【課題】接着剤で受光部の受光を阻害することなく、光透過部材を確実に光電変換素子に貼り付けることで、信頼性を確保することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光源からの光を受光して電気信号を出力する光電変換素子１１と、光電変換素子１１の受光部１１ａを覆うように形成され、光電変換素子１１の表面に接着剤１４で接着されたカバーガラス１３と、光電変換素子１１の表面に形成され、カバーガラス１３を光電変換素子１１の表面に接着剤１４を接着面に塗布して接着するときに、カバーガラス１３の接着面から外側に押し流された接着剤１４を堰き止めるために、カバーガラス１３の周囲に沿って、その周囲を囲うように形成されたポリイミド層１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】紫外線領域と近赤外線領域の波長の光を選択的にカットして可視光領域の光を透過させることのできる成形体を成形することができる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及びホウ素化合物を含有する。厚さ１ｍｍに成形した場合の成形体の、波長５８０ｎｍの光の透過率が２０％以上であり、且つ波長９４０ｎｍの光の透過率が１％以下である。これにより、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形体の近赤外性透過性及び紫外線吸収性をホウ素化合物により抑制すると共に可視光の透過性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の光を使用するデバイスを単一の複合アセンブリに組み込むこと
【解決手段】遠隔制御(RC)受信器デバイス及び周辺光フォトセンサ(ALPS)デバイスが、単一の複合アセンブリの一部分となるように、単一のマウンティングデバイス（例えば、プリント回路基板）上に実装される。これにより、RC受信器デバイス及びALPSデバイスの双方を組み込む電子装置に必要な空間の量が低減される。RC受信器デバイス及びALPSデバイスは異なる波長で動作するので、複合アセンブリは、不要な波長の光がRC受信器デバイスのフォトダイオード及びALPSデバイスのフォトセンサに入射することを妨げるフィルタリング機構を含む。 （もっと読む）

【課題】 容易にかつ精度よく光学素子を製造することのできる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２２の受光面２４を除く領域を覆うカバー層４６，４７を形成した後、基板２２の受光面２４に透光層２３ａ，２３ｂを複数積層して透光部２３を形成する。次に、カバー層４６，４７とともに、透光部２３の除去部分２３Ｂを除去する。透光部２３の除去部分２３Ｂをエッチングによって除去するのではなく、カバー層４６，４７を除去することで、各透光層２３ａ，２３ｂのエッチング速度の違いにかかわらず、透光部２３の除去部分２３Ｂを精度よく除去することができる。これによってドライエッチングを行うことなく、透光部２３の残留部分２３Ａを精度よくパターン形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することのできる光学素子の製造方法、およびそれに用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 受光基板１１を準備し、受光基板１１の受光面１２および、受光基板１１の一表面のうちで受光面１２以外の部分の少なくとも一部分を覆うように透光部１３を形成する。透光部１３のうちで受光基板１１の受光面１２以外の部分を覆う部分、たとえば電極被覆部１３ａにレーザ光を照射し、孔部２４に孔を形成する。この孔部２４の孔にエッチング液を充填して透光部１３をエッチングする。これによって、ドライエッチング法を用いることなく透光部１３を精度良くエッチングすることができるので、光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】実使用環境中に存在する粉塵に対する受光素子の対塵性能を検査する受光素子の対塵性能検査方法及びそれを用いた受光素子の製造方法に関し、実使用環境中に存在する粉塵に対する受光素子の対塵性能を検査する受光素子の対塵性能検査方法及びそれを用いた受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】受光面を鉛直方向にほぼ平行にして受光素子１を粉体落下装置２１の試験槽２２内に配置し、鉛直上方から多数の粉体を落下させて受光素子１に当該粉体を付着させ、受光素子１の受光面上方の当該粉体の付着量に基づいて受光素子１の対塵性能を検査する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを固定する基板に反りが生じることにより、リードフレームの端子部に外力が作用した場合でも、光素子の位置の変位を防止し、外力に対して安定した高性能の光モジュールを提供する。
【解決手段】 光素子３と、前記光素子が装着される第一の装着部２及び基板７に固定される複数の端子部１Ｂ、１Ｃ、１Ｄを有するリードフレーム１とを備え、前記リードフレームは、前記第一の装着部と前記端子部との間に前記第一の装着部よりも変形しやすい変形部６Ａ、６Ｂ、６Ｃが設けられた構成とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージサイズを大きくすることなくゲッタ量を増やすことができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】赤外線センサ１は素子基板２と蓋基板３とゲッタ基板４とを備えている。素子基板２の表面には赤外線検出素子５を形成する。素子基板２の形成面には突起電極６を設ける。素子基板２の形成面と反対側の面には、凹部２ａを形成する。蓋基板３には、赤外線検出素子５の突起電極６から出力される信号を外部に取り出す貫通電極７を設ける。貫通電極７は、蓋基板３を貫通して蓋基板３の外面まで延設されており、素子基板２の突起電極６と機械的かつ電気的に接続している。ゲッタ基板４には素子基板２を載置する凹部４ａを形成する。凹部４ａの底面には突起部４ｂを形成し、素子基板２の凹部２ａと嵌合する。また凹部４ａの底面には、突起部４ｂを除いてゲッタ８を設ける。 （もっと読む）

【課題】自然放出光を選択的に反射することにより、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１、フィルタ部３および半導体光検出器２を備える。面発光型半導体レーザ１は基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２〜ｐ型コンタクト層１７をこの順に積層したものである。フィルタ部３は面発光型半導体レーザ１から出力される光のうち誘導放出光の光軸と平行な方向（積層方向）の透過率がその光軸とは異なる方向の透過率よりも高い透過特性を有する。半導体光検出器２はフィルタ部３を透過した光の一部を吸収する光吸収層２１を有する。フィルタ部３および半導体光検出器２はｐ型コンタクト層１の表面にこの順に重ね合わせて面発光型半導体レーザ１と共に一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光素子、集積回路、および該集積回路と受光素子とを接続する配線からなるチャンネルが複数設けられてなる光モジュールにおいて、各チャンネル毎のクロストーク量を均一化する。
【解決手段】光素子１４、集積回路１６、および該集積回路１６と光素子１４とを接続する配線１８からなるチャンネルが４つ以上基板１２上に形成されてなる光モジュール１０において、４つ以上の配線１８を、それらの延びる方向と交わる方向に並べて配設し、該配線１８どうしの間隔を、それらの並び方向の端部位置では、それ以外の位置と比べてより小さくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】人のもつ波動エネルギーを利用し占いの一手法であるダウンジング占いを目的とする電子装置及びこれを利用したシステムに関する。
【解決手段】従来のダウンジング方式を改良し振り子の先端に光源または受光装置のいずれかを取り付け、振り子の動きを電気的な信号として受光装置で捕らえ電気信号に変換しその動きを数値データとしてパソコンに取り込み占いソフトで利用する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価に、フレキシブル基板に過度な負荷をかけずに、かつ枠体を確実に装着する光学デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光学素子（受光素子１１およびおよび発光素子１２）と折り曲げ以前のフレキシブル基板１３が設置された銅板１０を、突上げ台２１上に配置し、この突上げ台２１上に配置された銅板１０に対向して、上方の拡張用ツメ一式１８に枠体１４を配置し、銅板１０を枠体１４に向かって移動させ、銅板１０上に設置されたフレキシブル基板１３を、銅板１０の上面と両側面とに沿って拡張用ツメ一式１８のテーパー面１８ｆにより徐々に折り曲げ、続いてフレキシブル基板１３が折り曲げられた状態で、銅板１０を枠体１４に向かってさらに移動させ、枠体１４を銅板１０の側面に取り付け、フレキシブル基板１３と銅板１０とを固定する。 （もっと読む）

【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有する、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】１つの画素内に表示用半導体装置と受光用半導体装置を有する新規な素子構成、すなわち、１つの画素内に表示と受光の両方の制御を行う半導体装置（絶縁ゲート型電界効果半導体装置）を有する構成とすることで、画像読み取り機能を有する表示装置を小型化、コンパクト化する。 （もっと読む）

【課題】センサのリーク電流を減らし、信号強度を上げるためのバリア層の膜厚に関して、信号出力強度への影響と、より最適な範囲を明らかにし、従来よりも出力信号が大きい赤外線センサ構造を提供すること。
【解決手段】GaAs基板１０上に形成された、ｎ型ドーピングされたInSb層１１と、該InSb層１１上に形成された、ｐ型ドーピングされたInSb層（π層）１２と、該InSb層１２上に形成された、InSb層１２よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつInSb層１１、及びInSb層１２よりも大きなバンドギャップを有する材料であるAl_xIn_1-xSb層１３（０＜ｘ＜１）とを備え、Al_xIn_1-xSb層１３の膜厚が、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】視野が広く、高い信頼性を備えているとともに、経済性に優れた赤外線センサ、および、視野が広く、信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ２として、光学フィルタ４を、パッケージ２の周壁１２の上端部よりも低い位置で支持する支持部５と、支持部５に支持された光学フィルタ４の側面１４と、パッケージ２の周壁１２との間に形成される隙間６と連通する凹部７とを備えたパッケージを用い、支持部５に光学フィルタ４を支持させた状態で、凹部７に接着剤８を供給し、光学フィルタ４とパッケージ２の周壁１２との隙間６に、毛細管現象により接着剤８を浸入させ、光学フィルタ４を、接着剤８を介して、パッケージ２の開口部３に固定する。
接着剤８を、光学フィルタ４の全周を取り囲むように充填し、光学フィルタ４を、接着剤８を介して、パッケージ２に固定する。 （もっと読む）

【課題】光導波路と光素子とを高精度に位置合わせでき、かつ光導波路と光素子との間での光結合における光学的損失を抑制できる光モジュールを実現する。
【解決手段】光モジュール１は、支持基板１３上に、光導波路１０と光素子１１とを備えており、光素子１１は封止樹脂１２で封止されている。光素子１１の受光面または発光面の上の封止樹脂１２の表面と、光導波路１０における出射面または入射面との間には空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ディバイスを三次元実装し、各半導体ディバイス間の配線の短縮化、微細化、高密度化を図る。
【解決手段】 異なる機能の半導体ディバイス３を実装するとともに薄型化された複数の単位ウエハ層体２を製作し、内蔵した導電ポスト１１を介して互いに電気的に接続して積層するとともに最上層若しくは最下層の単位ウエハ層体に光学素子ディバイス３Ｃを実装して構成する。
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【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】使用される装置側の光学的および電気的特性に応じた個別の設計変更を不要とし、低コストで容易に電気信号出力を変更することが可能な半導体受光装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】受光素子に入射される光信号を電気信号に変換し、増幅して出力する半導体受光装置１であって、受光素子の受光部の一部を覆うことによりこの受光部への入射光量を制限するための遮光用シート５を有する半導体受光装置１としたものであり、遮光用シート５により受光部への入射光量を制限することで、受光素子に入射される光信号が電気信号に変換される際の電気信号出力の大きさを制限する。 （もっと読む）

【課題】構造が単純化され、製造が容易なテラヘルツアンテナアレーを提供する。
【解決手段】複数のテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）を備え、各テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）は光導電領域（２２、３２、４２）と、光導電領域（２２、３２、４２）の少なくとも一部にまたがって横方向に延びるスペーサ領域（２４、３４、４４）を介して相互に隔離されて配置される第１電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）および第２電極（２１Ｂ、３１Ｂ）とを有する。アレー（２０、３０、４０）の隣接するＴＨｚアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の横方向領域（２５、３５、４５）は光導電性ではなく、特に光導電材料を含まない。 （もっと読む）