半導体集積回路装置の解析方法
【課題】半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定する。
【解決手段】半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報(11)と回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報(12)とを入力する。素子電位変動情報(11)および素子配置情報(12)を参照して、回路素子および寄生素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報(10)に登録する。
【解決手段】半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報(11)と回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報(12)とを入力する。素子電位変動情報(11)および素子配置情報(12)を参照して、回路素子および寄生素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報(10)に登録する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路装置の解析技術に関し、さらに詳しくは、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の解析に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積技術の向上により、１つの半導体集積回路装置に様々な回路が搭載されている。このような半導体集積回路装置では、回路間における電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減することが要求されている。特に、アナログ回路とデジタル回路とが混載された半導体集積回路装置では、デジタル回路の動作により発生する電位変動がアナログ回路の回路特性に影響を与えやすいので、その影響を極力低減することが重要となっている。このような電位変動は、半導体集積回路が形成される基板，パッケージ，およびボードや半導体集積回路に含まれる配線などを経由して伝播される。したがって、半導体集積回路装置のレイアウトを修正することによって、回路間における電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減することが可能である。例えば、配線間に形成された寄生容量が回路間における電位変動の伝播経路の要因となっている場合、配線間に寄生容量が形成されないように半導体集積回路装置のレイアウトを変更すれば、電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減できる。
【０００３】
また、このような電位変動は、半導体集積回路装置の設計段階において電位変動解析によって推定することが可能である。このような電位変動解析は、特許文献１と特許文献２などに記載されている。特許文献１には、大規模な半導体集積回路であっても電位変動解析が可能な基板回路網を生成する方法が記載されている。特許文献２には、基板を伝播する電位変動による回路特性への影響を解析して影響を受けやすいデバイスを特定する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３６８１１６号公報
【特許文献２】特開２００２−２７０６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電位変動解析では、半導体集積回路装置のレイアウトに基づいて回路網（半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成される回路網）を抽出し、回路網に設けられた電位変動の発生源に電流変化パターンを代入することにより過渡解析を実行し、観測点（例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点）における電位変動量を観測する。しかしながら、従来の解析方法では、半導体集積回路が形成される基板，パッケージ，およびボードや半導体集積回路に含まれる配線などを複雑に組み合わせて観測点における電位変動量を推定しているので、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定することが困難である。
【０００６】
また、従来の解析方法では、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となるレイアウト形状を推定し、電位変動の伝播による観測点への影響が低減されるようにレイアウト形状を修正し、電位変動解析によって観測点における電位変動量を求めるという一連の作業を観測点における電位変動量が予め設定された許容量になるまで繰り返し実行することになるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮することが困難である。
【０００７】
そこで、この発明は、上記課題を鑑み、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる半導体集積回路装置の解析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の１つの局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および上記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と上記回路素子および上記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、上記回路素子および上記寄生素子の中から予め設定された第１の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【０００９】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子選別情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１０】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、当該素子を上記回路網から削除するとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【００１１】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１２】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、上記回路素子および上記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、上記パラメータ変化量に応じて上記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【００１３】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１４】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、上記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、上記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｂ）とを備える。
【００１５】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、回路網情報に登録された回路網を構成する素子の個数を削減できる。したがって、回路網情報を用いた解析処理に要する時間を短縮できる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定でき、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態１による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２】素子電位変動情報の一例を示す図。
【図３】素子配置情報の一例を示す図。
【図４】素子選別条件の一例を示す図。
【図５】素子選別ステップについて説明するための図。
【図６】半導体集積回路装置における素子配置の一例を示す図。
【図７】発生源周辺領域およびパッケージ領域について説明するための図。
【図８】素子選別情報の一例を示す図。
【図９】実施形態２による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図１０】回路網情報に登録された回路網の一例を示す図。
【図１１】電流情報に登録された電流値の時系列変化の一例を示す図。
【図１２】観測位置情報の一例を示す図。
【図１３】素子抽出条件の一例を示す図。
【図１４】電位変動解析ステップについて説明するための図。
【図１５】解析用回路網の一例を示す図。
【図１６】電位変動解析結果情報の一例を示す図。
【図１７】素子抽出ステップについて説明するための図。
【図１８】素子抽出情報の一例を示す図。
【図１９】実施形態３による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２０】感度解析設定情報の一例を示す図。
【図２１】電位変動解析ステップについて説明するための図。
【図２２】解析用回路網の一例を示す図。
【図２３】解析用回路網の別の一例を示す図。
【図２４】電位変動解析結果情報の一例を示す図。
【図２５】パラメータ変化に伴う電位変動量の変化について説明するための図。
【図２６】実施形態４による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２７】回路網変更条件の一例を示す図。
【図２８】回路網変更ステップについて説明するための図。
【図２９】変更前の回路網の一例を示す図。
【図３０】素子電位変動情報の一例を示す図。
【図３１】変更後の回路網の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
【００１９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、図１に示すフローをコンピュータに実行させるためのプログラムによって、あるいは、当該フローを実行する装置（例えば、上記プログラムを実行するコンピュータ）によって実現される。なお、後述する他の実施形態についても同様である。実施形態１による半導体集積回路装置の検証方法は、素子電位変動情報１１，素子配置情報１２，素子選別条件１３を入力して素子選別情報１０を生成する素子選別ステップＳＴ１１を備える。
【００２０】
〔素子電位変動情報〕
図２のように、素子電位変動情報１１には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子（半導体集積回路を構成する素子）および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の電位変動量とが登録されている。
【００２１】
〔素子配置情報〕
図３のように、素子配置情報１２には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤとが登録されている。例えば、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３は、それぞれ、第１メタル配線層，第２メタル配線層，第３メタル配線層を示し、ＮＷ，ＰＷは、Ｎ型基板層，Ｐ型基板を示し、Ｐは、パッケージ層を示す。また、“Ｍ１−Ｍ２”は、第１メタル配線層と第２メタル配線層との間を意味する。すなわち、素子配置情報には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録されている。
【００２２】
〔素子選別条件〕
図４のように、素子選別条件１３には、除外領域，除外レイヤ，除外素子，および電位変動閾値が登録されている。除外領域，除外レイヤ，および除外素子は、それぞれ、選別対象から除外される領域，レイヤ，および素子の種類を示す。電位変動閾値は、選別対象として選択される素子の電位変動量を示す。図４では、除外領域として「電位変動発生源セルから２０μｍ以内の領域」および「パッケージ領域」が登録され、除外レイヤとして「Ｎ型基板層（ＮＷ）」および「Ｐ型基板層（ＰＷ）」が登録され、除外素子として「インダクタ（Ｌ）」が登録され、電位変動閾値として「５０ｍＶ以上」が登録されている。例えば、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子の電位変動量は、他の場所に配置された素子の電位変動量よりも大きいので、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子は、選別対象として適切でない。そこで、電位変動源セルから一定距離内（図４では、２０μｍ以内）の領域を選別対象から除外することにより、選別対象として適切でない素子を除外できる。
【００２３】
〔素子選別ステップ〕
次に、図５を参照して、素子選別ステップＳＴ１１について説明する。ここでは、図６のように、半導体集積回路装置を構成する半導体集積回路１１１およびパッケージ１１２に着目し、半導体集積回路１１１には、抵抗Ｒ１〜Ｒ３，容量Ｃ１〜Ｃ３，およびインダクタＬ２が配置され、パッケージ１１２には、インダクタＬ２が配置されているものとする。また、図６において、セル１０１は、電位変動の発生源であり、観測点１０２は、電位変動の観測点（例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点）であるものとする。すなわち、素子選別ステップＳＴ１１では、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を選別する。
【００２４】
《ＳＴ１０１》
まず、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２の中から（すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から）処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗Ｒ１〜Ｒ３，容量Ｃ１〜Ｃ３，およびインダクタＬ１，Ｌ２の中から処理対象となる素子を選択する。
【００２５】
《ＳＴ１０２》
次に、素子電位変動情報１１および素子選別条件１３を参照して、素子電位変動情報１１に登録された処理対象となる素子の電位変動量が素子選別条件１３に登録された電位変動閾値よりも大きいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも大きい場合にはステップＳＴ１０３へ進み、そうでない場合にはステップＳＴ１０５へ進む。
【００２６】
《ＳＴ１０３》
次に、素子配置情報１２および素子選別条件１３を参照して、素子配置情報１２に登録された処理対象となる素子が素子選別条件１３に登録された除外条件に該当するか否かを判定する。ここでは、処理対象となる素子の始点座標および終点座標が素子選別条件１３に登録された除外領域内に存在する場合，処理対象となる素子が形成されるレイヤが素子選別条件１３に登録された除外レイヤである場合，および処理対象となる素子の種類が素子選別条件１３に登録された除外素子の種類に一致する場合のうち少なくとも１つの場合に該当すると、処理対象となる素子が素子選別条件１３に登録された除外条件に該当することになる。除外条件に該当しない場合にはステップＳＴ１０４へ進み、除外条件に該当する場合にはステップＳＴ１０５へ進む。
【００２７】
《ＳＴ１０４》
次に、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２を参照して、処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標，その素子が形成されるレイヤ，その素子の電位変動量）を素子選別情報１０に登録する。
【００２８】
《ＳＴ１０５》
次に、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合にはステップＳＴ１０１へ進み、そうでない場合には素子選別ステップＳＴ１１を終了する。
【００２９】
このようして、素子選別情報１０が生成される。ここでは、図２に示した素子電位変動情報１１によれば、抵抗Ｒ，容量Ｃ１，Ｃ３，およびインダクタＬ１の電位変動量は、電位変動閾値「５０ｍＶ」よりも大きい。また、図６に示したレイアウト配置によれば、容量Ｃ２は「電位変動発生源セルから２０μｍ以内の領域（図７のハッチング領域１１３）」に配置され、インダクタＬ１は「パッケージ領域（図７のハッチング領域１１４）」に配置されている。さらに、素子選別条件１３によれば、インダクタＬ１，Ｌ２は除外素子に該当する。したがって、図８のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が素子選別情報１０に登録されることになる。
【００３０】
〔素子選別情報〕
図８のように、素子選別情報１０には、素子選別ステップＳＴ１１によって選別された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤと、その素子の電位変動量とが登録されている。
【００３１】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子（以下、要因素子と表記）を容易に特定できる。したがって、素子選別情報１０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００３２】
また、素子選別条件１３に除外条件（ここでは、除外領域，除外レイヤ，および除外素子）を登録することにより、限定された範囲の中から要因素子を選出できるので、要因素子の選出を容易にできる。なお、素子選別条件１３に除外条件が登録されていなくても良い。
【００３３】
また、素子電位変動情報１１において、素子のインスタント名の代わりに、素子の配置位置（素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、素子が形成されるレイヤなど）が登録されても良い。
【００３４】
（実施形態２）
図９は、実施形態２による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報１０，回路網情報２１，電流情報２２，および観測位置情報２３を入力して電位変動解析結果情報２４を生成する電位変動解析ステップＳＴ２１と、電位変動解析結果情報２４および素子抽出条件２５を入力して素子抽出情報２０を生成する素子抽出ステップＳＴ２２とを備える。
【００３５】
〔回路網情報〕
回路網情報２１には、図１０のような回路網が登録されている。回路網は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子を含む。図１０に示した回路網には、抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，およびインダクタＬ１と、電位変動発生源ＳＳとが含まれている。また、回路網情報２１には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置（例えば、その素子のインスタント名，その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標，その素子が形成されるレイヤなど）や素子のパラメータ値（例えば、抵抗値，容量値，インダクタンス値）などが登録されても良い。
【００３６】
〔電流情報，観測位置情報〕
電流情報２２には、図１１のような電流値の時系列変化が登録されている。すなわち、電流情報２２には、電位変動の発生源の電流変化パターンが登録されている。また、図１２のように、観測位置情報２３には、電位変動の観測点のレイアウト上の座標と、電位変動の観測点が配置されるレイヤとが登録されている。
【００３７】
〔素子抽出条件〕
図１３のように、素子抽出条件２５には、電位変動閾値が登録されている。電位変動閾値は、抽出対象として選択される素子の電位変動量を示す。図１３に示した素子抽出条件２５では、電位変動閾値として「２０ｍＶ以下」が登録されている。
【００３８】
〔電位変動解析ステップ〕
次に、図１４を参照して、電位変動解析ステップＳＴ２１について説明する。ここでは、図８のように、素子選別情報１０には、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が登録されているものとする。
【００３９】
《ＳＴ２０１》
まず、素子選別情報１０の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報２１に登録された回路網を構成する素子（図１０に示された抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，インダクタＬ１など）のうち抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００４０】
《ＳＴ２０２》
次に、回路網情報２１に登録された回路網から処理対象となる素子を削除して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗Ｒ１が処理対象として選択された場合、図１０に示した回路網の中から抵抗Ｒ１が削除されることにより、図１５に示した解析用回路網が生成される。図１５に示した解析用回路網では、抵抗Ｒ１が配置されていた部分２０１が開放された状態となっている。
【００４１】
《ＳＴ２０３》
次に、電流情報２２，観測位置情報２３，およびステップＳＴ２０２によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源ＳＳに電流情報２２に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報２３に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、処理対象となる素子を回路網から削除した場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。
【００４２】
《ＳＴ２０４》
次に、ステップＳＴ２０３による解析結果と素子選別情報１０とを参照して、処理対象となる素子に関する情報（その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置（レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤ）と、その素子の終点配置位置（レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤ））とステップＳＴ２０３によって解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報２４に登録する。
【００４３】
《ＳＴ２０５》
次に、素子選別情報１０の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ２０１へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップＳＴ２１を終了する。
【００４４】
このようにして、電位変動解析結果情報２４が生成される。ここでは、図１６のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が電位変動解析結果情報２４に登録されることになる。
【００４５】
〔電位変動解析結果情報〕
図１６のように、電位変動解析結果情報２４には、電位変動解析ステップＳＴ３１によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置（レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤ）と、その素子の終点配置位置（レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤ）と、回路網情報２１に登録された回路網からその素子を削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。
【００４６】
〔素子抽出ステップ〕
次に、図１７を参照して、素子抽出ステップＳＴ２２について説明する。ここでは、電位変動解析結果情報２４に登録された素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を抽出する。
【００４７】
《ＳＴ２０６》
電位変動解析結果情報２４の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００４８】
《ＳＴ２０７》
次に、電位変動解析結果情報２４および素子抽出条件２５を参照して、処理対象となる素子に対応する電位変動量（処理対象となる素子を削除した場合の観測点における電位変動量）が素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップＳＴ２０８へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ２０９へ進む。
【００４９】
《ＳＴ２０８》
次に、電位変動解析結果情報２４を参照して、処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子の始点配置情報および終点配置情報，その素子を削除した場合の観測点における電位変動量）を素子抽出情報２０に登録する。
【００５０】
《ＳＴ２０９》
次に、電位変動解析結果情報２４の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ２０６へ進み、そうでない場合には、素子抽出ステップＳＴ２２を終了する。
【００５１】
このようにして、素子抽出情報２０が生成される。ここでは、図１６に示した電位変動解析結果情報２４によれば、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に対応する電位変動量（観測点における電位変動量）は電位変動閾値「２０ｍＶ」よりも小さい。したがって、図１８のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に関する情報が素子抽出情報２０に登録されることになる。このように、電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を除外して電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選択することにより、観測点における電位変動量を一定値以下（ここでは、２０ｍＶ以下）にすることができる。
【００５２】
〔素子抽出情報〕
図１８のように、素子抽出情報２０には、素子抽出ステップＳＴ２２によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置情報および終点配置情報と、その素子を回路網から削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。
【００５３】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報２０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。例えば、図１８に示した素子抽出情報２０に登録された容量Ｃ１の配置情報を参照すれば、容量Ｃ１が第１メタル配線層Ｍ１と第２メタル配線層Ｍ２との間に形成される寄生容量に相当することを容易に把握できる。すなわち、容量Ｃ１の配置部分において第１メタル配線層Ｍ１と第２メタル配線層Ｍ２との重複が解消されるように（または、少なくなるように）半導体集積回路のレイアウトを修正することによって観測点における電位変動量を低減できることを容易に把握できる。
【００５４】
また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００５５】
なお、ステップＳＴ２０１において、素子選別情報１０の中からではなく回路網情報２１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップＳＴ２１が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報１２を参照しても良い。
【００５６】
（実施形態３）
図１９は、実施形態３による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報１０，回路網情報２１，電流情報２２，観測位置情報２３，感度解析設定情報３１，および素子電位変動情報１１を入力して電位変動解析結果情報３４を生成する電位変動解析ステップＳＴ３１と、電位変動解析結果情報３４および素子抽出条件２５を入力して素子抽出情報３０を生成する素子抽出ステップＳＴ３２とを備える。
【００５７】
〔感度解析設定情報〕
図２０のように、感度解析設定情報３１には、素子の種類とパラメータ変化量とが対応付けて登録されている。図２０では、抵抗のパラメータ変化量（すなわち、抵抗値の変化量）は“±１０％”とされ、容量のパラメータ変化量（すなわち、容量値の変化量）は“±１５％”とされ、インダクタのパラメータ変化量（すなわち、インダクタンス値の変化量）は“±１０％”とされている。
【００５８】
〔電位変動解析ステップ〕
次に、図２１を参照して、電位変動解析ステップＳＴ３１について説明する。ここでは、図８のように、素子選別情報１０には、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が登録されているものとする。
【００５９】
《ＳＴ３０１》
まず、素子選別情報１０の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報２１に登録された回路網を構成する素子（図１０に示された抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，インダクタＬ１など）のうち抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００６０】
《ＳＴ３０２》
次に、回路網情報２１および感度解析設定情報３１を参照して、回路網情報２１に登録された回路網のうち処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報３１に登録された素子パラメータ変化量に応じて変更して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗Ｒ１が処理対象として選択された場合、図１０に示した抵抗Ｒ１の抵抗値を１０％減少させる（すなわち、“５０Ω”から“４５Ω”に減少させる）ことにより、図２２に示した解析用回路網が生成される。また、図１０に示した抵抗Ｒ１の抵抗値を１０％増加させる（すなわち、“５０Ω”から“５５Ω”に増加させる）ことにより、図２３に示した解析用回路網が生成される。なお、図２２および図２３に示した抵抗Ｒ１の抵抗値“４５Ω”および“５５Ω”は、それぞれ、図１０に示した抵抗Ｒ１（抵抗値“５０Ω”）についてのパラメータ変化量の下限値および上限値に相当する。
【００６１】
《ＳＴ３０３》
次に、電流情報２２，観測位置情報２３，およびステップＳＴ３０２によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源ＳＳに電流情報２２に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報２３に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、回路網に含まれる素子（処理対象となる素子）のパラメータを変化させた場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。
【００６２】
《ＳＴ３０４》
次に、ステップＳＴ３０３による解析結果，素子選別情報１０，および素子電位変動情報１１を参照して、処理対象となる素子に関する情報（その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置）とステップＳＴ３０３において解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報３４に登録する。
【００６３】
《ＳＴ３０５》
次に、処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報３１に登録されたパラメータ変化量に応じた値（ここでは、パラメータ変化量の上限および下限の両方）に設定したか否かを判定する。すなわち、処理対象となる素子について未設定のパラメータが残っているか否かを判定する。未設定の素子パラメータが残っている場合には、ステップＳＴ３０２へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ３０６へ進む。
【００６４】
《ＳＴ３０６》
次に、素子選別情報１０の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ３０１へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップＳＴ３１を終了する。
【００６５】
このようにして、電位変動解析結果情報３４が生成される。なお、素子電位変動情報１１に登録された電位変動量を、処理対象となる素子のパラメータを変化させない場合の観測点における電位変動量として電位変動解析結果情報３４に登録しても良い。ここでは、図２４のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に関する情報が電位変動解析結果情報２４に登録されるものとする。
【００６６】
〔電位変動解析結果情報〕
図２４のように、電位変動解析結果情報３４には、電位変動解析ステップＳＴ３１によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。ここでは、観測点における電位変動量として、回路網情報２１に登録された回路網において素子パラメータを変化させない場合の電位変動量と、素子パラメータを下限値（−１０％、または、−１５％）に設定した場合の電位変動量と、素子パラメータを上限値（＋１０％，または、＋１５％）に設定した場合の電位変動量とが登録されている。
【００６７】
図２５は、図２４に示した電位変動解析結果情報３４におけるパラメータ変化量と観測点の電位変動量との対応関係を示す。容量Ｃ１および抵抗Ｒ１の各々の特性線の傾きの大きさから、容量Ｃ１の感度よりも抵抗Ｒ１の感度のほうが高いことがわかる。また、容量Ｃ１および抵抗Ｒ１の各々の特性線の傾きの符号から、容量Ｃ１の容量値を小さいほど観測点の電位変動量が低くなり、抵抗Ｒ１の抵抗値が大きくなるほど観測点の電位変動量が低くなることがわかる。
【００６８】
〔素子抽出ステップ〕
実施形態３における素子抽出ステップＳＴ３２は、実施形態２における素子抽出ステップＳＴ２２（図１７）と同様である。すなわち、電位変動解析結果情報３４の中から処理対象となる素子を選択し（ＳＴ２０６）、処理対象となる素子に対応する電位変動量が素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する（ＳＴ２０７）。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、電位変動解析結果情報３４を参照して処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置および終点配置位置，その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量）を素子抽出情報３０に登録する。ここで、電位変動解析結果情報３４に登録された電位変動量の全てが素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さい場合（例えば、素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値が「１００ｍＶ」である場合）、素子抽出情報３０の登録内容は、電位変動解析結果情報３４の登録内容と等しくなる。
【００６９】
〔素子抽出情報〕
素子抽出情報３０には、素子抽出ステップＳＴ３２によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置および終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。
【００７０】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報３０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路のレイアウトを修正することが容易となる。
【００７１】
また、素子パラメータの増減と観測点における電位変動量の増減との関係を容易に把握できる。例えば、素子抽出情報３０に登録された「パラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量」を参照すれば、その素子の特性線の傾き（パラメータ変化量に対する観測点の電位変動量の割合）の符号を容易に把握できる。したがって、特性線の傾きが“正”である場合には、素子パラメータが減少するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減でき、特性線の傾きが“負”である場合には、素子パラメータが増加するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減できる。
【００７２】
また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００７３】
なお、ステップＳＴ３０１において、素子選別情報１０の中からではなく回路網情報２１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップＳＴ３１が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報１２を参照しても良い。
【００７４】
（実施形態４）
図２６は、実施形態４による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、回路網情報４１，素子電位変動情報１１，および回路網変更条件４２を入力して回路網情報４０を生成する回路網変更ステップＳＴ４１を備える。
【００７５】
〔回路網情報〕
回路網情報２１と同様に、回路網情報４１には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録されている。また、回路網情報４１には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置（例えば、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、その素子が形成されるレイヤなど）や素子のパラメータ値（例えば、抵抗値，容量値，インダクタンス値）などが登録されても良い。
【００７６】
〔回路網変更条件〕
図２７のように、回路網変更条件４２には、電位変動閾値と、削除レイヤとが登録されている。電位変動閾値は、削除対象として選択される素子の電位変動量（ここでは、電位変動量の上限値）を示す。削除レイヤは、削除対象として選択される素子が形成されるレイヤを示す。一般的に、電位変動量が極めて小さい素子を削除しても、観測点における電位変動量は、ほとんど変化しない。図２７では、電位変動閾値として「０．１ｍＶ」が登録され、削除レイヤとして「パッケージ層（Ｐ）」が登録されている。
【００７７】
〔回路網変更ステップ〕
次に、図２８を参照して、回路網変更ステップＳＴ４１について説明する。ここでは、図２９のように、回路網情報４１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０５，Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３，容量Ｃ１０１，Ｃ１０２，Ｃ２０１〜Ｃ２０５，インダクタＬ１０１を含む回路網が登録されているものとする。また、回路網情報４１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０４が“配線層４０１”に形成され、インダクタＬ１０１および抵抗Ｒ１０５が“パッケージ４０２”に形成され、抵抗Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５が“基板４０３”に形成され、容量Ｃ１０１，Ｃ１０２が“配線層４０１と基板４０３との間”に形成されていることが登録されているものとする。また、図３０のように、素子電位変動情報１１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０５，Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３，容量Ｃ１０１，Ｃ１０２，Ｃ２０１〜Ｃ２０５、インダクタＬ１０１の電位変動量が登録されているものとする。
【００７８】
《ＳＴ４０１》
まず、回路網情報４１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報４１および回路網変更条件４２を参照して、回路網情報４１に登録された素子のうち回路網変更条件４２に登録された削除レイヤに形成されない素子の中から処理対象となる素子を選択する。すなわち、図２９に示した回路網を構成する素子のうちパッケージ４０２に形成されたインダクタＬ１０１および抵抗Ｒ１０５は、処理対象として選択されない。
【００７９】
《ＳＴ４０２》
次に、素子電位変動情報１１および回路網変更条件４２を参照して、素子電位変動情報１１に登録された処理対象となる素子の電位変動量が回路網変更条件４２に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップＳＴ４０３へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ４０４へ進む。
【００８０】
《ＳＴ４０３》
次に、回路網情報４１を参照して、処理対象となる素子の種類に応じて回路網情報４１に登録された回路網を変更する。例えば、処理対象となる素子が抵抗（または、インダクタ）である場合には、回路網情報４１に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を短絡された状態にし、処理対象となる素子が容量である場合には、回路網情報４１に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を開放された状態にする。
【００８１】
《ＳＴ４０４》
次に、回路網情報４１に登録された素子の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ４０１へ進み、そうでない場合には、回路網変更ステップＳＴ４１を終了する。
【００８２】
このようにして、回路網情報４１が変更されて新たな回路網情報４０が生成される。ここでは、図３０に示した素子電位変動情報１１によれば、抵抗Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５の電位変動量は、電位変動閾値「０．１ｍＶ」よりも小さい。したがって、図２９に示した回路網から抵抗Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５が削除されることによって、図３１のような回路網が回路網情報４０に登録される。
【００８３】
以上のように、回路網を構成する素子の個数を削減できるので、回路網情報４１を用いて解析処理（例えば、電位変動解析ステップＳＴ２１，ＳＴ３１など）を実行する場合よりも、回路網情報４０を用いて解析処理を実行するほうが解析処理に要する時間を短縮できる。なお、回路網情報２１の代わりに回路網情報４０を用いて、電位変動解析ステップＳＴ２１（または、ＳＴ３１）を実行しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
以上説明したように、上述の半導体集積回路装置の解析方法は、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、デジタル回路とアナログ回路とが混載する半導体集積回路装置の解析方法などとして有用である。
【符号の説明】
【００８５】
１１ 素子電位変動情報
１２ 素子配置情報
１３ 素子選別条件
１０ 素子選別情報
２１，４１，４０ 回路網情報
２２ 電流情報
２３ 観測位置情報
２４，３４ 電位変動解析結果情報
２５ 素子抽出条件
２０，３０ 素子抽出情報
３１ 感度解析設定情報
４２ 回路網変更条件
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路装置の解析技術に関し、さらに詳しくは、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の解析に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積技術の向上により、１つの半導体集積回路装置に様々な回路が搭載されている。このような半導体集積回路装置では、回路間における電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減することが要求されている。特に、アナログ回路とデジタル回路とが混載された半導体集積回路装置では、デジタル回路の動作により発生する電位変動がアナログ回路の回路特性に影響を与えやすいので、その影響を極力低減することが重要となっている。このような電位変動は、半導体集積回路が形成される基板，パッケージ，およびボードや半導体集積回路に含まれる配線などを経由して伝播される。したがって、半導体集積回路装置のレイアウトを修正することによって、回路間における電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減することが可能である。例えば、配線間に形成された寄生容量が回路間における電位変動の伝播経路の要因となっている場合、配線間に寄生容量が形成されないように半導体集積回路装置のレイアウトを変更すれば、電位変動の伝播による回路特性や回路動作への影響を低減できる。
【０００３】
また、このような電位変動は、半導体集積回路装置の設計段階において電位変動解析によって推定することが可能である。このような電位変動解析は、特許文献１と特許文献２などに記載されている。特許文献１には、大規模な半導体集積回路であっても電位変動解析が可能な基板回路網を生成する方法が記載されている。特許文献２には、基板を伝播する電位変動による回路特性への影響を解析して影響を受けやすいデバイスを特定する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３６８１１６号公報
【特許文献２】特開２００２−２７０６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電位変動解析では、半導体集積回路装置のレイアウトに基づいて回路網（半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成される回路網）を抽出し、回路網に設けられた電位変動の発生源に電流変化パターンを代入することにより過渡解析を実行し、観測点（例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点）における電位変動量を観測する。しかしながら、従来の解析方法では、半導体集積回路が形成される基板，パッケージ，およびボードや半導体集積回路に含まれる配線などを複雑に組み合わせて観測点における電位変動量を推定しているので、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定することが困難である。
【０００６】
また、従来の解析方法では、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となるレイアウト形状を推定し、電位変動の伝播による観測点への影響が低減されるようにレイアウト形状を修正し、電位変動解析によって観測点における電位変動量を求めるという一連の作業を観測点における電位変動量が予め設定された許容量になるまで繰り返し実行することになるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮することが困難である。
【０００７】
そこで、この発明は、上記課題を鑑み、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる半導体集積回路装置の解析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の１つの局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および上記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と上記回路素子および上記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、上記回路素子および上記寄生素子の中から予め設定された第１の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【０００９】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子選別情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１０】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、当該素子を上記回路網から削除するとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【００１１】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１２】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、上記回路素子および上記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、上記パラメータ変化量に応じて上記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える。
【００１３】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００１４】
この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、上記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップ（ａ）と、上記ステップ（ａ）によって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、上記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｂ）とを備える。
【００１５】
上記半導体集積回路装置の解析方法では、回路網情報に登録された回路網を構成する素子の個数を削減できる。したがって、回路網情報を用いた解析処理に要する時間を短縮できる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定でき、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態１による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２】素子電位変動情報の一例を示す図。
【図３】素子配置情報の一例を示す図。
【図４】素子選別条件の一例を示す図。
【図５】素子選別ステップについて説明するための図。
【図６】半導体集積回路装置における素子配置の一例を示す図。
【図７】発生源周辺領域およびパッケージ領域について説明するための図。
【図８】素子選別情報の一例を示す図。
【図９】実施形態２による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図１０】回路網情報に登録された回路網の一例を示す図。
【図１１】電流情報に登録された電流値の時系列変化の一例を示す図。
【図１２】観測位置情報の一例を示す図。
【図１３】素子抽出条件の一例を示す図。
【図１４】電位変動解析ステップについて説明するための図。
【図１５】解析用回路網の一例を示す図。
【図１６】電位変動解析結果情報の一例を示す図。
【図１７】素子抽出ステップについて説明するための図。
【図１８】素子抽出情報の一例を示す図。
【図１９】実施形態３による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２０】感度解析設定情報の一例を示す図。
【図２１】電位変動解析ステップについて説明するための図。
【図２２】解析用回路網の一例を示す図。
【図２３】解析用回路網の別の一例を示す図。
【図２４】電位変動解析結果情報の一例を示す図。
【図２５】パラメータ変化に伴う電位変動量の変化について説明するための図。
【図２６】実施形態４による半導体集積回路装置の解析方法を示す図。
【図２７】回路網変更条件の一例を示す図。
【図２８】回路網変更ステップについて説明するための図。
【図２９】変更前の回路網の一例を示す図。
【図３０】素子電位変動情報の一例を示す図。
【図３１】変更後の回路網の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
【００１９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、図１に示すフローをコンピュータに実行させるためのプログラムによって、あるいは、当該フローを実行する装置（例えば、上記プログラムを実行するコンピュータ）によって実現される。なお、後述する他の実施形態についても同様である。実施形態１による半導体集積回路装置の検証方法は、素子電位変動情報１１，素子配置情報１２，素子選別条件１３を入力して素子選別情報１０を生成する素子選別ステップＳＴ１１を備える。
【００２０】
〔素子電位変動情報〕
図２のように、素子電位変動情報１１には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子（半導体集積回路を構成する素子）および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の電位変動量とが登録されている。
【００２１】
〔素子配置情報〕
図３のように、素子配置情報１２には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤとが登録されている。例えば、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３は、それぞれ、第１メタル配線層，第２メタル配線層，第３メタル配線層を示し、ＮＷ，ＰＷは、Ｎ型基板層，Ｐ型基板を示し、Ｐは、パッケージ層を示す。また、“Ｍ１−Ｍ２”は、第１メタル配線層と第２メタル配線層との間を意味する。すなわち、素子配置情報には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録されている。
【００２２】
〔素子選別条件〕
図４のように、素子選別条件１３には、除外領域，除外レイヤ，除外素子，および電位変動閾値が登録されている。除外領域，除外レイヤ，および除外素子は、それぞれ、選別対象から除外される領域，レイヤ，および素子の種類を示す。電位変動閾値は、選別対象として選択される素子の電位変動量を示す。図４では、除外領域として「電位変動発生源セルから２０μｍ以内の領域」および「パッケージ領域」が登録され、除外レイヤとして「Ｎ型基板層（ＮＷ）」および「Ｐ型基板層（ＰＷ）」が登録され、除外素子として「インダクタ（Ｌ）」が登録され、電位変動閾値として「５０ｍＶ以上」が登録されている。例えば、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子の電位変動量は、他の場所に配置された素子の電位変動量よりも大きいので、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子は、選別対象として適切でない。そこで、電位変動源セルから一定距離内（図４では、２０μｍ以内）の領域を選別対象から除外することにより、選別対象として適切でない素子を除外できる。
【００２３】
〔素子選別ステップ〕
次に、図５を参照して、素子選別ステップＳＴ１１について説明する。ここでは、図６のように、半導体集積回路装置を構成する半導体集積回路１１１およびパッケージ１１２に着目し、半導体集積回路１１１には、抵抗Ｒ１〜Ｒ３，容量Ｃ１〜Ｃ３，およびインダクタＬ２が配置され、パッケージ１１２には、インダクタＬ２が配置されているものとする。また、図６において、セル１０１は、電位変動の発生源であり、観測点１０２は、電位変動の観測点（例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点）であるものとする。すなわち、素子選別ステップＳＴ１１では、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を選別する。
【００２４】
《ＳＴ１０１》
まず、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２の中から（すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から）処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗Ｒ１〜Ｒ３，容量Ｃ１〜Ｃ３，およびインダクタＬ１，Ｌ２の中から処理対象となる素子を選択する。
【００２５】
《ＳＴ１０２》
次に、素子電位変動情報１１および素子選別条件１３を参照して、素子電位変動情報１１に登録された処理対象となる素子の電位変動量が素子選別条件１３に登録された電位変動閾値よりも大きいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも大きい場合にはステップＳＴ１０３へ進み、そうでない場合にはステップＳＴ１０５へ進む。
【００２６】
《ＳＴ１０３》
次に、素子配置情報１２および素子選別条件１３を参照して、素子配置情報１２に登録された処理対象となる素子が素子選別条件１３に登録された除外条件に該当するか否かを判定する。ここでは、処理対象となる素子の始点座標および終点座標が素子選別条件１３に登録された除外領域内に存在する場合，処理対象となる素子が形成されるレイヤが素子選別条件１３に登録された除外レイヤである場合，および処理対象となる素子の種類が素子選別条件１３に登録された除外素子の種類に一致する場合のうち少なくとも１つの場合に該当すると、処理対象となる素子が素子選別条件１３に登録された除外条件に該当することになる。除外条件に該当しない場合にはステップＳＴ１０４へ進み、除外条件に該当する場合にはステップＳＴ１０５へ進む。
【００２７】
《ＳＴ１０４》
次に、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２を参照して、処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標，その素子が形成されるレイヤ，その素子の電位変動量）を素子選別情報１０に登録する。
【００２８】
《ＳＴ１０５》
次に、素子電位変動情報１１および素子配置情報１２の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合にはステップＳＴ１０１へ進み、そうでない場合には素子選別ステップＳＴ１１を終了する。
【００２９】
このようして、素子選別情報１０が生成される。ここでは、図２に示した素子電位変動情報１１によれば、抵抗Ｒ，容量Ｃ１，Ｃ３，およびインダクタＬ１の電位変動量は、電位変動閾値「５０ｍＶ」よりも大きい。また、図６に示したレイアウト配置によれば、容量Ｃ２は「電位変動発生源セルから２０μｍ以内の領域（図７のハッチング領域１１３）」に配置され、インダクタＬ１は「パッケージ領域（図７のハッチング領域１１４）」に配置されている。さらに、素子選別条件１３によれば、インダクタＬ１，Ｌ２は除外素子に該当する。したがって、図８のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が素子選別情報１０に登録されることになる。
【００３０】
〔素子選別情報〕
図８のように、素子選別情報１０には、素子選別ステップＳＴ１１によって選別された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤと、その素子の電位変動量とが登録されている。
【００３１】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子（以下、要因素子と表記）を容易に特定できる。したがって、素子選別情報１０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００３２】
また、素子選別条件１３に除外条件（ここでは、除外領域，除外レイヤ，および除外素子）を登録することにより、限定された範囲の中から要因素子を選出できるので、要因素子の選出を容易にできる。なお、素子選別条件１３に除外条件が登録されていなくても良い。
【００３３】
また、素子電位変動情報１１において、素子のインスタント名の代わりに、素子の配置位置（素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、素子が形成されるレイヤなど）が登録されても良い。
【００３４】
（実施形態２）
図９は、実施形態２による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報１０，回路網情報２１，電流情報２２，および観測位置情報２３を入力して電位変動解析結果情報２４を生成する電位変動解析ステップＳＴ２１と、電位変動解析結果情報２４および素子抽出条件２５を入力して素子抽出情報２０を生成する素子抽出ステップＳＴ２２とを備える。
【００３５】
〔回路網情報〕
回路網情報２１には、図１０のような回路網が登録されている。回路網は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子を含む。図１０に示した回路網には、抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，およびインダクタＬ１と、電位変動発生源ＳＳとが含まれている。また、回路網情報２１には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置（例えば、その素子のインスタント名，その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標，その素子が形成されるレイヤなど）や素子のパラメータ値（例えば、抵抗値，容量値，インダクタンス値）などが登録されても良い。
【００３６】
〔電流情報，観測位置情報〕
電流情報２２には、図１１のような電流値の時系列変化が登録されている。すなわち、電流情報２２には、電位変動の発生源の電流変化パターンが登録されている。また、図１２のように、観測位置情報２３には、電位変動の観測点のレイアウト上の座標と、電位変動の観測点が配置されるレイヤとが登録されている。
【００３７】
〔素子抽出条件〕
図１３のように、素子抽出条件２５には、電位変動閾値が登録されている。電位変動閾値は、抽出対象として選択される素子の電位変動量を示す。図１３に示した素子抽出条件２５では、電位変動閾値として「２０ｍＶ以下」が登録されている。
【００３８】
〔電位変動解析ステップ〕
次に、図１４を参照して、電位変動解析ステップＳＴ２１について説明する。ここでは、図８のように、素子選別情報１０には、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が登録されているものとする。
【００３９】
《ＳＴ２０１》
まず、素子選別情報１０の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報２１に登録された回路網を構成する素子（図１０に示された抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，インダクタＬ１など）のうち抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００４０】
《ＳＴ２０２》
次に、回路網情報２１に登録された回路網から処理対象となる素子を削除して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗Ｒ１が処理対象として選択された場合、図１０に示した回路網の中から抵抗Ｒ１が削除されることにより、図１５に示した解析用回路網が生成される。図１５に示した解析用回路網では、抵抗Ｒ１が配置されていた部分２０１が開放された状態となっている。
【００４１】
《ＳＴ２０３》
次に、電流情報２２，観測位置情報２３，およびステップＳＴ２０２によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源ＳＳに電流情報２２に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報２３に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、処理対象となる素子を回路網から削除した場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。
【００４２】
《ＳＴ２０４》
次に、ステップＳＴ２０３による解析結果と素子選別情報１０とを参照して、処理対象となる素子に関する情報（その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置（レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤ）と、その素子の終点配置位置（レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤ））とステップＳＴ２０３によって解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報２４に登録する。
【００４３】
《ＳＴ２０５》
次に、素子選別情報１０の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ２０１へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップＳＴ２１を終了する。
【００４４】
このようにして、電位変動解析結果情報２４が生成される。ここでは、図１６のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が電位変動解析結果情報２４に登録されることになる。
【００４５】
〔電位変動解析結果情報〕
図１６のように、電位変動解析結果情報２４には、電位変動解析ステップＳＴ３１によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置（レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤ）と、その素子の終点配置位置（レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤ）と、回路網情報２１に登録された回路網からその素子を削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。
【００４６】
〔素子抽出ステップ〕
次に、図１７を参照して、素子抽出ステップＳＴ２２について説明する。ここでは、電位変動解析結果情報２４に登録された素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を抽出する。
【００４７】
《ＳＴ２０６》
電位変動解析結果情報２４の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００４８】
《ＳＴ２０７》
次に、電位変動解析結果情報２４および素子抽出条件２５を参照して、処理対象となる素子に対応する電位変動量（処理対象となる素子を削除した場合の観測点における電位変動量）が素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップＳＴ２０８へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ２０９へ進む。
【００４９】
《ＳＴ２０８》
次に、電位変動解析結果情報２４を参照して、処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子の始点配置情報および終点配置情報，その素子を削除した場合の観測点における電位変動量）を素子抽出情報２０に登録する。
【００５０】
《ＳＴ２０９》
次に、電位変動解析結果情報２４の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ２０６へ進み、そうでない場合には、素子抽出ステップＳＴ２２を終了する。
【００５１】
このようにして、素子抽出情報２０が生成される。ここでは、図１６に示した電位変動解析結果情報２４によれば、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に対応する電位変動量（観測点における電位変動量）は電位変動閾値「２０ｍＶ」よりも小さい。したがって、図１８のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に関する情報が素子抽出情報２０に登録されることになる。このように、電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を除外して電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選択することにより、観測点における電位変動量を一定値以下（ここでは、２０ｍＶ以下）にすることができる。
【００５２】
〔素子抽出情報〕
図１８のように、素子抽出情報２０には、素子抽出ステップＳＴ２２によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置情報および終点配置情報と、その素子を回路網から削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。
【００５３】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報２０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。例えば、図１８に示した素子抽出情報２０に登録された容量Ｃ１の配置情報を参照すれば、容量Ｃ１が第１メタル配線層Ｍ１と第２メタル配線層Ｍ２との間に形成される寄生容量に相当することを容易に把握できる。すなわち、容量Ｃ１の配置部分において第１メタル配線層Ｍ１と第２メタル配線層Ｍ２との重複が解消されるように（または、少なくなるように）半導体集積回路のレイアウトを修正することによって観測点における電位変動量を低減できることを容易に把握できる。
【００５４】
また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００５５】
なお、ステップＳＴ２０１において、素子選別情報１０の中からではなく回路網情報２１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップＳＴ２１が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報１２を参照しても良い。
【００５６】
（実施形態３）
図１９は、実施形態３による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報１０，回路網情報２１，電流情報２２，観測位置情報２３，感度解析設定情報３１，および素子電位変動情報１１を入力して電位変動解析結果情報３４を生成する電位変動解析ステップＳＴ３１と、電位変動解析結果情報３４および素子抽出条件２５を入力して素子抽出情報３０を生成する素子抽出ステップＳＴ３２とを備える。
【００５７】
〔感度解析設定情報〕
図２０のように、感度解析設定情報３１には、素子の種類とパラメータ変化量とが対応付けて登録されている。図２０では、抵抗のパラメータ変化量（すなわち、抵抗値の変化量）は“±１０％”とされ、容量のパラメータ変化量（すなわち、容量値の変化量）は“±１５％”とされ、インダクタのパラメータ変化量（すなわち、インダクタンス値の変化量）は“±１０％”とされている。
【００５８】
〔電位変動解析ステップ〕
次に、図２１を参照して、電位変動解析ステップＳＴ３１について説明する。ここでは、図８のように、素子選別情報１０には、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３に関する情報が登録されているものとする。
【００５９】
《ＳＴ３０１》
まず、素子選別情報１０の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報２１に登録された回路網を構成する素子（図１０に示された抵抗Ｒ１，容量Ｃ１，Ｃ３，インダクタＬ１など）のうち抵抗Ｒ１および容量Ｃ１，Ｃ３が処理対象として選択されることになる。
【００６０】
《ＳＴ３０２》
次に、回路網情報２１および感度解析設定情報３１を参照して、回路網情報２１に登録された回路網のうち処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報３１に登録された素子パラメータ変化量に応じて変更して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗Ｒ１が処理対象として選択された場合、図１０に示した抵抗Ｒ１の抵抗値を１０％減少させる（すなわち、“５０Ω”から“４５Ω”に減少させる）ことにより、図２２に示した解析用回路網が生成される。また、図１０に示した抵抗Ｒ１の抵抗値を１０％増加させる（すなわち、“５０Ω”から“５５Ω”に増加させる）ことにより、図２３に示した解析用回路網が生成される。なお、図２２および図２３に示した抵抗Ｒ１の抵抗値“４５Ω”および“５５Ω”は、それぞれ、図１０に示した抵抗Ｒ１（抵抗値“５０Ω”）についてのパラメータ変化量の下限値および上限値に相当する。
【００６１】
《ＳＴ３０３》
次に、電流情報２２，観測位置情報２３，およびステップＳＴ３０２によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源ＳＳに電流情報２２に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報２３に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、回路網に含まれる素子（処理対象となる素子）のパラメータを変化させた場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。
【００６２】
《ＳＴ３０４》
次に、ステップＳＴ３０３による解析結果，素子選別情報１０，および素子電位変動情報１１を参照して、処理対象となる素子に関する情報（その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置）とステップＳＴ３０３において解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報３４に登録する。
【００６３】
《ＳＴ３０５》
次に、処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報３１に登録されたパラメータ変化量に応じた値（ここでは、パラメータ変化量の上限および下限の両方）に設定したか否かを判定する。すなわち、処理対象となる素子について未設定のパラメータが残っているか否かを判定する。未設定の素子パラメータが残っている場合には、ステップＳＴ３０２へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ３０６へ進む。
【００６４】
《ＳＴ３０６》
次に、素子選別情報１０の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ３０１へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップＳＴ３１を終了する。
【００６５】
このようにして、電位変動解析結果情報３４が生成される。なお、素子電位変動情報１１に登録された電位変動量を、処理対象となる素子のパラメータを変化させない場合の観測点における電位変動量として電位変動解析結果情報３４に登録しても良い。ここでは、図２４のように、抵抗Ｒ１および容量Ｃ１に関する情報が電位変動解析結果情報２４に登録されるものとする。
【００６６】
〔電位変動解析結果情報〕
図２４のように、電位変動解析結果情報３４には、電位変動解析ステップＳＴ３１によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。ここでは、観測点における電位変動量として、回路網情報２１に登録された回路網において素子パラメータを変化させない場合の電位変動量と、素子パラメータを下限値（−１０％、または、−１５％）に設定した場合の電位変動量と、素子パラメータを上限値（＋１０％，または、＋１５％）に設定した場合の電位変動量とが登録されている。
【００６７】
図２５は、図２４に示した電位変動解析結果情報３４におけるパラメータ変化量と観測点の電位変動量との対応関係を示す。容量Ｃ１および抵抗Ｒ１の各々の特性線の傾きの大きさから、容量Ｃ１の感度よりも抵抗Ｒ１の感度のほうが高いことがわかる。また、容量Ｃ１および抵抗Ｒ１の各々の特性線の傾きの符号から、容量Ｃ１の容量値を小さいほど観測点の電位変動量が低くなり、抵抗Ｒ１の抵抗値が大きくなるほど観測点の電位変動量が低くなることがわかる。
【００６８】
〔素子抽出ステップ〕
実施形態３における素子抽出ステップＳＴ３２は、実施形態２における素子抽出ステップＳＴ２２（図１７）と同様である。すなわち、電位変動解析結果情報３４の中から処理対象となる素子を選択し（ＳＴ２０６）、処理対象となる素子に対応する電位変動量が素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する（ＳＴ２０７）。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、電位変動解析結果情報３４を参照して処理対象となる素子に関する情報（ここでは、その素子のインスタント名，その素子の始点配置位置および終点配置位置，その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量）を素子抽出情報３０に登録する。ここで、電位変動解析結果情報３４に登録された電位変動量の全てが素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値よりも小さい場合（例えば、素子抽出条件２５に登録された電位変動閾値が「１００ｍＶ」である場合）、素子抽出情報３０の登録内容は、電位変動解析結果情報３４の登録内容と等しくなる。
【００６９】
〔素子抽出情報〕
素子抽出情報３０には、素子抽出ステップＳＴ３２によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置および終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。
【００７０】
以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報３０を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路のレイアウトを修正することが容易となる。
【００７１】
また、素子パラメータの増減と観測点における電位変動量の増減との関係を容易に把握できる。例えば、素子抽出情報３０に登録された「パラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量」を参照すれば、その素子の特性線の傾き（パラメータ変化量に対する観測点の電位変動量の割合）の符号を容易に把握できる。したがって、特性線の傾きが“正”である場合には、素子パラメータが減少するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減でき、特性線の傾きが“負”である場合には、素子パラメータが増加するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減できる。
【００７２】
また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。
【００７３】
なお、ステップＳＴ３０１において、素子選別情報１０の中からではなく回路網情報２１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップＳＴ３１が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報１２を参照しても良い。
【００７４】
（実施形態４）
図２６は、実施形態４による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、回路網情報４１，素子電位変動情報１１，および回路網変更条件４２を入力して回路網情報４０を生成する回路網変更ステップＳＴ４１を備える。
【００７５】
〔回路網情報〕
回路網情報２１と同様に、回路網情報４１には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録されている。また、回路網情報４１には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置（例えば、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、その素子が形成されるレイヤなど）や素子のパラメータ値（例えば、抵抗値，容量値，インダクタンス値）などが登録されても良い。
【００７６】
〔回路網変更条件〕
図２７のように、回路網変更条件４２には、電位変動閾値と、削除レイヤとが登録されている。電位変動閾値は、削除対象として選択される素子の電位変動量（ここでは、電位変動量の上限値）を示す。削除レイヤは、削除対象として選択される素子が形成されるレイヤを示す。一般的に、電位変動量が極めて小さい素子を削除しても、観測点における電位変動量は、ほとんど変化しない。図２７では、電位変動閾値として「０．１ｍＶ」が登録され、削除レイヤとして「パッケージ層（Ｐ）」が登録されている。
【００７７】
〔回路網変更ステップ〕
次に、図２８を参照して、回路網変更ステップＳＴ４１について説明する。ここでは、図２９のように、回路網情報４１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０５，Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３，容量Ｃ１０１，Ｃ１０２，Ｃ２０１〜Ｃ２０５，インダクタＬ１０１を含む回路網が登録されているものとする。また、回路網情報４１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０４が“配線層４０１”に形成され、インダクタＬ１０１および抵抗Ｒ１０５が“パッケージ４０２”に形成され、抵抗Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５が“基板４０３”に形成され、容量Ｃ１０１，Ｃ１０２が“配線層４０１と基板４０３との間”に形成されていることが登録されているものとする。また、図３０のように、素子電位変動情報１１には、抵抗Ｒ１０１〜Ｒ１０５，Ｒ２０１〜Ｒ２１３，Ｒ３０１〜Ｒ３１３，容量Ｃ１０１，Ｃ１０２，Ｃ２０１〜Ｃ２０５、インダクタＬ１０１の電位変動量が登録されているものとする。
【００７８】
《ＳＴ４０１》
まず、回路網情報４１に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報４１および回路網変更条件４２を参照して、回路網情報４１に登録された素子のうち回路網変更条件４２に登録された削除レイヤに形成されない素子の中から処理対象となる素子を選択する。すなわち、図２９に示した回路網を構成する素子のうちパッケージ４０２に形成されたインダクタＬ１０１および抵抗Ｒ１０５は、処理対象として選択されない。
【００７９】
《ＳＴ４０２》
次に、素子電位変動情報１１および回路網変更条件４２を参照して、素子電位変動情報１１に登録された処理対象となる素子の電位変動量が回路網変更条件４２に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップＳＴ４０３へ進み、そうでない場合には、ステップＳＴ４０４へ進む。
【００８０】
《ＳＴ４０３》
次に、回路網情報４１を参照して、処理対象となる素子の種類に応じて回路網情報４１に登録された回路網を変更する。例えば、処理対象となる素子が抵抗（または、インダクタ）である場合には、回路網情報４１に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を短絡された状態にし、処理対象となる素子が容量である場合には、回路網情報４１に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を開放された状態にする。
【００８１】
《ＳＴ４０４》
次に、回路網情報４１に登録された素子の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップＳＴ４０１へ進み、そうでない場合には、回路網変更ステップＳＴ４１を終了する。
【００８２】
このようにして、回路網情報４１が変更されて新たな回路網情報４０が生成される。ここでは、図３０に示した素子電位変動情報１１によれば、抵抗Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５の電位変動量は、電位変動閾値「０．１ｍＶ」よりも小さい。したがって、図２９に示した回路網から抵抗Ｒ３０１〜Ｒ３１３および容量Ｃ２０１〜Ｃ２０５が削除されることによって、図３１のような回路網が回路網情報４０に登録される。
【００８３】
以上のように、回路網を構成する素子の個数を削減できるので、回路網情報４１を用いて解析処理（例えば、電位変動解析ステップＳＴ２１，ＳＴ３１など）を実行する場合よりも、回路網情報４０を用いて解析処理を実行するほうが解析処理に要する時間を短縮できる。なお、回路網情報２１の代わりに回路網情報４０を用いて、電位変動解析ステップＳＴ２１（または、ＳＴ３１）を実行しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
以上説明したように、上述の半導体集積回路装置の解析方法は、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、デジタル回路とアナログ回路とが混載する半導体集積回路装置の解析方法などとして有用である。
【符号の説明】
【００８５】
１１ 素子電位変動情報
１２ 素子配置情報
１３ 素子選別条件
１０ 素子選別情報
２１，４１，４０ 回路網情報
２２ 電流情報
２３ 観測位置情報
２４，３４ 電位変動解析結果情報
２５ 素子抽出条件
２０，３０ 素子抽出情報
３１ 感度解析設定情報
４２ 回路網変更条件
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、前記回路素子および前記寄生素子の中から予め設定された第１の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）は、前記回路素子および前記寄生素子のうち予め設定された除外条件に該当する素子を処理対象から除外する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外領域内に配置されているという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記除外領域は、前記電位変動の発生源から予め設定された距離内の領域である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項５】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外レイヤに配置されているという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項６】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外素子の種類に該当するという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）によって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ｃ）と、
前記ステップ（ｃ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第２の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｄ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）によって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ｃ）と、
前記ステップ（ｃ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第２の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｄ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記回路網情報と前記素子電位変動情報とを参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された第３の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｅ）をさらに備え、
前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｅ）によって得られた新たな回路網情報を参照する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ステップ（ｅ）は、前記回路網情報に登録された回路網から前記第３の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１１】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１２】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１３】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、前記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ステップ（ｂ）は、前記回路網情報に登録された回路網から前記電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、前記回路素子および前記寄生素子の中から予め設定された第１の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）は、前記回路素子および前記寄生素子のうち予め設定された除外条件に該当する素子を処理対象から除外する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外領域内に配置されているという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記除外領域は、前記電位変動の発生源から予め設定された距離内の領域である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項５】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外レイヤに配置されているという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項６】
請求項２において、
前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外素子の種類に該当するという条件である
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）によって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ｃ）と、
前記ステップ（ｃ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第２の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｄ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記ステップ（ｂ）によって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ｃ）と、
前記ステップ（ｃ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第２の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｄ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記回路網情報と前記素子電位変動情報とを参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された第３の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｅ）をさらに備え、
前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｅ）によって得られた新たな回路網情報を参照する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ステップ（ｅ）は、前記回路網情報に登録された回路網から前記第３の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１１】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１２】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、
前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１３】
半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、前記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップ（ｂ）とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ステップ（ｂ）は、前記回路網情報に登録された回路網から前記電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【公開番号】特開２０１３−８１４３（Ｐ２０１３−８１４３Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３９５４６（Ｐ２０１１−１３９５４６）
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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