【課題】パッケージ部の両側に接続する不要樹脂を効率よく分離できるディゲート装置を提供する。
【解決手段】ディゲートパレット２７に載置された成形品１８に対してディゲートハンド２８の１回目の上下動で第１不要樹脂１８ｄを切断刃４４ｄにより分離し、２回目の上下動とディゲートパレット２７の回動軸３１を中心とする回転との組み合わせで第２不要樹脂１８ｃを分離する。 （もっと読む）

【課題】電子部品及び基板に応じてアンダーフィルの線膨張係数の最適化を図り、耐衝撃性の向上だけでなく熱疲労等による接合部の不良発生を低減することができる電子部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩパッケージ１と基板２との接合部に形成されたアンダーフィル３に中央領域３５と各辺に沿って４等分した領域に複数の周辺領域３１〜３４が設定され、これら各領域３１〜３５が互いに異なる方向に揃えて前記磁性体４を配向する。 （もっと読む）

【課題】現在、製品コストを下げるため、リードフレーム形状は、シングルフレーム（単列型多連）からマトリクスフレーム（多列多連）に移行する製品が多くを占めるようになってきている。これに伴い、モールド金型の流路も複雑になるため、モールド後のタイバー内のレジン未充填不良が多発している。
【解決手段】本願発明は、ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、レジンモールド（たとえば、トランスファ・モールド）後のレジン封止体の外周のダム内樹脂部材（タイバー内樹脂体）の状態をタイバーの切断より前に、透過照明の下でカメラによって観測するものである。 （もっと読む）

【課題】環状オレフィンモノマーを開環メタセシス重合して得られる熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂を含み、封止材、プリプレグ、接着剤に使用される樹脂との十分な離型性を有するフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムを、環状オレフィンモノマー、極性基変性ハロゲン化炭化水素、必要に応じて熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む重合性組成物を開環メタセシス重合して得る。重合性組成物は、環状オレフィンモノマー及び熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物の合計質量１００質量部に対して０．１〜６質量部の極性基変性ハロゲン化炭化水素を含むと共に、４０質量部以下の熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む。 （もっと読む）

【課題】小型かつセンサ感度の高い半導体装置を簡単かつ低コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、配線基板１０１と、センサ機能領域１０３を有する半導体素子１０２と、センサ機能領域１０３を覆う樹脂１０６と、封止樹脂１０７とを備える半導体装置１００の製造方法であって、半導体素子１０２が搭載された配線基板１０１を上金型１０４に保持させる配線基板保持工程と、第１樹脂材料の一部を柱状に成形して保持させる樹脂保持工程と、配線基板保持工程及び樹脂保持工程の後、上金型１０４と下金型１０５とを、センサ機能領域１０３と柱状に成形された第１樹脂材料とが当接するようにクランプすることにより第１樹脂層を形成する樹脂形成工程と、樹脂形成工程の後、上金型１０４と下金型１０５との隙間に第２樹脂材料を充填することにより第２樹脂層を形成する封止樹脂形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の両面に硬化度が異ならないように樹脂層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 部品実装ベース基板２と液状樹脂２１を硬化冶具３１に収容し、部品実装ベース基板２を液状樹脂２１に浸漬する。熱硬化で部品実装ベース基板２の両主面に樹脂層８を形成し、硬化冶具から取出す。ローラ型ブレード３４で両主面の樹脂層８の上面を研磨し、ビアホール１１を形成し、外部接続用電極１２を形成し、ダイサーで分割して、モジュール基板１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）

【課題】反り等の発生を抑制した半導体パッケージを効率良く製造することができる半導体パッケージの製造装置を提供する。
【解決手段】下金型３１に対して上金型３２を型締めした状態において、第１の位置に内側金型３３を位置させることによって、第１のキャビティ空間を形成し、この第１のキャビティ空間に第１のモールド樹脂を充填した後、第２の位置に内側金型３３を移動させることによって、第２のキャビティ空間を形成し、この第２のキャビティ空間に第２のモールド樹脂を充填する。これにより、１つの製造装置３０でパッケージ基材２０に実装された半導体チップ３を第１のモールド樹脂で覆う工程と、この第１のモールド樹脂を第２のモールド樹脂で覆う工程とを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＡＰの樹脂封止工程において、樹脂をより均一に充填する。
【解決手段】各々に半導体チップが搭載される複数の搭載部がアレイ状に配置されたＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレームを用いて半導体装置が製造される。リードフレームの複数の搭載部の各々には前記半導体チップに接続される複数のリードが形成される。複数のリードの先端は互いに複数のリードよりも薄いタイバーによって接続される。複数の搭載部のうち所定箇所の搭載部の、タイバーよりも外側であってリードが形成された部分に対応する部分に、タイバーに繋がる溝を有するダミーリードが形成される。樹脂が供給されるとタイバー部の空気がダミーリードの溝に押し出されるため、タイバー部におけるボイドの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】コンパウンドウエハーの薬液の加熱乾燥工程において、反りを抑制しつつ薬液層に厚薄が発生しないように加熱乾燥できるコンパウンドウエハーの薬液加熱乾燥装置並びにその方法を提供する。
【解決手段】縦横に整列配置された半導体チップ３が一面に露出された状態で樹脂モールドされたコンパウンドウエハーＡの半導体チップ３の露出側の面４ａに塗布された薬液７を加熱乾燥するコンパウンドウエハーＡの加熱乾燥装置Ｃであって、内部の加熱乾燥領域Ｈに挿入されたウエハーＡの上下両面４ａ、４ｂを加熱する加熱源１５、１６と、上昇停止位置にてウエハーＡの下面４ｂが下側の加熱源１６に接触しない状態で下から支え、所定時間加熱されて降下停止位置において加熱時に発生した反りが下側の加熱源１６に接触しないようになった段階でウエハーＡを降下停止位置まで降下させて下側の加熱源１６に近接させ、薬液乾燥を継続させる支持部材１７とで構成される。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け状態の確認を容易とするはんだフィレットの形成を可能としながら、個片への切断時に、切断面に金属バリが発生しない樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板に接続する為の外部端子１３〜１６と、前記外部端子１３〜１６の周囲を覆う樹脂体１２とを備え、前記樹脂体１２には、その底面の一部および側面の一部において開口する樹脂凹部１８，１９が形成され、前記外部端子１３〜１６は、その端部が前記樹脂体１２の側面より中央側に入り込んだ位置に形成され、且つ第二の外部端子１４，１６は、前記樹脂凹部１８，１９の内部に露出されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造時の封止工程で生じ得る樹脂バリに起因した搬送異常等の不具合の発生を抑制する。
【解決手段】封止工程において、チップ２０ａが配設された基板１０ａ上に、チップ２０ａを封止する第１樹脂部３０ａと、第１樹脂部３０ａに連結された第２樹脂部４０ａとが形成された成形品１ａを得る。その成形品１ａから、第２樹脂部４０ａを分離すると共に、基板１０ａの縁部１１ａを分離する。封止工程で縁部１１ａに樹脂バリが発生していても、その樹脂バリは、縁部１１ａと共に除去される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装信頼性を向上させる。
【解決手段】上金型１４と下金型で一対を成す樹脂成形金型の上金型１４において、その第１のキャビティ１４ａのゲート１４ｄが形成された第２の辺１４ｆ側に複数の第２のエアベント１４ｊが設けられたことで、第１のキャビティ１４ａにゲート１４ｄを介して封止用樹脂３を注入した際に、ゲート１４ｄに対向する第１の辺１４ｅ側の第１のエアベント１４ｉに向かう直進的な封止用樹脂３の流れに加えて、ゲート１４ｄ側の第２のエアベント１４ｊに向かう封止用樹脂３の流れを形成することができ、これにより、封止用樹脂３中に含まれるフィラーの分布の均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弊害なく容易に絶縁特性を向上させた樹脂封止型パワーモジュールとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、該絶縁基板上に配置されたパワー半導体素子と、該絶縁基板上に配置された複数の中空円筒ソケットと、上面に複数の凹部が形成され、かつ該パワー半導体素子および該複数の中空円筒ソケットを覆うように形成された樹脂筐体とを備える。そして、該複数の中空円筒ソケットは、該複数の凹部の１つの凹部から該複数の中空円筒ソケットの１つの中空円筒ソケットが露出するように、該複数の凹部から露出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いずに、放熱板を封止樹脂に固定する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板１０と、配線基板１０の表面に固着された半導体素子１２と、配線基板１０と半導体素子１２とを電気的に接続する金属線１３と、配線基板１０、半導体素子１２及び金属線１３を封止する封止樹脂１８と、封止樹脂１８に圧着された放熱板１４とを備えている。放熱板１４の表面及び放熱板１４の側面の一部は、封止樹脂１８から露出している。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、所定の反り評価試験における前記熱硬化性接着剤組成物の反り量１が所定の条件式を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 反りがあるパッケージ基板でも研削して薄い半導体デバイスを製造可能なパッケージ基板の加工方法を提供することである。
【解決手段】 格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された基板上の各領域に半導体チップが固定されて樹脂で封止され、樹脂面と該樹脂面の反対側の電極面とを有するパッケージ基板の加工方法であって、該パッケージ基板の樹脂面側又は電極面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削して切削溝を形成し、該パッケージ基板の反りを補正する反り補正ステップと、該反り補正ステップを実施した後、該パッケージ基板の該電極面側を保持テーブルで保持して該樹脂面を研削し、該パッケージ基板を所定の厚みへと薄化する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂部内にボイドが含まれることを抑制し、信頼性を向上することができる樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による樹脂封止型半導体装置１は、複数の半導体素子２と、半導体素子２を収納する矩形状の開口部１１を形成するタイバー１２と、各開口部１１内において、タイバー１２から半導体素子２側に延びる複数のリード１３と、各半導体素子２と対応するリード１３との間に接続されたボンディングワイヤ３とを備えている。半導体素子２、リード１３、およびボンディングワイヤ３は、封止樹脂材料４ａからなる封止樹脂部４により封止されている。一の開口部１１と隣接する他の開口部１１との間のタイバー１２に、スリット１５が設けられ、かつこのスリット１５と対応する開口部１１との間に、開口部１１に充填される封止樹脂材料４ａをスリット１５へ逃がす樹脂溝１６が連結されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板により半導体基板が保護された半導体装置を先ダイシング（ＤＢＧ）で製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、所定の厚さに研削された半導体ウェハに支持基板を密着させ、この状態の半導体ウェハに対して先ダイシング（ＤＢＧ）のプロセスを適用することにより、半導体ウェハを各半導体装置に分離している。具体的には、半導体装置部１４が設けられた半導体ウェハ１０の上面に支持基板２６を貼着し、半導体基板１０が分割されて支持基板２６の途中に至るように分離溝４８を設ける。この状態で、支持基板２６を上面からグラインダ２８で除去することにより、支持基板２６により半導体基板が保護された構成の半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高く、かつ、基板設計における設計自由度の高い電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面に電極が形成された電子素子１１と、一方の面は配線パターン１２ａが形成され、他方の面はパッド電極１６を含んでいるインターポーザ基板１２と、一方の面にパッド電極１９を含んでいるマザー基板１８とを含み、電子素子１１の電極と配線パターン１２ａとが、第１のバンプ１３を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、電子素子１１がインターポーザ基板１２上に対面した状態で実装され、接続部が、封止樹脂１４で封止され、パッド電極１６およびパッド電極１９とが、第２のバンプ１７を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、インターポーザ基板１２がマザー基板１８上に実装され、電子素子１１とインターポーザ基板１２との接続領域が、パッド電極１６のピッチ間に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）