【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Ｃｄを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、Ｉｎ_２Ｓ_３及びＩｎ（ＯＨ）_３を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を含む光吸収層と、ＣｄＳを含むバッファ層とを組み合わせた光電素子において、可視光領域の長波長側における量子効率の更なる向上を図ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、カドミウム塩、チオウレア基を有する化合物及びこれらが溶解している水を含み、チオウレア基のカドミウムに対するモル比が５〜４０であるアルカリ性の反応液を用いたＣＢＤ法により形成されたＣｄＳ膜を有する。 （もっと読む）

【課題】１種類の光学素子モジュールを用いるだけで、光結合できる光通信用の光学素子モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】基材主面上に、光学素子モジュール外からの光を集光する光学部材がアレイ状に配置された光学部材アレイを複数有した光学素子モジュールであり、前記光学部材が、第１のパターンで配置された第１の光学部材アレイと、前記第１のパターンと鏡像関係を有する第２のパターンで配置された第２の光学部材アレイと、になるよう配置され、前記第１のパターンと前記第２のパターンとが、所定の対称軸に対して線対称となるように、前記第１の光学部材アレイと前記第２の光学部材アレイとが配設され、前記第１のパターンで配置された前記光学部材は、前記対称軸方向と前記対称軸と垂直な方向のいずれでもない第１の軸方向と、前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向とに配置される。 （もっと読む）

【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板上に、互いに離間する第１及び第２の導電部材を複数形成し、該第１及び第２の導電部材の上面の一部を保護膜で被覆する第１の工程と、前記第１及び第２の導電部材の間に遮光性の熱硬化性樹脂を含む基体を形成する第２の工程と、前記保護膜を除去し、該保護膜を除去した前記第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置し、前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、前記支持基板を除去する第４の工程と、前記光半導体素子を個片化して光半導体装置を得る第５の工程を含む光半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】放射線像検出器の高精細化をできるようにする。
【解決手段】放射線像検出器１が、二次元アレイ状に配列された複数のダブルゲートトランジスタ２０と、これらダブルゲートトランジスタ２０上に形成されたシンチレータ５０と、を備える。ダブルゲートトランジスタ２０が、ボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート絶縁膜２２上に形成された半導体膜２３と、半導体膜２３に接した２つの不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、半導体膜２３を被覆したトップゲート絶縁膜２９と、トップゲート絶縁膜２９上に形成されたトップゲート電極３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程により、優れた精度で受発光素子と光導波路とを光結合することのできる光導波路デバイスの製法と、それによって得られる光導波路デバイスと、それに用いられる光導波路接続構造を提供する。
【解決手段】アンダークラッド層１０の上に凸状のコアパターン１１が形成された光導波路フィルムを準備するとともに、基板１上に実装された受光素子２を封止する封止樹脂層７の上面に、その底部が上記受発光素子２の受光部２ａと重なる凹部を賦形し、上記封止樹脂層の凹部に上記光導波路フィルムの凸状のコアパターン１１を嵌合させることにより、受光素子２と光導波路フィルムの光導波路とを光結合した。そして、嵌合部以外のコアパターン１１を、オーバークラッド層１３で被覆した。 （もっと読む）

【課題】低コストで高解像度かつ実効感度の高いセンサ装置、エリアセンサ装置、および、この光センサ素子を内蔵した画像表示装置を提供する。
【解決手段】入射光Ｌ１側に、少なくともセンサ素子２を被覆するように設置された遮光部と遮光部の中に設けた開口部に形成された集光部６とで構成されたマイクロレンズ３の集光部が、センサ素子２上に集光された光のスポットが該センサ素子２の光電変換層２ｂに到達するように設置される。これにより、入射光Ｌ１をセンサ素子２の光電変換層２ｂに集光し、センサ素子２の実効効率を向上し、かつ遮光部により、隣接センサ素子への迷光をカットする。 （もっと読む）

【課題】小型で正確な入射方向検出信号の出力が可能な太陽光入射方向センサを提供する。
【解決手段】上面から光が入射可能な円筒と、円筒の底部内側に配置された４つの受光素子と、円筒の上面中央に設けられた遮光マークと、各受光素子の出力を受けて入射光量を測定する入射光量測定手段と、その測定値を基に入射方向を判定する入射方向判定手段とを有し、円筒と遮光マークと受光素子は１ユニットのセンサ本体を構成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外乱光の光量変化に応じて受光感度を調整する光学式入力装置を提供する。
【解決手段】発光時増幅信号と比較して入力操作状態と判定するために用いる消灯時増幅信号を外乱光判別手段へも入力し、外乱光の照度の目安となる消灯時増幅信号のレベルに応じて受光手段の受光感度となる光電変換信号の増幅率を可変するので、外乱光の光量に応じて受光手段の受光感度をきめ細かく調整できる。また、消灯時増幅信号のレベル変化から、別に入力操作を検出するための検出装置を設けることなく、入力操作を検出する。 （もっと読む）

【課題】室温で固体状（硬質レジン状）のシリコーン樹脂組成物は、従来からのトランスファー成形などが可能であり、かつ硬化物は硬質レジンでありながら可撓性に優れ、表面のタックが少ない硬化物を形成することから、サーマルサイクル等の信頼性が非常に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】室温において固体状であり、成形温度で液状となり、硬化後、室温での硬度がＪＩＳ Ｋ ６２５３で規定するタイプＤ型デュロメータ試験機で３０以上であり、かつ引っ張り試験の伸び率が５％以上である透明な硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物で半導体装置を成形封止する。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の光を使用するデバイスを単一の複合アセンブリに組み込むこと
【解決手段】遠隔制御(RC)受信器デバイス及び周辺光フォトセンサ(ALPS)デバイスが、単一の複合アセンブリの一部分となるように、単一のマウンティングデバイス（例えば、プリント回路基板）上に実装される。これにより、RC受信器デバイス及びALPSデバイスの双方を組み込む電子装置に必要な空間の量が低減される。RC受信器デバイス及びALPSデバイスは異なる波長で動作するので、複合アセンブリは、不要な波長の光がRC受信器デバイスのフォトダイオード及びALPSデバイスのフォトセンサに入射することを妨げるフィルタリング機構を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の表面実装型半導体デバイスが形成された多数個取り基板のダイシング工程において種々の不具合を生じないように、反りが抑制された、複数の表面実装型半導体デバイスが形成された多数個取り基板を製造する製造方法を提供することにある。
【解決手段】絶縁基材１６に回路パターン１７が形成されたプリント回路基板１に所定の間隔で複数の窓孔２を設けた粘着シート３を貼付け、同様に所定の間隔で複数の窓孔４を設けた貼り合わせ用基板５を粘着シート３に貼付ける。そして、窓孔の底面に位置するプリント回路基板１上にＬＥＤチップ８を載設してボンディングワイヤ９をワイヤボンディングし、窓孔内に熱硬化性樹脂１０を充填、加熱硬化してＬＥＤチップ８およびボンディングワイヤ９を樹脂封止する。これを、ダイシングシートに貼付けてダイシング装置のステージ上に保持し、裁断・分離して表面実装型半導体デバイスの作製を完了する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体と半導体素子との組立容易性を確保しつつ、小型化を達成するのに好適な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置Ｘ１は、半導体素子１０を一対の支持体２０により挟み込んでなる。半導体素子１０は、機能素子としての光素子１１および電極パッド１２を有しており、その形状は例えば直方体状や平板状である。一対の絶縁体２０は、互いに対向する側面２０ａの間に半導体素子１０を適切に挟み込むことができるように、その形状や寸法などが設定されており、その形状は例えば直方体状である。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥を低減し且つイオン同士の弾性衝突を低減してリーク電流を抑制する。
【解決手段】Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。例えばＳｉ（１００）面の場合に、半導体基板１の主面に立てた法線方向である（１００）軸方向にイオン注入する。次に、新たなレジストパターン５を介して多段Ｎ型ウェル６，７，８を半導体基板１のＰ型ウェル４中に形成する。このとき、この半導体基板１の表面からの不純物ピーク位置が深いイオンから順番にイオン注入を行う。このときのイオン注入も、格子欠陥を低減させるためにチャネリングを起こすように結晶軸方向から行う。 （もっと読む）

【課題】 比視感度特性に近い分光感度特性をもつ半導体光センサを低コストで製造する。
【解決手段】 可視光域から赤外光域にかけての波長に高い分光感度を有する半導体受光素子の受光面側を封止樹脂で封止する半導体光センサの製造方法において、ほぼ１００ｎｍを超えない赤外線遮光性をもつ微粒子をトルエンに分散して分散液を製造し、その分散液を透明樹脂に混合して封止樹脂を製造し、その封止樹脂で半導体受光素子を封止し、その後に封止樹脂中のトルエンを脱気して除去し、その後に封止樹脂を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 光接続器で接続された光ファイバの接続状態の良否を容易かつ確実に判別する。
【解決手段】 光接続器１８からの漏洩光を受光して電気信号へ変換する光センサ２（２’）と、光センサ２（２’）から出力された電気信号を損失なく後段へ伝送するためのアンプ３（３’）と、アンプ３（３’）から出力されたアナログ信号である電気信号をデジタル信号へ変換するためのＡ／Ｄコンバータ４（４’）と、Ａ／Ｄコンバータ４（４’）から出力されたデジタル信号を演算処理する演算処理装置５と、演算処理装置５での演算結果を表示するための表示装置６と、を接続状態判別器１に備える。 （もっと読む）

【課題】 光素子や受動素子を封止する封止体のうち、前記光素子の受光領域や発光領域における光透過率の向上を図ると共に、前記光素子や受動素子を実装する回路基板との気密性を高めることのできる光半導体パッケージを提供することである。
【解決手段】 回路基板１２と、この回路基板１２上に実装される光素子１３及び受動素子１４と、この光素子１３及び受動素子１４を封止する封止体１５とを備えた光半導体パッケージ１１において、前記封止体１５は、前記光素子１３の受光領域または発光領域に相当する部分をガラス体２１によって形成した。 （もっと読む）

【課題】スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材１２,１３と、その２つの第１ゲート部材１２,１３をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材１４,１５とを有する二重構造のゲート部９を備える。上記ゲート部９により形成されたゲート領域を除いて、内側樹脂部２０が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバー１０を設ける。さらに、上記第１タイバー１０の外側かつ内側樹脂部２０を囲む外側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲うように第２タイバー６,７を設ける。 （もっと読む）

本発明は、光源（１）であって、１つ以上の光放出素子（４）と、前記１つ以上の光放射素子からの光を検出する感光手段（Ｐ）と、第１の偏光方向を備えた第１の偏光手段（３０）とを有し、前記第１の偏光手段は、前記感光手段の上又は当該感光手段を覆うように設けられる、光源に関する。第１の偏光手段は、実質的に前記第１の光放射素子と前記感光手段との間に挿入されて良い。望ましくは、光源は、前記第１の偏光方向と垂直な第２の偏光方向を備えた第２の偏光手段（３２）を更に有する。当該配置では、光放射素子（４）は、実質的に第１の偏光手段（３０）と第２の偏光手段（３２）との間に挿入される。従って、周囲光は感光手段に当たらず、及び正確な光フィードバックが達成され得る。

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