Fターム［5F083GA11］の内容
Fターム［5F083GA11］の下位に属するFターム
低雑音化 (360)
保護素子 (38)
誤書込防止 (328)
誤消去防止 (100)
過消去（オーバーイレース）防止 (41)
ソフトエラー防止 (115)
局所的電界緩和 (168)
疲労特性劣化の防止 (791)
カップリング比増大 (255)
ラッチアップ防止 (24)
高耐圧化 (134)
不純物混入、拡散防止 (686)
Fターム［5F083GA11］に分類される特許
1,881 - 1,881 / 1,881
半導体装置の製造方法、強誘電体キャパシタ、およびその製造方法
【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。
【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。
（もっと読む）
1,881 - 1,881 / 1,881
[ Back to top ]