【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面であるａ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０のａ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とが、バンプ９，３９同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ９，３９について、配列された領域の、外周寄り範囲Ｋに位置する接合されたバンプは、中央範囲Ｃに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る。
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【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サイズが基板の水平方向に対して大きくなることなく、使用時の消費電力を抑えることができる光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る光センサは、基板１１と、該基板１１上に積層してある第１電極層１３と、該第１電極層１３上の一部の領域に積層してある第１酸化物半導体層１４と、該第１酸化物半導体層１４上に積層してある第２電極層１５とを備える。入射する光を遮る第１電極層１３の外周１３Ａ又は第２電極層１５の外周１５Ａの少なくとも一部は、第１第１酸化物半導体層１４を介して第２電極層１５又は第１電極層１３と重なるようにしてある。 （もっと読む）

【課題】光照射に対する安定性が極めて高く、光電変換機能を長期にわたって維持することができる新規なタンパク質およびこれを用いた長期安定利用可能なタンパク質光電変換素子を提供する。
【解決手段】ウマ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウマ心筋シトクロムｃを得る。ウシ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウシ心筋シトクロムｃを得る。スズ置換ウマ心筋シトクロムｃまたはスズ置換ウシ心筋シトクロムｃからなるタンパク質２２を電極２１上に固定化してタンパク質固定化電極とする。このタンパク質固定化電極を用いてタンパク質光電変換素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストが安く、酸化物半導体の温度特性に応じて電圧（電流）値を適正に補正することが可能な紫外線センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る紫外線センサ１は、酸化物半導体で構成された基板２と、基板２内に形成された内部電極７と、基板２の第１面に形成された外部電極３と、内部電極７の一部が外部へ露出した基板２の第２面に形成され、外部電極３が形成された第１面及び端子電極５が形成された第２面と異なる基板２の第３面に形成された端子電極６とを備えている。紫外線センサ１は、外部電極３と端子電極６との間に印加する所定の電圧を、内部電極７で分圧する。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、断線箇所を直接修復することによる画像欠陥を生じることなく、断線による画像への影響を抑制する。
【解決手段】電極層の所定の線状電極に断線箇所Ｃ１がある場合、その断線箇所Ｃ１が存在する線状電極５ａの端部と断線箇所が存在する線状電極５ａに隣接する線状電極５ｂとを接続部材２０を介して接続し、その接続後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させ得るＣＳＰカメラモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】受光部がそれぞれ形成された複数のセンサ形成領域とセンサ周辺領域とを有する主面と主面と対向する裏面とを具えた半導体ウエハ１０１と、レンズ部１２１がそれぞれ形成された複数のレンズ形成領域とレンズ周辺領域とを有するレンズ形成面とレンズ形成面と対向し平坦面であるレンズ非形成面とを具えたレンズウエハ４であって少なくとも１枚の透光性光学ウエハで構成されたレンズウエハ４と、スペーサ部１５１を介して空間を隔てて接合された半導体ウエハ１０１とレンズウエハ４とからなる貼着体を形成する工程と、レンズ非形成面を介して貼着体を保持して半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、貼着体をセンサ周辺領域及びレンズ周辺領域にて切断することにより、各々がスペーサ部にて接合されたセンサチップ及びレンズチップからなるカメラモジュールに個片化する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波が照射されることにより電荷を発生し、電磁波の照射面側に上部電極７が形成され、電磁波の非照射面側に下部電極１４が形成された半導体層６を備えたセンサ部１０３を走査配線１０１と信号配線３の各交差部に対応して設けており、半導体層６よりも電磁波の下流側に形成された共通電極配線２５によって、各々コンタクトホール２２Ａ、２２Ｂを介して各上部電極７にバイアス電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体層で電荷がトラップされることを抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】半導体層６に発生した電荷を収集する複数の下部電極１１を、それぞれ隣接する走査配線１０１の長さ方向の少なくとも一部分を幅方向には全て覆うように設けて、走査配線１０１の配設位置に下部電極１１を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】センサ部での電磁波の利用効率の低下を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線１０１及び複数の信号配線３の各交差部に対応して設けらた各センサ部１０３の上部電極７を隣接する他の何れかの上部電極７と電気的に接続し、コンタクトパッド２７Ｂにより、上部電極７が電気的に接続された一群のセンサ部１０３毎に、当該一群のセンサ部１０３に属するセンサ部１０３の数よりも少ない数の接続箇所で絶縁膜に形成されたコンタクトホール２７Ａを介して当該一群のセンサ部１０３に属する何れかのセンサ部１０３の上部電極７と共通電極配線２５を接続する。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンとの密着性を考慮した上で、ソース電極及びドレイン電極の断線を防止する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ１０１をアレイ状に配置した素子領域１０２を有するＴＦＴアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ１０１の上部に設けられ、コンタクトホールＣＨ１が形成されたパッシベーション膜８と、コンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続するフォトダイオード１００とを備え、ＴＦＴアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域１０３では、パッシベーション膜８及びゲート絶縁膜３が除去され、周辺領域１０３のパッシベーション膜８のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜３のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜３のエッヂより外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】光スイッチをアレイ化してもスクリーニング効果により、十分なテラヘルツ波の出力が得られない。
【解決手段】テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波エミッタ装置であって、半導体テンプレート１４と、その上に形成されたアンテナパターンとを備え、前記アンテナパターンは、ダイポールアンテナを構成する第１のアンテナ電極と第２のアンテナ電極とからなる光スイッチ１２が複数並べられた光スイッチアレイと、複数の光スイッチ１２の第１のアンテナ電極同士を接続する第１の伝送線路１１と、複数の光スイッチの第２のアンテナ電極同士を接続する第２の伝送線路１１とを有し、複数の光スイッチ１２は、前記第１のアンテナ電極の先端部と前記第２のアンテナ電極の先端部とがギャップ１３を介して対向し、それぞれのアンテナ電極の先端部が、ギャップ１３に向けて漸次幅狭に形成されている。 （もっと読む）

ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅ放射線イメージング検出器、及び該検出器の安定した性能を保証するために連続的な電極に高電圧を印加する高電圧バイアス部。該高電圧バイアス部は、直径３０μｍより大きく、望ましくは、容易に酸化されない、又はアルミニウムより酸化されにくい物質群から選択された、複数の導体を含む。 （もっと読む）