【課題】非常に単純な構成でしかも一括で大量生産が可能な光半導体モジュールおよびその製造方法およびインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージの提供する。
【解決手段】光半導体モジュールは、光ファイバ１０、光ファイバ１０と光結合され且つ電極を有する光半導体素子１６、および光半導体素子１６の電極に電気的に接続された引出し電極１４を有する光電気結合体と、引出し電極１４と電気的に接続されたパターン電極２０と、引出し電極１４が電気的に接続されたパターン電極２０の面と反対側の面に電気的に接続された光素子駆動ＩＣ８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光の進路をコンパクトに方向変換する光導波路装置、及び、その光導波路装置と他の光部品（発光素子、受光素子、光ファイバ、或いは光導波路など）とを位置合わせして基体に位置固定し、光学的に結合した光結合装置を提供すること。
【解決手段】 クラッド２とコア３との接合体からなる光導波路１の両端面４と５を、４５度に傾斜した反射面に形成する。一方の端面４に対向して、支持体１２のＶ字溝１４によって調芯された光ファイバ８を配置し、その端面を光導波路主面６に接着固定して、光導波路１と光ファイバ８との光結合を形成する。他方の端面５には、面型の受発光素子４６を対向配置する。光導波路１と受発光素子４６との位置合わせは、光導波路１の下部クラッドに設けた嵌合用凸部１１と、実装基板４１に設けた嵌合用凹部４２との凹凸嵌合によって行い、これを補助するガイドピン１３とガイド孔４３を、支持体１２と実装基板４１に設ける。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出装置の有効画素領域を広くし、製造途中での静電気による素子への不具合の発生を防止する。
【解決手段】 複数の光電変換素子１０２が形成されている光電変換パネル１０１と、光電変換パネル上に形成された蛍光体層１１１を含む波長変換体と、により形成されている放射線検出装置であって、光電変換パネル１０１のボンディングパット部上に第一の保護物質１０４と第二の保護物質１０５がこの順で積層され、ボンディングパット部を露出するための第一の保護物質１０４の開口部が、第二の保護物質１０５をマスクとしてエッチングによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 光導波路内において効率良く光を伝搬させながら光検出を行うことができ、作製が容易な光導波装置を提供すること。
【解決手段】 光入射部から光出射部へ光を導くＳｉＯ₂膜等の光導波路２１ａと、この光導波路２１ａの外面に接して設けられたフォトダイオード等の受光部２と、光導波路２１ａに内設された４５°ミラー面の光反射部５とを有し、垂直入射光１１をミラー９で反射後に導びかれた信号光１１を光反射部５によって９０°光路変換して受光部２に入射してモニタを行う一方、残りの信号光を光導波路２１ａから出射する、光導波装置２３ａ。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の感度劣化、感度ドリフトの影響を容易に精度良く補償することができ、感度補償による装置のダウンタイム時間を短縮することができ、光電変換素子の良否判定を実施することで、光電変換素子を効率良く使用し、交換することができ、また装置の使用中に突然、光電変換素子の感度がなくなり、装置が使用できなくなるリスクを回避することができる光電計測装置及びその光電計測装置を用いた露光装置を提供する提供する。
【解決手段】光電変換素子２の同一の受光面上の光量計測部位３１と感度校正用計測部位３２からの各々の出力の相関をモニタすることで、半導体光電変換素子２の感度劣化、感度ドリフトの影響を容易に精度良く補償し、感度補償による装置のダウンタイム時間を短縮する。光電変換素子２の良否判定を実施することで、光電変換素子２を効率良く使用し、交換することができ、また装置の使用中に突然、光電変換素子２の感度が無くなり、装置が使用できなくなるリスクを回避する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光信号を電気信号に変換する光素子を備えた基板、半導体装置、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の生産性を向上させて、半導体装置の製造コストを低減できると共に、光素子に設けられた発光受光部と、発光受光部と対向する光ファイバのコア部との間に生じる位置ずれを小さくして、発光受光部と光ファイバとの間の光信号の伝送損失を小さくすることを課題とする。
【解決手段】 シリコンからなる基材３６と、ドライエッチングにより基材３６に形成された貫通穴３７，３８と、貫通穴３７に装着された光ファイバ４１と、貫通穴３８に設けられたビア４４とを有した基板３５に対して、発光受光部５１と光ファイバ４１のコア部４２とが対向するよう光素子５０に設けられたはんだボール５２とビア４４とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 光結合効率の向上を図ることができる光結合装置を提供すること。
【解決手段】 クラッド層２及びコア層３との接合体からなる光導波路４と、発光素子等の光素子５とを光結合してなる光結合装置において、光素子５に対する光結合面６に、複数の異なる光に対応してコア層３の端面部７が複数個それぞれ形成され、複数個のコア層端面部７に共通に光素子５がそれぞれ配置されていることを特徴とする、光結合装置１。クラッド層２及びコア層３との接合体からなる光導波路４と、発光素子等の光素子５とを光結合してなる光結合装置において、複数の異なる光素子５に対応してコア層３の端面部７が、異なる光結合面６にそれぞれ形成され、これらの光結合面６に存在するコア層端面部７が光導波方向に互いにずれた位置に配置されていることを特徴とする、光結合装置１。 （もっと読む）

【課題】簡単にかつ高精度に光接続を行える光半導体装置、該光半導体装置の接続方法、該光半導体装置を用いた光インターコネクション、光配線モジュールを提供する。
【解決手段】面発光レーザ基板２上に設けられた面発光レーザ１に対向するように、光学的に４５°に配置されたミラー３があり、該ミラー３は、ミラー基板４のミラー部４ａの面発光レーザ１側の表面に反射膜５を設けた形で構成されている。ミラー部４ａの裏面には気密性を有する空洞７が形成されており、図示しない陰圧形成手段により空洞７の内部が陰圧にされる。これによりミラー部４ａが内側に湾曲し、ミラー３が凹面となる。凹面度合いを調整することにより、面発光レーザ１からの光はほぼ１００％光導波路１８に導くことができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＴシステムで典型的に見受けられるＸ線フォトン線束量で飽和することのない直接変換型エネルギ識別ＣＴ検出器を提供する。
【解決手段】エネルギ識別及び直接変換が可能なＣＴ検出器２０ａは、半導体層厚が異なる第一の半導体層６２、第二の半導体層６４を含む。各々の半導体層６２，６４は検出素子６５を二次元的に画定するようピクセル化された構造に構築され、連続した高電圧電極６６、６８を含む。高電圧電極層はＸ線吸収特性を低減するような厚さの金属化層とされるので、検出器２０ａは、計数速度性能を最適化すると共に飽和を回避するようにＸ線入射方向にセグメント分割されて構築されている。 （もっと読む）

本発明は、基板表面と平行な方向に伝播する光の光軸方向を前記基板表面に対し角度を持つ方向に変化させる光デバイスであって、前記光軸方向を変化させる機構が前記基板表面に形成された反射面であり、前記反射面は、基板表面における幅が光の入射する側から光の進行方向に向かって減少または増加することにより、１工程でマスクを作成できるのでプロセス工程の増加を防止でき、マスクの精度が高く、傾斜面のばらつきが小さくなり、製造コストを低く抑えることができる。
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【課題】光半導体素子と光導波路を精度良くかつ安定した状態で結合させることが可能な光電気変換機構を備えた半導体集積回路チップ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路が形成された半導体集積回路基板２に形成された、光信号伝送を行うための光半導体素子５及び光導波路６を配設するための構造と、上記光半導体素子５から出射又は上記光半導体素子に入射される光を光路変換させて上記光導波路６と結合させる光学的な反射部４とを含む光電気変換機構を備え、またこれらを半導体集積回路基板の一部を写真製版技術等を使用して加工して形成した。 （もっと読む）

本発明は、能動オプトエレクトロニクスを有する光学素子とモノリシックのオプトエレクトロニクスシステムとの組み合わせに関する。能動光学部品（２）を含むオプトエレクトロニクスウエハー（１）には（マイクロ）光学構造が備えられる。光学構造（１２、１３）は能動光学部品（２）に割り当てられ、すなわち、これらは能動光学部品（２）に影響を与え、および／もしくは、所望の方法でそこから発生する光に影響するように構成される。この目的のため、これらは光学部品に整列されるか、この目的を果たすべくその他の方法で調整されるかのどちらかである。組み合わされた能動光学部品／光学構造は、たとえば、光学構造を有する半導体ウエハーを少なくとも１つの能動光学部品（２）および少なくとも１つの光学構造（１２，１３）を含む部分に切断することによって分離される。
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赤外線受光モジュールＭは、フォトダイオード１と、ＩＣチップ２と、これらフォトダイオード１およびＩＣチップ２を封止し、かつ透光性および電気絶縁性を有する封止樹脂４と、この封止樹脂４のフォトダイオード１と対向する面に形成されたレンズ部４３と、このレンズ部４３を露出させるようにして封止樹脂４を被覆しており、かつ遮光性および導電性を有してグランドに接続された被覆部５と、を備え、被覆部５は、導電性樹脂からなり、かつレンズ部４３の周りを囲む起立壁５１を備えている。 （もっと読む）

光電トランスジューサ（１２）は、少なくとも１つの光センサ（９）を一方の面上に有する基板（８）と、光センサ（９）を収容する凹部を決めるスペーサ（７）を有している。凹部は、少なくとも部分的にオプチカルグルー（１１）で充填されている。トランスジューサ（１２）を光ディスク溶の光ピックアップ内に取り付けるために、スペーサ（７）は、このピックアップのオプチカルボディ（１）に取り付けられている。
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微小球共振器（３１２）および平面微小共振器（６１２）などの微小共振器が、光の入力および出力のための導波路（３０４、６０４）に光学的に結合される。高いキャビティＱを維持し、かつ光ビームの発射および抽出を容易にしながら、前記微小共振器と前記導波路との相対的位置が安定に維持されることが重要である。構造（３０８、６０８）が、前記導波路に対する前記微小共振器の位置を維持するために有用である基材上に設けられる。前記構造が、前記導波路と前記微小共振器との間の垂直または水平結合を提供する。
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放射線検出器は、真空チャンバを形成するためベースと、フレームと、ウィンドウと、はんだプレフォームとから形成されるはんだ層を有する。貫通導体は内部部品へ電気接続するためにベースを貫通している。検出器の密封方法は下部検出器アセンブリ、フレーム、ウィンドウ、はんだプレフォームを処理チャンバ内で非密封関係で整列する。高温と低圧力が与えられ、ゲッタは電流リードにより与えられる抵抗加熱により活性化される。ウィンドウ、フレーム、下部検出器アセンブリはその後、共に押付けられ、液体化されたはんだプレフォームにより密封される。この方法は密封ポートの必要性をなくし、処理チャンバ内の幾つかのステップを結合し、ある従来技術の洗浄ステップを不要にする。 （もっと読む）

本発明はマトリックス（２、２０）の行（Ｙ１〜Ｙ３）と列（Ｘ１〜Ｘ３）との交点に分布する感光画素（Ｐ１〜Ｐ９）のマトリックス（２、２０）を備える感光装置（１、１’）を駆動する方法に関する。本発明は特に（排他的ではなく）放射線画像の検出に用いられるような装置の制御に関する。この方法はマトリックス（２、２０）を画像取得段階の前にリセット段階を含む画像化周期にかけるステップを含む。マトリックス（２、２０）の行がいくつかの群に分配されており、この方法はリセット段階中に任意の１つの群のすべての行を同時にリセットするステップを含み、さらに行の各群を連続してリセットするステップを含む。
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電離放射線を監視するためのアセンブリ（13）は、入射電離放射線に応答して電荷を生成すると共に、その中に形成された電離放射線検出ボリューム（12）のアレイを有する検出基板（2）を備える。検出ボリュームのアレイに対応する読出し回路（16）のアレイを支持するための回路基板（14）は、検出基板（14）に機械的かつ電気的に接続されている。各読出し回路（16）は、対応する検出ボリュームから電荷を受取るため、第一と第二の電荷集積モード間で切替え可能である。電荷集積回路（30）は、第一の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける単一の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するとともに、第二の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける複数の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するように、構成されている。別の実施例において、読出し回路構成は、光子計数回路構成（140）を含む。

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【課題】小型、高周波、高性能光導電リレーの提供。
【解決手段】本発明の光導電リレー（１００）は、半導体発光素子（１０１）と、該発光素子の発光面から発生する駆動光を受光する受光面を備えた光導電スイッチ素子（１０２）と、前記発光面と前記受光面とを対向させて固定接続するための導電柱（１０３）を３本以上備え、前記発光面と受光面との距離を１００μｍ以下にしている。 （もっと読む）