【課題】金属配線パターンの寄生抵抗を低減可能なダミーパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】切り欠きパターン２を一及び逆方向に各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形４を生成した後、各所定値Δｘ１だけ拡大してダミーパターン５を生成し、その外形を抽出して矩形図形６を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形７を生成し、ダミーパターン５から縮小図形７を論理減算して切り欠き図形８及び矩形図形９を生成し、切り欠き図形８を抽出してダミーパターン５から論理減算して矩形図形１０を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形１１を生成し、矩形図形１０から縮小図形１１を論理減算して第１，第２のビア配置領域１２，１３を生成し、各ビア配置領域１２，１３にビア１４をそれぞれ配置する。 （もっと読む）

【課題】配線レイアウトのパターン形状に依存した効果をＬＰＥに容易に取込む。
【解決手段】半導体集積回路の設計支援装置は、図形演算機能を有する第１の情報処理部１１０と、第２の情報処理部１２０とを備える。第１の情報処理部１１０は、レイアウト情報に含まれる各配線層のレイアウトパターンに対して図形演算を施すことによって、予め定める特定形状の配線パターンを抽出する。第２の情報処理部１２０は、製造プロセスに依存した配線または配線層間の絶縁層の厚みの設計値からのずれの大きさを、レイアウト情報から抽出した配線幅および配線密度の情報と、抽出された特定形状の配線パターンに関する情報とに基づいて予測する。そして、第２の情報処理部１２０は、予測した設計値からのずれの大きさを取り入れた配線および配線層間の絶縁層の厚みに基づいて、配線の寄生パラメータを抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に対し、ダミーパターン配置後に、ダミーパターンを使用したＥＣＯ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｈａｎｇｅ Ｏｒｄｅｒ）配線設計を行う。
【解決手段】配線設計装置は、半導体集積回路にダミーパターンを配置し、ダミーパターンをＥＣＯ配線に変更し、ダミーパターンの再配置及び電気的ショートを発生することなくＥＣＯ配線を行う。これにより、ＥＣＯ配線を行う時に、ダミーパターン再挿入や、既存配線とのショートを発生せずに、設計ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）増を抑制することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】配線層に形成される信号配線をなるべく迂回させずに配線できるように電源スタックビアが配置された半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第１の方向に延伸された第１，第２の下層電源配線１１Ａ，１１Ｂと、第２の方向に延伸された第１，第２の上層電源配線１２Ａ，１２Ｂと、上層，下層電源配線を接続させる第１，第２接続部３Ａ，３Ｂと、を備え、第１，第２接続部は、第１，第２の接続用配線２６Ａ，２６Ｂと、第１，第２の位置変換用配線２７Ａ，２７Ｂと、第１，第２の上側ビア２８Ａ，２８Ｂと、を有して構成され、第１，第２の接続用配線は、第２の方向に沿った同一ライン上に配置され、第１，第２の位置変換用配線は、第１，第２の接続用配線を第２の方向に沿って延長した領域内に形成され、第１，第２の上側ビアは、第１の方向に沿った同一ライン上となる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】トリミングや冗長に用いられるヒューズを有する半導体装置に関し、安定且つ確実に溶断しうるヒューズを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ヒューズを形成し、ヒューズが形成された半導体基板上に、第１の絶縁膜に接して第２の絶縁膜を形成し、ヒューズ上の第２の絶縁膜に、開口部を形成し、第２の絶縁膜上及び開口部内に第３の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発振器に含まれる複数の遅延反転増幅回路の配線容量を高い精度で一定にすることにより、容易に正確、かつ高周波数の多相クロックを生成できる発振器を提供する。
【解決手段】 リング状に接続された遅延反転増幅回路１０１〜１０５を、１列にレイアウトし、かつ、遅延反転増幅回路１０２の出力端子から１０３の入力端子までの配線長と、遅延反転増幅回路１０３の出力端子から１０４の入力端子までの配線長と、遅延反転増幅回路１０４の出力端子から１０５の入力端子までの配線長と、遅延反転増幅回路１０５の出力端子から１０１の入力端子までの配線長と、遅延反転増幅回路１０１〜１０５の出力端子と接続されている配線の配線長を全て等しくする。 （もっと読む）

【課題】再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、パッケージング工程で発生する応力を利用してＰＭＯＳＦＥＴの電流駆動能力を制御する。
【解決手段】メタルポスト２１の形成に起因して半導体基板に圧縮応力が生じる範囲内にＰＭＯＳＦＥＴ３１が配置されている。ＰＭＯＳＦＥＴ３１はそのチャネル方向がメタルポスト２３の配置範囲の重心Ｏ及びＰＭＯＳＦＥＴ３１のチャネル領域の配置範囲の重心Ｇを通る直線と直交する向きに配置されている。重心Ｇで、メタルポスト２１の形成に起因して半導体基板に生じる圧縮応力は、重心Ｇの位置で、重心Ｇと中心Ｏを通る直線に直交する方向に印加される。重心Ｇでの圧縮応力の方向とＰＭＯＳＦＥＴ３１のチャネル方向は一致するので、ＰＭＯＳＦＥＴ３１の電流駆動能力は、当該圧縮応力が印加されない場合に比べて向上する。 （もっと読む）

【課題】ビアの信頼性を改良するための技術を提供する。
【解決手段】別の半導体デバイスが、複数の導電性配線（１２−２０）を含む第１層（２１）および第２層（３３）を含み、複数の非機能的ビアパッド（３４）が、第２層または第１層と第２層との間に含まれる。複数のダングリングビア（４０）は、第１層の特定の領域内に含まれる。ダングリングビアは、第１層の１つまたは複数の配線をビアパッドの対応する一つに接続する。 （もっと読む）

【課題】配線およびダミーパターンが配置された領域の割合を各メタル層において均一に保ちつつ、ダミーパターンの生成によって生じたタイミングエラーを解消できるようにすること。
【解決手段】レイアウト設計装置は、配線およびダミーメタルが配置されたメタル層において、エラーを生じた配線の周囲に配置された複数のダミーメタルの中から該エラーの原因となったダミーメタルを抽出し、該メタル層を分割して得られた複数の領域のそれぞれにおいて、配線およびダミーメタルを含むメタルが占める割合であるメタル密度が該メタル層に対して規定された所定のメタル密度以上となるようにしつつ、該エラーが解消されるように、抽出したダミーメタルの中から削除すべきダミーメタルを選択するダミーメタル選択部と、選択されたダミーメタルを削除するダミーメタル変更部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】効率的に検出率を向上する方法及び未検出箇所が不良になる確率を低減させる手法により、多層配線層の検査工程を含む半導体製品の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体製品の製造歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】不良の検出が困難な未検出領域について、パターン等の変更を行い検出率、致命率の改善を行う。例えば、検出が困難な未検出領域についてパターンを追加することで検出可能とする、パターンの間隔を広げることで不良率を低下させることなどが考えられる。 （もっと読む）

【課題】プロセス寸法の縮小に伴う光相互作用の予測品質の低下を抑止する。
【解決手段】ゲートレベル仮想格子の、連続的に隣接して配置された少なくとも３本の仮想ラインのそれぞれは、その上に定義された少なくとも１つの線形導電体形状を有し、ゲートレベル仮想格子の少なくとも３本の仮想ラインの第１の仮想ラインは、その上に定義され、第１の終端−終端間スペーシングで分離された２つの線形導電体セグメントを有し、ゲートレベル仮想格子の少なくとも３本の仮想ラインの第２の仮想ラインは、その上に定義され、第２の終端−終端間スペーシングで分離された他の２つの線形導電体セグメントを有し、第１の仮想ラインに沿って測定された第１の終端−終端間スペーシングの寸法は、第２の仮想ラインに沿って測定された第２の終端−終端間スペーシングの寸法に等しく、ゲートレベル仮想格子の仮想ラインは、いかなる導電体形状によっても占有されない。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ配線を溶断する際に素子分離構造や半導体基板に与えるダメージを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板の主面の面内方向に互いに離間するように形成された一対の電極１２Ａ，１２Ｂと、これら電極１２Ａ，１２Ｂを被覆し、上面に凹部１３ｃを有する下層絶縁膜１３と、凹部１３ｃに形成されたヒューズ配線２０Ｃと、下層絶縁膜１３及びヒューズ配線２０Ｃを被覆する層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１上に形成され、ヒューズ配線２０Ｃの直上にレーザトリミング用の開口部１ｈを有する上層絶縁膜３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高集積化に有効な複数の配線パターンを含む配線パターン群を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 同一の配線用途のＮ（Ｎ≧３）本の配線パターンを含む配線パターン群を含む。Ｎ本の配線パターンの各々は別の層の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含む。Ｎ本の配線パターンは、配線パターンＮ１と、配線パターンＮ１の長手方向と異なる一方向に配置された二つ以上の配線パターンＮｉ（ｉ≧２）を含む。二つ以上の配線パターンＮｉはｉの値が大きいほど配線パターンＮ１から離れた位置に配置され、二つ以上の配線パターンＮｉは少なくとも一つ以上のパターンＮｐ（２≦ｐ＜Ｎ）と少なくとも一つ以上の配線パターンＮｑ（ｐ＜ｑ≦Ｎ）を含む。少なくとも一つ以上の配線パターンＮｐはｐの値が大きいほど長手方向の寸法が長く、少なくとも一つ以上の配線パターンＮｑは、ｑの値が大きいほど、長手方向の寸法が短い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ヒューズ層を覆う絶縁膜の膜厚を精度良く調整する。
【解決手段】半導体基板１０上の第２の層間絶縁膜１７上にヒューズ層１８Ｔが形成され、ヒューズ層１８Ｔは第３の層間絶縁膜２０で覆われる。第３の層間絶縁膜２０上には、キャップメタル２４に覆われたパッド電極２３が形成され、それらは第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６に覆われる。次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。その後、パッド電極２３上で開口する第２のレジスト層３０をマスクとして、パッド電極２３上で第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６及びキャップメタル層２４をエッチングしてパッド電極２３の表面を露出する。その後、保護膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を増やすこと無く、ヒューズカット時間を短縮することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ヒューズ配線（１０）と、加熱用配線（２１、２２）とを具備し、ヒューズ配線（１０）と加熱配線（２１、２２）とに電圧を印加してヒューズ配線の溶断部を切断する。ヒューズ配線（１０）は、回路素子を形成する配線層と同じ層に形成され、電気的に切断されうる溶断部を備える。加熱用配線（２１、２２）は、回路素子を形成する配線層と同じ層のうちのヒューズ配線（１０）より上層の配線層に絶縁層を介して溶断部を複数回横断するように形成され、溶断部の配線幅より広い配線幅を有して溶断部を加熱する。 （もっと読む）

【課題】配線オブジェクトの敷設方向に対してずれを持たせたダミーメタルの配置を評価すること。
【解決手段】ダミーメッシュ情報作成部２１は、配線オブジェクトの方向に対してずれを設けて規則的に配置したダミーメタルのブロック群を、各メッシュ内のダミーメタルの配置が同一となるようにメッシュ形状に分割する。重複判定部２３は、分割によって得られた複数のダミーメッシュについて、配線オブジェクトとメッシュ内のダミーメタルのブロックとの重複を判定する。判定の結果、配線オブジェクトと重複するダミーメタルのブロックを除去したダミー情報をダミー情報算出部２５が算出し、情報統合部２６が配線オブジェクトの情報と統合する。評価部２７は、統合したダミー挿入後の回路レイアウトが設計基準を満たすかを評価する。 （もっと読む）

【課題】設計期間の短縮が可能な半導体集積回路の設計方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体集積回路の設計方法は、第１配線層、前記第１配線層上に設けられる第２配線層、及び前記第２配線層上に設けられる第３配線層を有する半導体集積回路の設計方法である。この方法は、前記第２配線層に、第１方向に沿って複数のスペア配線を配置し、前記第３配線層に、前記第１方向に直交する第２方向に沿って複数のスペア配線を配置する工程を備える。さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】設計工数をほとんど掛けないで、ＣＭＰ対策及び短時間光アニール対策の両対策に最適化されたダミーパターンを有する半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、メモリマクロ領域１０及び機能回路領域２０を有する半導体集積回路装置１において、機能回路領域２０間、及び、メモリマクロ領域１０と機能回路領域２０との間に配置されるとともにダミーパターン４１を含むダミーパターン領域４０を備え、ダミーパターン４１は、前記メモリセルアレイ領域におけるメモリセルパターン１１の拡散層１２、１３及びゲート電極１４と同等のパターンであり、ダミーパターン領域４０におけるダミー拡散層４２、４３及びダミーゲート電極４４の面積率は、メモリセルアレイ領域における拡散層１２、１３及びゲート電極１４の面積率と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】金属層からなるガードリングで囲まれたトリミング素子形成領域のヒューズ上の保護膜の開口からヒューズ上の層間絶縁膜に浸入した水分等がガードリングに形成されたヒューズ引き出し電極用の開口を通ってデバイス形成領域に浸入することを防止する。
【解決手段】ヒューズ５ａを取り囲む第１ガードリング３０とその外側の第２ガードリング４０に囲まれたヒューズ電極引き出し領域４１を形成する。ヒューズ５ａと連続し層間絶縁膜６とフィールド酸化膜４の間をヒューズ電極引き出し領域４１まで延在するヒューズ電極５と、該ヒューズ電極５と接続する第１ヒューズ引き出し電極７ｃと、該第１ヒューズ引き出し電極７ｃと接続する第２ヒューズ引き出し電極９ｃとを形成し、該第２ヒューズ引き出し電極９ｃを層間絶縁膜８上に形成された第２ガードリング４０を構成する第２電極の開口２４を通してデバイス素子形成領域８０に引き出す。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、ゲート電極部の幅及びゲート電極部からの突き出し長のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。２つのダミーパターン４３３と、これらに挟まれ且つ実パターン４３２を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 （もっと読む）