【課題】半導体素子の破損や電極板の変形を回避できるように考慮されたモールド装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、その表裏両面側の電極板４，５と、枠状の絶縁体６とからなる中間組立体Ｗを、それらの電極板４，５を当接部とする上型８と下型９との型締め状態をもって形成されるモールド室Ｒ内に配置する。中間組立体Ｗをインサートとしてモールド室Ｒに樹脂材料を充填して、中間組立体Ｗをモールドして半導体装置１とする装置である。上側の電極板４の一部を直接挟持部４ａとして上下型８，９同士の型合わせ面１０で直接的に挟持するとともに、上下型８，９のうち直接挟持部４ａ以外で電極板４，５に当接する部分を揺動可能なフローティング型８ｂ，９ｂとしてある。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高い封止樹脂の構造を低コストで実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、モールド金型４０に、複数のキャビティ４６Ａ−４６Ｃが連通領域４８Ａ、４８Ｂを介して連通している。そして、熱伝導性に優れた樹脂シート５２を、キャビティ４６Ａ−４６Ｃおよび連通領域４８Ａ、４８Ｂに渡るように配置し、この樹脂シート５２によりアイランド１２の下面を被覆している。従って、単一の樹脂シート５２により、複数のユニット５６Ａ−５６Ｃが備えるアイランド１２の下面が被覆されるので、簡素化された工程により放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】形品の成形品質を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】モールド金型２は、対向して設けられ、ワークＷを挟み込んでクランプする上型３および下型４と、上型３に設けられた超音波振動部２１、２２と、上型３３および下型４がワークＷをクランプして形成される内部空間Ｃに設けられ、かつ、超音波振動部２１、２２と接続され、内部空間Ｃ内の溶融樹脂１９ａへ超音波振動部２１、２２の振動を伝搬する伝搬部としてフィルム２３とを備えている。このフィルム２３は、上型３のクランプ面３ａに張設されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板の一面上に配列された複数本のワイヤをワイヤボンディングにより形成してなる構造体を、２個のゲートを有する金型を用いたトランスファーモールド法により、矩形板状のモールド樹脂で封止するようにした電子装置の製造方法において、ワイヤ間におけるボイドの発生やワイヤの断線等を抑制する。
【解決手段】金型１００において、矩形板状の空間形状をなすキャビティ１０１の一辺側の一方のコーナー部に第１のゲート１１０を設け、他方のコーナー部に第２のゲート１２０を設け、第１のゲート１１０の注入流量を第２のゲート１２０の注入流量よりも大きいものとして、両ゲートからのモールド樹脂８０の合流部の位置を第２のゲート１２０側に偏らせるものであり、構造体１として、回路基板１０の一面１１のうち第１のゲート１１０の下流側となる位置に、複数本のワイヤ２０を設けたものを用意する。 （もっと読む）

【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。
【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】封止前基板と封止済基板とを容易に取り扱うことによって、高い生産性でＬＥＤパッケージを製造する。
【解決手段】キャリア１４に封止前基板１をはめ込む。次に、そのキャリア１４を上型１８に固定する。次に、下型１７と上型１８とを型締めする。これにより、封止前基板１に装着された複数のＬＥＤチップ１３を、キャビティに満たされた流動性樹脂２６に浸す。次に、流動性樹脂２６を硬化させて硬化樹脂２８を形成する。これにより、複数のＬＥＤチップ１３を一括して樹脂封止する。次に、下型１７と上型１８とを型開きして、封止済基板２９がはめ込まれたキャリア１４を取り出す。次に、キャリア１４から封止済基板２９を突き出す。次に、封止済基板２９を切断する。これにより、封止済基板２９を、各ＬＥＤチップ１３にそれぞれ相当する複数のＬＥＤパッケージに個片化する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の反りを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、第１の温度で前記樹脂を熱硬化して第１の成型品を製造し、第１の成型品の反りの向きと量を測定し、反りの向きと量を減らすような第２の温度を選定し、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、前記第２の温度で前記樹脂を熱硬化して第２の成型品を製造する。 （もっと読む）

【課題】使用する樹脂の種類や成形部分の形状の違いに拘わらず、成形品を確実に所望の金型に残留させて取り出す。
【解決手段】第１金型、第２金型及び第３金型を接離可能に配置し、第２金型と第３金型の間に基板５６を挟持し、第２金型に形成した成形用凹部３８と基板５６とで形成されるキャビティ内に、第１金型に形成したランナー溝１６と、第２金型に形成した縦ランナー孔を介して樹脂を充填することにより、基板５６に実装した電子部品を樹脂封止する。第１金型は、ランナー溝１６内で固化した樹脂を突き出すランナーエジェクタピン３２と、ランナーエジェクタピン３２を作動させる第１金型用エジェクタプレートと、を備える。第２金型は、エジェクタプレートに連動し、成形用凹部３８で固化した樹脂を突き出す製品エジェクタピン４２を備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品の樹脂封止成形装置の全体形状が大型化されるのを抑えると共に、電子部品の樹脂封止成形品（樹脂成形済基板１４）の品質向上と生産性とを向上する。
【解決手段】少なくとも二組の樹脂成形型６・７を上下方向又は左右方向へ直列配置すると共に、各樹脂成形型６・７における樹脂材料供給用ポット６ｆ・７ｆの夫々に樹脂加圧用プランジャ１７の先端加圧部１７ａを摺動可能な状態で且つ同じ方向から夫々嵌入して構成することにより、樹脂成形装置の全体形状が各樹脂成形型６・７の直列配置方向へ大型化されるのを抑える。また、各樹脂成形型６・７を直列配置することにより、各樹脂成形型６・７の型開閉機構等を兼用することが可能となり、従って、各樹脂成形型６・７における型締圧力や樹脂材料に対する樹脂加圧力等の樹脂成形条件の均等化を図り得て、均等で且つ高品質を備えた電子部品の樹脂封止成形品１４を高能率生産することができる。 （もっと読む）

【課題】回路基板を封止する封止樹脂の形状が最適化された回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路装置である混成集積回路装置１０は、回路基板１２と、回路基板の上面に組み込まれた回路素子１８と、この回路素子１８を樹脂封止すると共に回路基板１２の上面、側面および下面を被覆する封止樹脂２８を備えている。更に、回路基板１２の側方で封止樹脂２８を部分的に窪ませた凹状領域３０Ａ−３０Ｄを設けている。凹状領域３０Ａ−３０Ｄを設けることにより、使用される樹脂量が減少するとともに、封止樹脂２８の硬化収縮による変形が抑制される。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。
【解決手段】アパーチャ１１は、インターポーザー７の表面上に凹状に形成さている。アパーチャ１１を構成する凹状の下部からインターポーザー７の表面とは反対の裏面に向かう第１開口１５を形成する。アパーチャ１１を構成する凹状の下部からインターポーザー７の表面とは反対の裏面に向かう第２開口１６を、アパーチャ１１への電気絶縁材料の充填方向において第１開口１５の前側に形成する。インターポーザー７の表面側からアパーチャ１１および第１開口１５を通じて第１電気接点にアクセス可能であって、第２開口１６がパッケージ領域外に位置するように、インターポーザー７をマイクロチップデバイス１の近隣に配置する。 （もっと読む）

【課題】金型構造や離型剤によることなく成形品を容易に離型でき、かつ成形品に皺や欠け等の外観不良を生じさせることのない金型成形用離型フィルムを提供する。
【解決手段】ポリエステル樹脂と、１００質量部の前記ポリエステル樹脂に対して１〜３０質量部の４−メチル−１−ペンテン系重合体と、を含む樹脂組成物からなる、金型成形用離型フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＰで、個片モールド方式を採用すると、各キャビティ毎にランナ部が必要となり、半導体装置の取得数が低下する。取得数の問題は、ＭＡＰ方式を採用することで解決できるが、ラミネートテープを使用する分、製造コストが増加する。一方、スルーモールド方式では、各キャビティ毎にエジェクタピンを設ける必要があり、そのようにすると、サポートピラーの配置が困難となる。
【解決手段】本願発明は、スルーゲートを介してモールドキャビティを直列に連結したキャビティ列を複数行配置したマトリクス状キャビティ群を有する金型間にリードフレームを挟んだ状態で、各キャビティに封止樹脂を充填して、半導体チップを封止する半導体装置の製造方法において、平面的に見て、マトリクス状キャビティ群のキャビティコーナ部には、そのキャビティコーナ部が隣接する全てのキャビティを跨ぐような断面を有するサポートピラーが配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数のキャビティ部を使用するＭＡＰ方式の封止プロセスにおいて、すべてのキャビティ部に均一にレジンを充填する。
【解決手段】複数のキャビティ部３４ａ，３４ｂを使用するＭＡＰ方式の封止プロセスにおいて、キャビティ部間を連結する連結部５ａ，５ｂを有する金型を使用することにより、レジン充填の均一化を図ったものである。 （もっと読む）

【課題】配線基板の反りが緩和される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、準備ステップ、モールドステップおよびダイシングステップを有する。準備ステップでは、ダイシングライン１７によって区画された複数の製品形成部１３と、複数の製品形成部１３を囲む非製品形成部１４と、を有し、各製品形成部１３の第１の面１５に半導体チップ２０が搭載された配線基板１２を準備する。モールドステップでは、複数の製品形成部１３および該複数の製品形成部を囲む非製品形成部１４の第１の面１５と複数の半導体チップ２０とを第１の樹脂２２で一括して覆うとともに、非製品形成部１４の、第１の面とは反対側の第２の面１６上であって複数の製品形成部１３からなる領域の周りを、第２の樹脂２４で覆う。ダイシングステップでは、配線基板１２をダイシングライン１７に沿って切断し、個々の半導体装置に分割する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー流れを最小限に抑えつつ、より高い効率、より低い温度及びより少ない浪費を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）シリコーンダイ装着接着剤組成物を基板に塗布すること、ｂ）ダイ装着接着剤組成物を硬化させて、ダイ装着接着剤７０４を形成すること、ｃ）ダイ装着接着剤の表面をプラズマ処理すること、ｄ）半導体ダイの表面をプラズマ処理すること、ｅ）半導体ダイのプラズマ処理された表面をダイ装着接着剤のプラズマ処理された表面と接触させること、ｆ）半導体ダイを基板の表面にワイヤーボンドすること、ｇ）半導体ダイがオーバーモールド７０１されるように、ステップｆ）の製造物上に硬化性液体シリコーン組成物を射出成形すること、及びｈ）ダイ装着接着剤の反対側の基板の表面上にはんだボール７０６を形成することを含む、液体射出成形を用いて電子部品７００を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】リードフレームからランナー樹脂を分離することを容易にすることができる。
【解決手段】第１押さえ部材１００は、ランナー樹脂３２０が一面側に凸状に湾曲する形状にリードフレーム３００を保持している。第２押さえ部材２００のうち第１押さえ部材１００と対向する面は、凸状に湾曲したリードフレーム３００に沿う形状を有している。制御部１５０は、ランナー樹脂３２０と重なる位置に設けられた貫通穴１２０を通して可動な複数のピン１４０を、両端部から中心部に向けて順次ランナー樹脂３２０を押し上げる方向に突出させる。 （もっと読む）

【課題】ランナー部の切断時にゲート残り量のバラツキを抑制する。
【解決手段】バタフライプレート１２とバタフライプレート１３でパッケージ材７０のランナー部２０を挟み込み、バタフライプレート１１でパッケージ材７０のダミー樹脂封止部３を所定量押さえ込む。その後、バタフライプレート１２及び１３、或いはバタフライプレート１１を可動させることにより、パッケージ材７０のランナー部２０がゲートブレークされる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を減らすことができ、さまざまな金型を組合せて使用できる、電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】チップ６が搭載された基板７を、第３の金型３の、第１の金型１の凹部１３が形成された面と対向可能な面に配置し、第１の金型１と第２の金型２を接合させて形成するキャップのカバー部５ａ形成用のキャビティ内に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部５ａを成形する。その成形されたカバー部５ａを第１の金型１の内側に保持した状態で、第１の金型１と第４の金型４と第３の金型３とを順番に積層して、カバー部５ａを、第３の金型３に配置された基板７上に配置する。そして、カバー部５ａが基板７上に配置された状態で、カバー部５ａと第４の金型４との間に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部５ａの外周に位置する接合部を成形する。 （もっと読む）

【課題】外部電極端子の実装面に傷や異物付着を起こさせない。
【解決手段】枠部と、枠部内のタブ１１と、枠部からタブ１１に向かって延びて先端部分でタブ１１を支持するタブ吊りリードと、枠部からタブ１１に向かって延びるリード４とを含む単位リードフレームパターンを複数配列したマトリクス型リードフレーム２５を用意し、タブ１１の一面に半導体チップ１３を固定し、半導体チップ１３の電極とリード４の内端を導電性のワイヤ１５で接続し、半導体チップ１３、ワイヤ１５、リード４の内端部分を片面モールドにて絶縁性樹脂の封止体２で覆うとともに封止体２の実装面１６にリード４やタブ吊りリードを露出させ、リード４やタブ吊りリードを切断する、半導体装置の製造方法において、片面モールド時に封止体２の外側に封止体２よりも厚い接触防止体４３を形成し、切断工程で接触防止体４３を切断除去する。 （もっと読む）