【課題】リードの側面またはリードの下部に形成された残留樹脂の剥がれによって起こるリード同士の間のショートの発生を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】隣り合うリード３、ダムバー１２および封止体２によって囲まれたダム部１２ａに形成されたダム内樹脂に対し、リード３の主面側およびリード３の裏面側からそれぞれ複数回レーザ光を照射することで、リード３の側面またはリード３の下部に形成されたダム内樹脂を残さず除去する。 （もっと読む）

【課題】安価で防水・防塵性に優れた湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度変化を測定する湿度センサと、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口４２ａを有する保護部材４２とを備えた湿度センサパッケージ１において、保護部材及び封止樹脂２０上に、保護部材の吸湿口に当接し、該保護部材の周囲で封止樹脂により接着された多孔質ＰＴＦＥ膜３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の製造歩留まりを向上させ、多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２を封止する樹脂封止体３を成形した後、樹脂封止体３の外縁に沿ったライン（モールドライン）よりも内側（樹脂封止体３の中心側）に位置するカットラインＣに沿って樹脂封止体３の周辺部およびリードフレームＬＦ_１を共に切断することにより、樹脂封止体３の側面（切断面）に露出するリード５の全周（上面、下面および両側面）が樹脂によって覆われた状態になるので、リード５の切断面に金属バリが発生しない。 （もっと読む）

【課題】平面性と放熱性を良好に保ちうる高出力マルチチップモジュールパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】マルチチップモジュール５５に収容される回路素子５４の頂面の周縁に、溝７５としての凹部を形成する。回路素子５４の頂面を覆うようにフィルム７０を形成するとき、過剰なフィルム材料は、回路素子５４頂面の凹部に流れ込む。回路素子５４の側面を取り囲むように成形材料が注入されたときに、この成形材料は、フィルム７０によって覆われている回路素子５４の頂面に被ることはない。この際、回路素子頂面の凹部が、過剰なフィルム材料を収容し、フィルム材料が、回路素子５４の側面を覆って、回路素子５４と成形材料の間に気泡が生じることは避けられる。このマルチチップモジュール５５は、凹部が形成された回路素子５４の頂面が、同じ回路基板４０上の他の回路素子の頂面よりも高い位置にあるときに、特に有利な効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】 第１に薄型化に優れ、第２に高接続信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が電気的に接続されている導電性金属層パターン及び半導体素子の下方にダイボンド材を介して配線用の導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、導電性金属層パターンが厚さ方向で一部、突出して露出されている半導体装置。導電性金属層の突出量が厚さ方向で１μｍ以上で金属層厚さの１／２以下の厚さであり、その断面形状で最大幅となる部分が封止材又はダイボンド材に埋没していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】信頼性を高めた半導体装置の製造方法を提供し、また、工程の簡素化を図る。
【解決手段】電極パッドと保護膜とを有する半導体集積回路を含む半導体チップが複数配置された半導体基板と、半導体基板を覆う絶縁層とを設けた半導体基板実装体を個片化して形成された半導体装置の製造方法であって、半硬化状態の絶縁層を有する半導体基板実装体の個片を形成する、個片化工程Ｓ１０４と、個片化工程Ｓ１０４に引き続き、半導体基板実装体の個片の半硬化状態の絶縁層を、押し延ばし、半導体チップの側面に回し込ませて、半導体チップの側面に密着した保護層を形成する、個片の側面保護層形成工程Ｓ１０５とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粘着テープを仮固定用支持体として用いた基板レス半導体パッケージの製造方法においては、樹脂封止の際の圧力によりチップが保持されず、指定の位置からずれ、配線とチップの相対的な位置関係もずれる。また、粘着テープを剥離する際に糊残りが発生し、パッケージ表面を汚染して、その後の配線工程で、配線とチップとの接続を妨害することになる。これらの問題点を解決する耐熱性粘着シートを提供する。
【解決手段】基板レス半導体チップを樹脂封止する際に、貼着して使用される半導体装置製造用粘着シート２であって、前記粘着シート２は基材層と粘着剤層とを有し、粘着剤層中にゴム成分およびエポキシ樹脂成分を含み、粘着剤中の有機物に占めるゴム成分の割合が20〜60重量%であることを特徴とする半導体装置製造用耐熱性粘着シートを用いて、基板レス半導体チップを樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止パッケージの一括モールドによる成形時において、成形硬化樹脂とサブストレートの熱膨張係数の差により一括樹脂封止基板の中央部分が持ち上げられて、次工程に悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、後の工程で個々の半導体装置に個片化される複数のデバイス領域（１４）を有する支持部材（１１）を一括樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後の支持部材（１１）に対して、少なくとも一方向のダイシングラインに沿って、封止樹脂（１２）を貫通して前記支持部材（１１）の一部に至る溝（１３）を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】第１工程は、集合基板１０を封止樹脂にて封止する。第２工程は、電子部品モジュール１の境界部分にて、封止樹脂の天面から、集合基板１０に向かって切り込み部１７を形成する。第３工程は、切り込み部１７の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。第４工程は、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂１９を、導電性樹脂１８上に載置する。第５工程は、圧力及び熱を加えることにより、集合基板１０の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９で被覆する。第６工程は、それぞれの電子部品モジュール１に個片化する。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得る。
【解決手段】モールド材２４中に、金属パターン１００の一部が埋め込まれており、下面（裏面）ではこの十字型の構造が露出している。この裏面においては、横セクションバー１３を挟んだ共通リード１２の裏面の２箇所において、凹部１６が形成されている。図７（ｂ）に示されるように、上方のモールド材２４側から、凹部１６を含む領域で、ハーフカット加工を行う（モールド分離工程）。次に、図７（ｄ）に示されるように、２つのスルーホール４０（凹部１６）間を、フルカット加工する（切断工程）。切断工程後には、共通リード１２が左右に分割されてリード５０となる。このリード５０の中央には、スルーホール４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて製造される表面実装型半導体パッケージにおいて、リード数を容易に増加でき、かつ、製造効率向上も図ることができるようにする。
【解決手段】フレーム枠部１２、及び、その内縁から内側に延びると共にフレーム枠部１２の上面よりも上方にアップセットされた複数のリード４を備えた複数枚のリードフレーム１１を用意する。互いに異なるリードフレーム１１のリード４同士が離間するように複数枚のリードフレーム１１を重ね合わせ、一のリードフレーム１１Ａのステージ部３の上面に半導体チップ２を固定し、半導体チップ２と複数のリード４とを電気接続する。そして、半導体チップ２、ステージ部３及びリード４を樹脂モールド部５により埋設した後に、フレーム枠部１２の下面側からフレーム枠部１２を削り取ることで、複数のリード４を電気的に分断すると共に各リード４の基端部を樹脂モールド部５の下面から外方に露出させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で半導体装置を製造する。
【解決手段】本実施形態における半導体装置の製造方法は、主面に半導体チップが搭載され、裏面に樹脂封止用粘着テープが貼り付けられたリードフレームを樹脂封止して樹脂封止体を形成後に、樹脂封止用粘着テープ上に、ダイシング用粘着テープを重ねて貼り付けて、リードフレームを樹脂封止体側からダイシングして半導体チップごとに個片化している。この際、樹脂封止用粘着テープ上にダイシング用粘着テープが積層されているため、樹脂封止体を完全に切断しつつダイシング用粘着テープまでは完全に切断せずに残すことができる。そして、ダイシング後に、樹脂封止用粘着テープの粘着性を低下させる。これにより、リードフレームから、樹脂封止用粘着テープ及びダイシング用粘着テープを一括して剥離でき、ダイシング工程前の樹脂封止用粘着テープ剥離工程を削減できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、指紋センサ用半導体装置の実装面積を縮小化し、組立、テスト工程の処理能力を向上させて製造コストを削減し、実装信頼性を向上させることを課題とする。
【解決手段】 半導体装置１０は、所定の機能を提供する機能面を有する。半導体装置は、電極１１ａが形成された回路形成面と反対側の背面とを有し、回路形成面の一部が機能面であるセンサ面１１ｂとして機能する半導体素子１１を有する。半導体素子１１の背面上に配線１４が形成される。接続部１５は、回路形成面と背面との間を貫通して延在し、電極１１ａと配線１４とを電気的に接続する。外部接続端子１２は配線１４に接続され、半導体装置１０の背面側で半導体装置の外部に露出する。 （もっと読む）

【課題】封止体を有する半導体装置の製造方法では、成型金型を有するモールド装置を用いて行われる。しかし、一般に成型金型の構造は、複雑に構成されているため、封止体を形成する工程を行った後、モールド装置から取り出した基材の表面には、レジン・バリが形成されている。レジン・バリが付着した状態で基材を次の工程に流すと、付着したレジン・バリが異物となって飛散する恐れがある。そして、異物が飛散すると、次に搬送されてきた基材に飛散した異物が付着する。これにより、半導体装置の信頼性が低下、あるいは製品不良となるため、モールド工程により形成されたレジン・バリは、できるだけ早い段階で除去することが重要であることが、本願発明者の検討により明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、レジン・モールド装置内において、レジン・バリを除去するものである。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２の一方主面１２ｂに樹脂層１４が形成され、他方主面１２ａ側から分割溝１３が形成された集合基板１０を準備する。集合基板１０の基板１２側かつ分割溝１３ｘの両側に第１の治具３２，３４を配置するとともに、集合基板１０の樹脂層１４側に分割溝１３ｘに対向するように第２の治具３０を配置した後、第１の治具３２，３４と第２の治具３０とを相対的に移動させて、第１の治具３２，３４により基板１２の分割溝１３ｘの両側を樹脂層１４側に押圧し、第２の治具３０により樹脂層１４を分割溝１３ｘに沿って基板１２側に押圧することにより基板１２及び樹脂層１４を折り曲げ、分割溝１３ｘに沿って基板１２から樹脂層１４に亀裂１６を進展させて基板１２及び樹脂層１４を分割することにより、電子部品の個片を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線基板内に発生する様々な反りを効果的に抑制し、反りのない製品の製造を可能とする。
【解決手段】配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止している樹脂を加熱する際に該樹脂の上に搭載される冶具であって、枠部と、枠部に着脱可能に保持された複数の加重個片とを有し、複数の加重個片には、相対的に熱伝導率が小さな第１の加重個片と、相対的に熱伝導率が大きな第２の加重個片が１つ以上含まれている。 （もっと読む）

【課題】チップの搭載を短時間で確実に実施できるようにする。
【解決手段】基板１０上にＢステージ化したフィルム接着剤２１を設け、フィルム接着剤２１を介してチップ１を基板１０に仮固定する。さらに、チップ１上に封止フィルム４１を供給してから、プレスヘッド４３で押圧する。プレスヘッド４３の温度を調整して、最初に封止フィルム４１のみを軟化させてチップ１間の空間４０に封止フィルム４１の材料を充填させる。次に、プレスヘッド４３の温度を上昇させ、フィルム接着剤２１を軟化させてバンプ２と電極パッド１３Ａを接続させる。この後、プレスヘッド４３の温度をさらに上昇させてフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をＣステージ化する。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂封止材料を用いてトランスファー成形することによって半導体素子を樹脂封止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子が接合されるリードフレームやリード線をトランスファー成形金型に固定し、このトランスファー成形金型にエポキシ樹脂封止材料をトランスファー成形機により加圧充填して硬化させることにより、半導体素子を樹脂封止するものである。半導体素子をエポキシ樹脂でトランスファーモールドする際に、まず、エポキシ樹脂を第１の金型温度及び第１の成形時間で注入し、その後、第１の金型温度よりも高い第２の金型温度及び第２の成形時間でエポキシ樹脂を硬化するものである。第１の金型温度を１５０℃の状態で第１の成形時間を２０秒間保持した後、事前に設定しておいた第２の金型温度を１７５℃に自動で昇温させて第２の成形時間を１０秒間保持した。 （もっと読む）

【課題】熱膨張によって半導体装置に生じる反り、及び外部電極の破損を低減し、半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】一面に電極パッド５ａが設けられた半導体チップ５と、一面に接続パッドが設けられたサブ配線基板６と、電極パッド５ａと接続パッド６ａとを電気的に接続する接続部材と、一面にサブ配線基板６が搭載され、サブ配線基板６の接続パッド６ａと電気的に接続される外部端子１１が設けられたメイン配線基板７と、半導体チップ５の外周全体を覆って設けられ、メイン配線基板７の一面側に半導体チップ５を固定する封止樹脂材９と、を備える。サブ配線基板６は、メイン配線基板７の厚み方向において、メイン配線基板７と半導体チップ５との間に位置されている。 （もっと読む）