【課題】複数の動作条件においてもタイミング制約を満たすように遅延時間を調整することを可能にする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の配線構造セルＨＳＣは、Ｍ３層に、プロセス基準値ｂを満たす矩形に形成されたＭ３層１９と、Ｍ３層１９からプロセス基準値ａを満たすよう離間し、口字型に形成されたＭ３層１２と、Ｍ３層１９の上にプロセス基準値を満たす矩形に形成されたＶＩＡ３層１５と、Ｍ４層にＶＩＡ３層１５に接して、プロセス基準値ｃを満たす幅で伸長した矩形に形成されたＭ４層１１と、Ｍ３層１９の下にＶＩＡ３層１５と同じ平面形状に形成されたＶＩＡ２層１６と、Ｍ２層にＶＩＡ２層１６に接して、Ｍ４層１１と同じ平面形状に形成されたＭ２層１３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】フィードバックパスのバラツキの影響を最小限に抑え、クロックの位相の調整を高精度に行うことができるクロック分配回路を提供する。
【解決手段】クロック分配回路２１は、クロック信号を生成するクロック生成回路、前記クロック信号が分配されるクロック分配網２２、前記クロック分配網の分岐点Ｎ１を通じて分配されるクロック信号で動作する順序回路２６、を有する。クロック分配回路は更に、前記分岐点から分岐した前記クロック信号をフィードバック信号として入力し、該入力したフィードバック信号とリファレンスクロック信号とに基づいて、前記クロック信号を前記クロック分配網へ出力するクロック生成回路を有する。前記分岐点は、前記クロック分配網の順序回路の前段のクロックドライバ２５のうち、前記クロック生成回路の近傍にあるクロックドライバに設けられる。 （もっと読む）

【課題】従来のようにピラーの分割単位が小数点数とならず、単位ピラートランジスタのピラーの径の変更を行う必要が無くなり、半導体装置を製造するプロセスを複雑化することなく、ピラー型のトランジスタによりセルを、セルロウ内に効率的に配置するレイアウトデータ作成装置を提供する。
【解決手段】本発明のレイアウトデータ作成装置は、集積回路における複数の単位ピラー型トランジスタで構成されるピラー型トランジスタを、配置領域内に配置可能な単位ピラー型トランジスタの整数単位に分割し、配置領域内に配置するサブピラー型トランジスタを生成するトランジスタ調整部２を備えている。 （もっと読む）

【課題】信号の重要度を考慮に入れたセルの自動配置を行うアルゴリズムは存在しない。従って、重要配線が不必要に長くなる場合がある。重要配線が長くなると、重要配線を伝達する信号を劣化させる原因となり得る。そのため、信号の重要度を考慮に入れたセルの自動配置を行うことで、重要度の高い信号の品質を維持する半導体装置を設計できる半導体設計装置、が望まれる。
【解決手段】半導体設計装置は、半導体装置に含まれる複数のセルを接続する複数の信号配線から、伝達する信号が重要であることを示す重要配線情報が付された重要配線と、複数の信号配線のそれぞれに接続されているセルの数を示すセル接続数と、を抽出する配線情報抽出部と、配線情報抽出部が抽出した重要配線及びセル接続数に応じて、複数のセルの配置を決定するセル自動配置部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】設計する回路の中で電流の多く流れる信号線を容易に見つけ出すことができ、容
易にその部分の電流を測定できるスタンダードセルを提供することを課題とする。
【解決手段】電流検出用テストパッドを少なくとも２つ有するスタンダードセルを自動レ
イアウトで配置する。そして、２つのテストパッド間を接続する配線を切断することで、
該２つのテストパッドを電流測定用テストパッドとして利用する。なお、スタンダードセ
ル内の２つのテストパッド間は、過電流が流れることにより電流の流れる経路が遮断され
る配線によって接続される構成としてもよい。また、２つのテストパッド間をつなぐ配線
部にメモリ又はアナログスイッチを設ける構成としてもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の階層ブロックが互いに重なり合うことを許容しつつレイアウト設計を行う際に、設計期間の長期化を防ぐこと。
【解決手段】複数の内部要素をそれぞれ含む複数の階層ブロックを、内部要素を割り当て可能な内部要素リソースが配置された実装領域に対してレイアウトする場合に、第１の階層ブロックと第２の階層ブロックとが重複領域において重なり合うとき、第１の階層ブロックの内部要素のうちの重複領域に含まれる第１の内部要素の個数と、第２の階層ブロックの内部要素のうちの重複領域に含まれる第２の内部要素の個数との合計が、重複領域に含まれる内部要素リソースの個数以下となるように、第１の階層ブロックおよび第２の階層ブロックを配置し、第１の内部要素の個数と第２の内部要素の個数との比に応じて、重複領域に含まれる内部要素リソースを、第１の階層ブロックと第２の階層ブロックに割り当てる。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＩ低減に有効な半導体集積回路システムを提供する。
【解決手段】バスライン８上に配置された中央演算処理装置１と、演算論理装置６と、デカップリングキャパシタ形成領域１００・合成論理形成領域２００・インピーダンス形成領域３００を有する半導体集積回路４００と、論理ライブラリ情報格納部２２・デカップリングキャパシタ配置配線情報格納部２４・インピーダンス配置配線情報格納部２６・電源配線配置配線情報格納部２８を有する記憶装置２とを備え、論理ライブラリ情報格納部２２・デカップリングキャパシタ配置配線情報格納部２４・インピーダンス配置配線情報格納部２６のそれぞれの格納データに基づいて、それぞれ合成論理形成領域２００・デカップリングキャパシタ形成領域１００・インピーダンス形成領域３００における配置配線を実行する半導体集積回路システム１０。 （もっと読む）

【課題】マクロの全端子で配線が引き出し可能かを判定できるレイアウト設計装置、レイアウト設計方法およびレイアウト設計プログラムを提供する。
【解決手段】記憶部１１は内部にマクロを含んだ多層回路の階層レイアウトの設計データを記憶する。チャネル数算出部１３は設計データに基づいて、マクロの各端子から所定の配線層まで配線を引き出すために使用可能なチャネル数を端子毎に算出する。経路算出部１５は算出したチャネル数の少ない端子から順に、端子から所定の配線層まで配線を引き出すための経路を算出する。経路判定部１６はマクロの全ての端子について引き出し経路を算出できたか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＳＩ設計フローではクロックの遅延やスキューが無いことを前提とするため，クリティカルパスにてタイミングが仕様を満たさないことがＳＴＡ後に判明する。
【解決手段】ハードウェア記述ファイルと制約条件ファイルとから第１のクロックと第２のクロックのそれぞれのクロックツリーによる想定遅延値をそれぞれ生成し，第１のクロックと第２のクロックの想定遅延値をもとにしてクリティカルパスをデータベースへ登録するデータベース構築工程と，ハードウェア記述ファイルと制約条件ファイルについて論理合成を行うとともに，クリティカルパスをそれ以外のパスよりも優先して最適化し，ネットリストを生成する論理合成工程とを有するＬＳＩ設計方法。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増加させることなく、効率良くリーク電流を抑制することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は論理が同一のセルＡ−１，Ｂ−１，Ｃ−１を備えている。セルＢ−１はセルＡ−１よりセル幅Ｗ２が大きいが、ＭＯＳトランジスタのゲート長Ｌ１はセルＡ−１と等しい。セルＣ−１は、セルＢ−１とセル幅Ｗ２が等しいが、ゲート長Ｌ２が大きいＭＯＳトランジスタを有しており、セルＡ−１，Ｂ−１と比べて回路遅延は遅くなるがリーク電流は小さくなる。このため例えば、空き領域に隣接したセルＡ−１をセルＢ−１に置き換え、タイミングに余裕があるパスにおけるセルＢ−１をセルＣ−１に置き換えることによって、チップ面積を増加させることなく、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】スタンダードセル回路のレイアウト面積を削減する。
【解決手段】配線導体Ｌａは電源電圧ＶＤＤａを出力する電源に接続される。レギュレータ６ａは、配線導体Ｌａからの電源電圧ＶＤＤａを電源電圧ＶＤＤａより低い電源電圧ＶＤＤｂに変換し、配線導体Ｌｂを介してレベルシフタ２−１〜２−３，３，及びスタンダードセル４に出力する。レベルシフタ２−１は、入力されるデータの電圧レベルを電源電圧ＶＤＤａの電圧レベルから電源電圧ＶＤＤｂの電圧レベルに電圧シフトしてスタンダードセル４に出力する。レベルシフタ３は、スタンダードセル４からの出力信号の電圧レベルを電源電圧ＶＤＤｂの電圧レベルから電源電圧ＶＤＤａの電圧レベルに電圧シフトし、出力端子Ｔｑを介して出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の開発期間を短縮し、且つ、レイアウトエラー確率を低減する。
【解決手段】本発明の実施形態のネットリスト変換装置は、半導体集積回路を構成する複数のセルであって、第１遅延時間だけスキャン用データ信号を遅延させる第１スキャンフリップフロップを含む複数のセルの接続関係を示すネットリストを変換する。そのようなネットリスト変換装置は、論理ライブラリ３０と、ネットリスト変換部１８と、を備える。論理ライブラリ３０は、半導体集積回路を構成する複数のセルの論理的機能を示す情報を含むセル論理情報であって、第１スキャンフリップフロップの論理的機能を示す情報と、第１遅延時間より大きいスキャン用第２遅延時間だけデータ信号を遅延させる第２スキャンフリップフロップの論理的機能を示す情報と、を含むセル論理情報を記憶する。ネットリスト変換部１８は、セル論理情報を参照して、ネットリストの第１スキャンフリップフロップを第２スキャンフリップフロップに置換する。 （もっと読む）

【課題】故障検査のために観測用フリップフロップ回路を配置することなく，故障検査を可能とする半導体集積回路，その検査方法を提供する。
【解決手段】第2の論理回路51の試験の際に試験モードを示す制御信号TSMが，故障検査用回路41に入力され，この試験モードに対応するテスト値が，論理回路51に入力されると，故障検査用回路41により，論理回路51の出力論理が，論理回路13に対応するフリップフロップ回路14に入力される。さらに，通常モード時に，論理回路13の出力論理が，故障検査用回路41により，論理回路13に対応するフリップフロップ回路14にそのまま入力される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ型の半導体集積回路において電源遮断時の低消費電力及び電源供給時の動作性能向上に資することができる電源遮断制御を可能にする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、第１電源スイッチと、前記第１電源スイッチに直列接続される論理回路を有する。前記論理回路は、順序回路（ＦＦ１，ＦＦ２）及び組み合わせ回路（ＬＯＧ１，ＬＯＧ２）を含み、前記第１電源スイッチと前記組み合わせ回路との間に第２電源スイッチが接続される。第１モードにおいて前記第１電源スイッチをオフ状態に制御し、前記順序回路及び前記組み合わせ回路を非通電状態にし、第２モードにおいて前記第１電源スイッチをオン状態に維持し且つ前記第２電源スイッチをオフ状態に制御し、前記順序回路を通電状態、前記組み合わせ回路を非通電状態にする電源スイッチ制御回路を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ内の温度差が小さい高信頼性の半導体集積回路を提供できるようにする。
【解決手段】熱解析部１１は、設計する半導体集積回路のデータから熱解析を行い、温度分布を算出し、ベクトル生成部１２は、算出された温度分布の温度勾配に応じたベクトルを生成し、ダミーパターン生成部１３は、生成されたベクトルにしたがってダミーパターンを生成し、半導体集積回路のレイアウトデータに追加する。このようなダミーパターンを生成することで、温度分布が平均化され、チップ内の温度差が小さい高信頼性の半導体集積回路を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定する。
【解決手段】半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報(11)と回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報(12)とを入力する。素子電位変動情報(11)および素子配置情報(12)を参照して、回路素子および寄生素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報(10)に登録する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の設計において、ＥＭ検証結果がＮＧとなる確率を低減する。
【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、（Ａ）設計対象回路のネットリスト中のネットに仮の寄生容量及び０個以上の仮の寄生抵抗が付加された寄生ＲＣ付きネットリストを作成するステップと、（Ｂ）寄生ＲＣ付きネットリストを用いて回路シミュレーションを行い、ネットにつながるそれぞれの素子端子の電流である素子端子電流及び仮の寄生容量の電流である寄生容量電流を算出するステップと、（Ｃ）寄生容量電流をそれぞれの素子端子に分配することによって、素子端子電流の値を変更するステップと、（Ｄ）変更後の素子端子電流に基づいて、ネットに関する配線幅制約を算出するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】精度よく簡便にチップサイズを見積もることができる、半導体集積回路のチップサイズ見積もり装置、及び半導体集積回路のチップ見積もり方法を提供する。
【解決手段】回路の機能の実現に最小限必要なゲート数である最小機能ゲート数を入力する入力部１と、セルライブラリごとに所定の動作速度の達成に必要となるゲート数と前記最小機能ゲート数との比率である性能考慮ゲート数係数が予め設定された設定値保持部２１と、前記最小機能ゲート数と前記性能考慮ゲート数係数とから算出されるゲート数を用いて前記回路の総面積を見積もる計算部２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を抑制しつつ、ダミー配線パターンの配置にかかる工数を低減する。
【解決手段】レイアウト設計方法は、レイアウト設計装置が、レイアウト領域に対して、半導体集積回路の配置配線（Ｓ１）を行った後、レイアウト領域に配置されているバルクセルを抽出し（Ｓ２）、レイアウト領域において、抽出したバルクセルの周囲に、所定の大きさを備える空き配線領域が存在するかどうかを検索し（Ｓ３）、検索の結果、所定の大きさを備える空き配線領域を検出した場合、抽出したバルクセルの座標を基準にして、検出した空き配線領域にダミー配線パターンを配置（Ｓ４）する。 （もっと読む）