 側面
２１ｄ、２２ｄ、２３ｄ、２４ｄ、２６ｄ 上端
３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、２０４，２０５ 接着部材
３１ｄ、３２ｄ、３３ｄ、３４ｄ、３６ｄ 下端
４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、２１０、２１１ ボンディングワイヤ
５０、５２、２１２ 封止用樹脂
５１、２１３ 無機フィラー
２１ＷＦ 半導体基板
６０ リングフレーム
６１ ダイシングシート
６２、６３、６４、６５ ダイシングブレード
６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａ 切削部
７０、７１、７２ ボンディングツール
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、２００ 半導体装置
Ｆ、ｆ１、ｆ２ 応力
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２、ＳＲ 傾斜面
ＳＲｂ 曲面
θ 傾斜角
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、
前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体素子の活性領域上の位置に位置する接着部材は、その外周端面が鋭角をなす傾斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、
複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、
前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、
前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記第２の半導体素子と接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板上に配設された第１の半導体素子と、
外周端部の少なくとも一部が前記第１の半導体素子の活性領域上に位置して、前記第１の半導体素子上に接着部材を介して配設されたスペーサと、
前記スペーサ上に配設された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子を封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記接着部材の、前記第１の半導体素子と接する面積が、前記スペーサと接する面積よりも大とされてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体素子の活性領域上の位置に位置する接着部材は、その外周端面が鋭角をなす傾斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
支持基板上に第１の半導体素子を配設する工程と、
複数個の第２の半導体素子が形成された半導体基板を、接着部材を介して支持体上に配置する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記半導体基板をダイシング処理し、前記第２の半導体素子を前記接着部材と共に個片化する工程と、
前記第２の半導体素子を、前記接着部材を介して、前記第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
一方の主面に接着部材が配置された板状スペーサ部材を準備する工程と、
切削部に傾斜面を有するダイシングブレードを用いて、前記板状スペーサ部材を前記接着部材と共にスペーサに個片化する工程と、
前記スペーサを、前記接着部材を介して第１の半導体素子上に搭載する工程と、
前記スペーサ上に、第２の半導体素子を搭載する工程と、
前記第１の半導体素子、前記スペーサ及び前記第２の半導体素子とを樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００８−２７７３９１（Ｐ２００８−２７７３９１Ａ）
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１６７１１（Ｐ２００７−１１６７１１）
【出願日】平成１９年４月２６日（２００７．４．２６）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月２６日（２００７．４．２６）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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