【課題】バンドギャップの大きい物質の薄膜を安価な手段で作製し、小型・簡便な固体素子型の火炎センサとして利用可能な紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶を基板して当該基板上にゾル‐ゲル法で酸化ガリウム薄膜を形成し、この酸化ガリウム薄膜上に少なくとも１対の表面電極を備えるか、或いは酸化ガリウム単結晶基板とこの基板上に形成された酸化ガリウム薄膜とにそれぞれ第１の電極と第２の電極とを形成する。
酸化ガリウム薄膜は、１５０〜５００ｎｍの厚さを有するものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好なテラヘルツ波の出力特性を有し、良好なテラヘルツイメージングを可能にするテラヘルツ波発生装置を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生装置であって、電圧が印加された状態でパルス光の照射を受けるとテラヘルツ波を発生する光伝導スイッチアレイ１１と、当該装置に入射されるパルス光を回折により光量の等しいパルス光に分岐させ、光伝導スイッチアレイ１１に分岐されたパルス光を照射させるＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ）９とを備える。 （もっと読む）

【課題】外乱光の光量変化に応じて受光感度を調整する光学式入力装置を提供する。
【解決手段】発光時増幅信号と比較して入力操作状態と判定するために用いる消灯時増幅信号を外乱光判別手段へも入力し、外乱光の照度の目安となる消灯時増幅信号のレベルに応じて受光手段の受光感度となる光電変換信号の増幅率を可変するので、外乱光の光量に応じて受光手段の受光感度をきめ細かく調整できる。また、消灯時増幅信号のレベル変化から、別に入力操作を検出するための検出装置を設けることなく、入力操作を検出する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣに必要な熱処理温度にも耐え得る標識体を提供する。
【解決手段】シリコン基板６１上には、下部クラッド層６２、標識体１１ａ、円筒部１２ａ，埋め込み層６４及び上部クラッド層６５が積層されている。標識体１１ａは、シリコン酸化膜の埋め込み層６４中に形成されたボイドから成る。ボイドとは、単なる空洞や空隙であるから、ボイドの周囲の素材の限界まで加熱することができる。したがって、金属などから成る標識体に比べて、大幅に耐熱性が向上する。しかも、ボイド内の屈折率は１程度であるから、ボイドの周囲の素材との屈折率差を十分に得ることができ、これにより高コントラストの標識体が実現される。これに加え、金属製のマークに比べて、金属を成膜及びエッチングする必要がないので、製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は封止樹脂内に受光素子が封止された半導体装置に関し、外乱光による影響を防止することにより精度及び信頼性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】光半導体素子１１と、この光半導体素子１１を搭載する基板１２と、光半導体素子１１を封止する封止樹脂１３とを有する半導体装置において、封止樹脂１３内に侵入した外乱光Ｂ１を吸収するソルダーレジスト材３０（光吸収部材）を基板１２の表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】 青紫色レーザなどの、高エネルギーで高密度の出力の光を受光する光半導体装置でも、受光面が変色して光の透過率を低下させることなく、また、容易に製造することができて安価に得られる受光素子を有する光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の少なくとも１つの面（表面）に電極端子２２が形成されると共に、開口孔２１が形成され、その基板２上に受光素子１が、そのバンプ１２と電極端子２２とが接続され、かつ、受光面１１が基板２の開口孔２１と対向するように、フリップチップ実装されている。そして、少なくともその接続部（バンプ１２の部分）が被覆されるように、紫外線硬化樹脂が、開口孔２１の周縁に沿って受光素子１と基板２との間隙部に充填されて封止樹脂層３が形成されている。この封止樹脂層３は、受光素子１の受光面および開口孔２１内には漏出しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、成形・加工性に優れた光情報入出力記録素子、とくに誘電体層に光スイッチ機能として利用できる光導電性を示す有機材料を用い、メモリ性を発現させる電極界面障壁を形成させた光情報入出力記録素子を提供するものである。
【解決手段】 本願発明によれば、有機半導体により構成される半導体活性層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート誘電層、ゲート絶縁層からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート誘電層が光導電性を有する有機材料で構成され、入力光の照射により、情報が書き込まれるとともに、その情報が保持記録され、入力光とは異なる波長の光の照射により、記録された情報が消去されることを特徴とする光情報入出力記録素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】光センサーの熱電流及び迷光による誤差を効果的に除去できる電気光学装置を実現する。
【解決手段】第１および第２の基板間にネマティック相液晶材料９２２が挟持され、表示領域が形成された液晶パネル９１１と、前記パネルの周囲光の照度を検出する光検出部とを備え、前記光検出部は、第１または第２の基板の前記表示領域周縁部に設けられ、外光が照射される第１の光センサー（受光センサー３５０Ｐ）と、外光の照射が遮断される第２の光センサー（遮光センサー３５０Ｄ）とを備え、前記第１の光センサーと第２の光センサーは前記表示領域周縁部に複数配置される電気光学装置である。 （もっと読む）

【課題】光センサーの熱電流を効果的に除去する。
【解決手段】液晶パネル９１１と、該パネル基板の面に光を照射するバックライトユニット９２６と、周囲の光の照度を検出する光センサー３５０と、前記光検出結果に応じて前記照明装置を制御する中央演算回路７８１とを備え、前記光検出部は、前記パネル基板に設けられ、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する受光センサー３５０Ｐと、前記受光センサーと直列に接続され、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する遮光センサー３５０Ｄと、前記第１と第２の光センサー間の接続端（配線ＳＥＮＳＥ）の電位を電位ＶＶＣＨＧに設定する電位設定部を備え、前記第１の光センサーの他方端（配線ＶＳＨ）の電位を電位ＶＶＳＨ、前記第２の光センサーの他方端（配線ＶＳＬ）の電位を電位ＶＶＳＬとすると、前記各電位は、ＶＶＳＨ＞ＶＶＣＨＧ＞ＶＶＳＬを満たす。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】電気機器の小型化に対応することができる光モジュール、および光モジュールを備える電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】光モジュール１は、基板１０と、光信号を出射する発光素子であるレーザダイオード２と、電気コネクタ１２とを有する送信用の光モジュール５を備えている。また、光モジュール１は、基板１３と、光信号が入射されとともに、光信号を電気信号に変換する受光素子であるフォトダイオード６と、電気コネクタ１５とを有する受信用の光モジュール９を備えている。また、光モジュール１は、基板１０、１３の各々に取り付けられるとともに、レーザダイオード２とフォトダイオード６を光学的に結合するための光導波路２４と、電気コネクタ１２、１５の各々に取り付けられるとともに、電気コネクタ１２、１５を電気的に接続するための電気配線４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】小型化と薄型化、光学的性能と密着力のバランスがよく、光学的性能に優れるとともに、確実に３５０℃以上の耐熱性を有し、さらにコーティング時間が短く、低コストである半導体受光素子用コートを開発する。
【解決手段】半導体受光素子の表面に形成される半導体受光素子用のコートであって、低屈折率層としてのＳｉＯ_２層と高屈折率層としてのＴｉＯ_２層を、そのいずれかを第１層として交互に、合計で４７層または４９層となる様に積層されている半導体受光素子用コート。厚さが５〜７μｍである半導体受光素子用コート。前記いずれかに記載の半導体受光素子用コートを有している半導体受光素子。ＴｉＯ_２層を真空蒸着する際の雰囲気中の酸素の圧力が、２．６×１０^−２〜３．２×１０^−２Ｐａである前記いずれかに記載の半導体受光素子用コートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光ノイズを簡便に除去することができる半導体受光素子及び半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子の受光面表面に、直接、波長選択性を有するフィルタを備えている。このフィルタは、中心波長９１０ｎｍの光をほぼ遮断し、赤外線リモコン信号の光を透過させるような波長選択性を有している。中心波長１０１３ｎｍの光を遮断する構造としても好適である。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を上げ性能を向上し且つ小型化することである。
【解決手段】端子電極１１３と、端子電極１０１と、を備え、端子電極１１３及び端子電極１２３の間に、端子電極１１３側から順に、入射光が入射及び通過される広いバンドギャップ材料の上側閉じ込め層１０８と、前記通過された入射光によりキャリアが励起される狭いバンドギャップ材料の光導電層１０６と、広いバンドギャップ材料の下側閉じ込め層１０６と、半導体基板１０２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被設置体に対する光検出素子の位置合わせを精度良く行うことができる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置３では、光検出素子１１の位置基準となる位置合わせ用マーク１８Ａ，１８Ｂが光検出素子１１の表面側に形成されている。また、ピンベース１３には、コールドプレート２に嵌め合わされるネジ付嵌合ピン３２が設けられ、ネジ付嵌合ピン３２は、配線基板１２のスリット部２３及び切欠部２４から露出する位置合わせ用マーク１８Ａ，１８Ｂに対して位置決めされた位置決め部３３を介して、光検出素子１１に対して精度良く位置合わせされている。したがって、光検出装置３では、コールドプレート２の凹部４にネジ付嵌合ピン３２を嵌め合わせるだけで、コールドプレート２に対して光検出素子１１が精度良く位置合わせされる。 （もっと読む）

【課題】入射した光を出射させる際に出射光の光量を所望の光量に高精度かつ迅速に制御することが可能であり、コストを削減することができるとともに、製造効率を向上させることができる光学素子、光モジュール、光コネクタおよび光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の格子溝１０からなる周期構造を有し、入射した光を出射光として出射させる際に偏光依存特性を利用して出射光の光量を制御可能に形成された回折格子９と、回折格子９の格子溝１０方向および回折格子９の周期方向の少なくとも一方を示すマーク１１とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 透光性樹脂にて被覆されたフォトダイオードが組み込まれた光検出器において、該樹脂の光化学反応によって光量検出特性が悪化するという問題を解決する。
【解決手段】光ピックアップ装置に組み込まれる光検出器であり、レーザーダイオードから放射されるレーザー光が受光部１７ａを通して照射されるとともにレーザー光の光量に応じた信号を出力するフォトダイオード１６が透光性樹脂１７にて被覆されており、前記受光部１７ａの厚さをその周辺部より薄くしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切断工程においてクラックなどによる不良の発生を抑えることができる複合素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＤＩＣ基板１０Ａにプリズムバー２０Ａを接合した接合体３０Ａを形成する。プリズムカット工程で、プリズムバー２０Ａの厚み方向の一部に切込み２０Ｂを入れる。第１工程ではプリズムバー２０Ａを厚み方向に切断する。このとき、ＰＤＩＣ基板１０Ａの厚み方向の一部まで切断してもよい。第２工程では、プリズムバー２０Ａの第１切断線１０Ｂの延長方向にＰＤＩＣ基板１０Ａを切断する。相対的に軟質な光学ガラスよりなるプリズムバー２０Ａを切断したのちに、より硬いシリコン（Ｓｉ）よりなるＰＤＩＣ基板１０Ａを切断することにより、硬いＰＤＩＣ基板１０Ａを切断する際の抵抗を小さくして、ブレードにかかる負荷を軽減し、クラックを抑える。 （もっと読む）

【課題】 光検出器の上部層をエッチングする際に、ポリマーが形成されるためエッチング速度が低下する。
【解決手段】 受光部を有する基板上に上部層を形成し、上部層の受光部に対応する領域を開口する集積回路製造方法であって、上部層を複数回のエッチング条件でエッチングを行い、少なくとも１つのエッチング条件の終了後に酸素プラズマ処理を行う。これにより、エッチングを行った際に形成されるポリマーを除去することができ。エッチング処理の処理時間を低減できる。 （もっと読む）