本発明は、光学的センサ、特に工業自動化システム用の光学的センサのための光発信器および光受信器に関し、光発信器の場合には、光を発生するために半導体系の光源（ＬＤ）を有し、半導体系の光源（ＬＤ）が多層プリント基板（ＬＰ）の両外側層（ＯＬ，ＵＬ）間の構造空間内に配置され、半導体系の光源（ＬＤ）の光出射方向がプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）にほぼ平行に向けられ、半導体系の光源（ＬＤ）から放射される光をプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）に対してほぼ垂直な方向に転向させるための転向ユニット（ＵＥ）が設けられている。光受信器の場合には光源の代わりに光センサが設けられている。このような光学センサは格別に平らで組立しやすい構成にすることができる。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化して半導体光センサの暗電流が変化した場合や、微量な光がケースを透過した場合でも、ケースが開封されたことを正確に検知できる開封検知装置を提供することにある。
【解決手段】開封検知装置１０の判定回路１６は、比較回路１３の比較結果に基づき、第２の電圧信号Ｖｂが第１の電圧信号Ｖａの電圧レベルを上回った場合にケース３０が開封されたと判定する。電圧信号Ｖｂは、遅延回路１２の遅延時間ｔｄ分だけ電圧信号Ｖａよりも遅れて変動する。そのため、ケース３０が開封されていない場合には、電圧信号Ｖｂが電圧信号Ｖａの電圧レベルを絶対に上回らないように、遅延時間ｔｄを最適値に設定しておくことで、周囲温度の変化やケース３０を透過した光量の変化に起因する電圧信号Ｖａの変動の影響を回避してケース３０の開封を検知できる。 （もっと読む）

【課題】受発光素子、光導波路、及び光信号路変換部品が接続する構造を安価で簡便に製造でき、接続部実装の信頼性を向上させる光基板の製造方法を提供する。
【解決手段】両面銅箔付き絶縁層の銅箔をエッチング除去する工程、絶縁樹脂層の裏面にザグリする工程、ザグリ加工部に受発光面を下にして受発光素子を固定する工程、絶縁樹脂層の両面に絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層にスルーホール形成する工程、絶縁樹脂層にバイアホール形成し受発光素子の電極を露出する工程、スルーホール、バイアホール及び表面樹脂層に無電解銅めっき、電解銅めっきを施し導体層を形成する工程、導体層をエッチングし銅配線を形成する工程、絶縁樹脂層表面にＩＣチップ実装する工程、絶縁樹脂層表面をモールドする工程、絶縁樹脂層裏面に受発光素子と位置合わせし光導波路を実装する工程を経る。 （もっと読む）

【課題】透光性基板下のバックライトからの迷光が光電変換素子へ入射するのを防止しながら、光電変換素子へ入射する光の光量を増加させる。
【解決手段】透光性基板上の光電変換素子上を覆うカラーフィルターと、隣接する画素の光電変換素子上を覆うカラーフィルターが、側面で光の進行方向に対して重なることにより遮光膜を形成する。また、カラーフィルター上にマイクロレンズを設けることで、本来、感知されない光を光電変換素子上に集光させることにより、光変換素子へ入射する光量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】バックライトからのフォトダイオードへの光の入射を防止し、検出物からの斜光が所望のフォトダイオードではなく、別のフォトダイオードに入射されるのを防止する。
【解決手段】透光性基板上の第１の遮光層と、第２の遮光層と、第１の遮光層上の第１のフォトダイオードと、第２の遮光層上の第２のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、第１のカラーフィルター及び第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路部分のコアと基板部分の光学素子との調芯作業が不要となる光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュールを提供する。
【解決手段】基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａを有する光導波路部分Ｗ₁ と、その溝部４ａに嵌合する嵌合板部（被嵌合部）５ａを有する基板部分Ｅ₁ とを、個別に作製し、光導波路部分Ｗ₁ における溝部４ａに基板部分Ｅ₁ における嵌合板部５ａを嵌合し一体化する。ここで、光導波路部分Ｗ₁ における溝部４ａは、コア２の一端面２ａに対して適正位置に形成されている。また、基板部分Ｅ₁ には、光学素子８が実装されており、その光学素子８に対して適正位置に、嵌合板部５ａが適正形状に形成されている。このため、溝部４ａと嵌合板部５ａとの嵌合により、コアの一端面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光の一部を検出する光検出素子を備えた構成を採用しながらも、低コスト化を図ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、光検出素子４を有する光検出素子ユニット２と、ベース基板２０とを備える。光検出素子ユニット２は、光検出素子４が受光部４ｃをベース基板２０側として形成された光検出素子形成基板（傘部）４０と、光検出素子４の各電極４７ｃ，４７ｄに電気的に接続された貫通孔配線８４ｃ，８４ｄが設けられ光検出素子形成基板４０を支持する支持基板（支柱部）８０と、支持基板８０における光検出素子形成基板４０側とは反対の表面に設けられ各貫通孔配線８４ｃ，８４ｄに電気的に接続されたパッド８５ｃ，８５ｄとを有し、パッド８５ｃ，８５ｄとベース基板２０の導体パターン２５ｃ，２５ｄとが両者の間に介在する導電性接合部９，９を介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】 携帯型電子装置の中で使用するための光ガイド及び対応する周囲光センサ、コンピュータ装置及びバックライト付きディスプレイに関する種々の実施形態が開示される。
【解決手段】 光ガイドに関する種々の実施形態は、周囲光の条件が悪い場合でも、周囲光を効率よくかつ正確に広い入射角にわたって収集できるように構成される。本願で開示された光ガイドの様々な実施形態によって周囲光を効率よく正確に収集することにより、バックライト付きディスプレイに与えられるバックライティングの量や程度を一層正確に制御することができ、このことは今度は、携帯型電子装置内の貴重なバッテリー電力を保存するために使用されることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、酸素からなり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８９〜９２％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｚｎ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＬａ、Ｓｒからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８５〜９７％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｍ：０．１〜７％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】受光素子の温度上昇を抑え、受光素子の位置ずれが起こらないようにする光検出装置、光ピックアップ及び光記録再生装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１０は、受光素子１１と放熱手段１２を備えた光検出装置１０であって、受光素子１１は、受光面を有する受光部１４と、受光部１４からの出力信号を増幅するアンプ部１５とを含む集積回路素子１６と、受光面を露出させる開口部１７を有し、集積回路素子１６を封止する封止部１８とを備え、放熱手段１２は、受光面を露出させる開口部３０、又は、光ビームを透過する窓を有する受光素子１１を保持固定する固定部を設けたホルダである。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＣａ、Ｂｉからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８１〜９０％、Ｔｉ：９〜１０％、Ｍ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の実装精度を向上させる光電気配線板及びそれを用いた光電気配線装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光導波路２による光配線と導電材料による電気配線７とを有する光電気配線板１１０に光半導体素子４、５または外部光導波路を配置して前記光導波路２との光信号授受を行う光入出力部９と、前記光入出力部９と同様に形成されたダミー光入力部１１と、前記ダミー光入力部１１に接続され、前記ダミー光入力部１１と反対の端部に前記ダミー光入力部１１に入射された光を吸収または散逸させる光終端部を有するダミー光導波路３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易にして小型化及び高性能化の両方を実現することができる光電センサ装置を提供する。
【解決手段】光素子(2)が実装される回路基板(4)と、回路基板が収容されるケース(6)と、ケースに組み付けられ、光素子の光学系を決定するレンズ(10)が設けられたカバー(8)とを具備する光電センサ装置(1)であって、カバーのケースに対する組み付けに伴って光素子に対してカバーを位置決めし、レンズに対する光素子の距離をカバー側にて規定する位置決め手段(12)を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易にして小型化及び高性能化の両方を実現することができる光電センサ装置を提供する。
【解決手段】光素子(2)が実装される回路基板(4)と、回路基板が収容されるケース(6)と、ケースに組み付けられ、光素子の光学系を決定するレンズ(10)が設けられたカバー(8)とを具備する光電センサ装置(1)であって、ケースに対して回路基板を組み付けて位置決めすることによってレンズに対する光素子の距離をケース側にて規定する位置決め手段(12)を備える。 （もっと読む）

【課題】不要な入射光の遮光と、高速動作に影響を与える寄生容量成分の軽減とを両立させることができる光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】開示される光検出半導体装置１は、受光面２１ａを有する受光部２１と、受光部２１からの出力信号を増幅するアンプ部２２とを含むＩＣチップ１２と、受光面２１ａを露出させる開口部１６ａを有し、ＩＣチップ１２を封止する封止部１６とを備えている。この光検出半導体装置１では、封止部１６は、遮光性樹脂で形成されている。また、受光面２１ａの外周端に近接し、かつ、アンプ部２２に重ならない領域のＩＣチップ１２の表面には、遮光層１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。
【解決手段】窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。特に、窒素の添加量が７．１原子％以上４９．９原子％以下とされたＴａ_２Ｏ_５構造を有するものとすることが好適である。 （もっと読む）

【課題】簡単に製作が可能であると共に、テラヘルツ波の発生及び測定が容易なテラヘルツ波送受信モジュールパッケージを提供する。
【解決手段】基板の上部に形成され、中心部に活性領域を備える光伝導アンテナと、前記基板の下部に整列されるシリコンボールレンズと、フェムト秒レーザパルスを集束させるための集束レンズと、前記集束レンズを前記光伝導アンテナの活性領域の中心部に整列させるための集束レンズ整列器と、前記光伝導アンテナの活性領域の垂直上下部を開口させる上部及び下部固定部と、前記上部及び下部固定部の開口領域を密閉させる上部及び下部蓋体とを含む。 （もっと読む）

【課題】装置の動作停止時における受光素子による電力の消費を抑制することができる光量測定装置を提供する。
【解決手段】受光した光量に応じた電気信号を出力するフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂとフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂに電力を供給する電力供給部５２との間に介在された、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２との接続及び切断を切り替えるＦＥＴ６２Ａが、ＣＰＵ４０及び駆動制御部６６によって、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂを動作状態にする場合はフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２とを接続し、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂを非動作状態にする場合はフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２とを切断するように制御される。 （もっと読む）

【課題】紫外線センサにおいて、より高い感度を得られるとともに、より高い波長選択性を得られるようにする。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成されるたとえばＺｎＯを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と薄膜材料層４との接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、上記接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２および薄膜材料層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。 （もっと読む）