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Fターム[5F088KA02]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 周辺回路 (670) | バイアス回路 (230) | 増幅回路を含むもの (101)

Fターム[5F088KA02]に分類される特許

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【課題】調整量を自動的に計算して簡便かつ容易にその臨み方向を調整できるような距離センサ、距離センサ内蔵装置および距離センサ臨み方向調整方法を提供する。
【解決手段】距離センサ10のレンズ越しにラインイメージセンサ表面の光軸マーカの映像を観察することにより、距離センサ内蔵装置20に対する距離センサ10の臨み方向を求め、基準臨み方向に対する距離センサ10の実際の臨み方向ズレを定量化し、これを用いて臨み方向を修正するような距離センサ臨み方向調整方法とした。 (もっと読む)


【課題】発光素子、受光素子等の活性領域がメサ型形状の光素子において、メサ型構造の高さが高く、誘電体膜の厚みが厚い場合に、配線の断線の回避が困難、配線の引き出し方向の制約、容量の低減が不十分等の問題がある。
【解決手段】メサ構造131を有する光素子100の周囲に高抵抗の再成長層110を配置する。これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部131が再成長層110で被覆される。この被覆によって、この部位での容量も低減されるとともに全ての配線引き出し方向に対して断線の危険性も回避することが出来る。さらに、再成長層の厚さは主要構造部の厚みと同等に設定できる。特に導電性基板を用いた際に誘電体膜111、112との組み合わせにより大きな寄生容量の低減効果が期待できる。 (もっと読む)


【課題】視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の表面部分に形成された第1の受光素子1および第2の受光素子2と、第1の受光素子の受光領域上に設けられ、第1の分光透過特性を有する第1の樹脂層10aと、第2の受光素子の受光領域上に設けられ、第1の分光透過特性を有する第2の樹脂層10bと、第2の受光素子の受光領域上に、第2の樹脂層と積層するように設けられ、第2の分光透過特性を有する第3の樹脂層11と、第1の受光素子から出力された第1の出力と第2の受光素子から出力された第2の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路3とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


アセンブリによって変換される電気信号内にフィードバックが取り込まれるのを回避し得る光受信機アセンブリ。一実施形態の光受信機アセンブリは、コンデンサと、コンデンサの上面電極上に設けられ、電源が供給される光検出器と、基準面上に設けられた増幅器とを含む。光受信機アセンブリは、基準面とコンデンサとの間に介在するアイソレータをさらに含み、このアイソレータは、基準面の一部に接続された誘電材料の底面層と、増幅器の接地およびコンデンサの双方と電気的に接続されている金属上面プレートとを含む。この構成は、増幅器接地に存在しているフィードバック信号を打ち消すために、フォトダイオード及びコンデンサの上面電極を介して増幅器接地を増幅器入力にブートストラップする。
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【課題】放射線画像検出器のデバイス構造をより簡単にし、製作を容易にする。
【解決手段】放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第1の導電層と、第1の導電層を透過した前記記録用の電磁波および読取用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、画素状導体が2次元状に多数配列されるとともに、画素状導体の列に対応して第1の線状電極が多数配列された第2の導電層と、絶縁層と、第2の線状電極が多数配列された第3の導電層とをこの順に積層した構造とする。 (もっと読む)


【課題】半田ディップによる実装基板への接合前に発生する、リード端子と実装基板との係合関係の不安定性に基づく位置の自立性欠如、そのために生じる接合時の変位により生産性が悪くなるという問題を解決するリード端子導出型電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、部品本体から略平面を構成するように導出する複数のリード端子7,10,11を有し、部品本体が実装基板から浮上状態で取り付けられる。上記少なくとも2本のリード端子を各々反対方向に傾斜させたことにより、上記実装基板への挿入時にリード端子のばね力により実装基板にたいして垂直に固定させる。 (もっと読む)


【解決手段】基板(10)が、信号処理のための電子回路の一部を備えるように製造されるデバイス及びデバイス形成方法が開示されている。バルク単結晶材料(14)は、基板(10)上に直接形成されるか、中間の薄膜層上に形成されるか、又は、遷移領域(12)上に形成される。このデバイスの特別な用途は、放射線検出器である。 (もっと読む)


【課題】CMOSインバータで光電流を増幅する光センサ回路でCMOSインバータの入出力特性曲線の線形領域を有効に使用し、線形領域のダイナミックレンジを広く利用できる光センサ回路を提供する。
【解決手段】光センサ回路10は、アノード11aとカソード11bの間に並列に接続されるコンデンサCを含み、入射光L1を電流信号に変換するフォトダイオードPDと、フォトダイオードPDの一方の端子電極に入力側が接続されるCMOSインバータIPと、CMOSインバータの入力端と出力端との接続または遮断を選択し、かつ遮断時にCMOSインバータの入力側電位での容量結合による変化方向を反対にするMOS型スイッチングトランジスタ(12,21)と、CMOSインバータの出力側に接続される画素選択用トランジスタ13を備える。 (もっと読む)


【課題】高性能の光受信モジュールを安定して製造できる光受信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルタ3の実装状態を選択することで、個々の光受信モジュールの性能を最適化する。フィルタ3の実装状態を選択する前に、予め光受信モジュールあるいは光受信モジュールの一部について性能あるいは特性の計測を行う。例えば、エラーレート測定器4を完成された光受信モジュールの出力に接続し、光信号を受けたときの実際のエラーレートを計測してもよい。エラーレート以外の計測方法により、最適なフィルタ3の等価回路を求めるようにしてもよい。計測方法としては、従来の方法を適宜選択できる。 (もっと読む)


【課題】 軽量化を図り、搬送時や使用時に大きな制約の光または放射線検出ユニットの製造方法、およびその製造方法で製造された光または放射線検出ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 キャリア収集電極33,コンデンサCa,薄膜トランジスタTr,データ線34およびゲート線からなる読み出しパターンの少なくとも一部を、蒸着あるいは印刷塗布製膜によって形成する。この形成の際には半導体厚膜31とは別に形成する。その半導体厚膜31と読み出しパターンとからなるフラットパネル型X線検出器(FPD)30を筐体が収納してユニット化する。この半導体厚膜31を従来のガラス基板の替わりに用いることで、軽量化を図り、搬送時や使用時に大きな制約のないFPD30を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 製造コストを低減し小型化を図るとともに、信頼性、量産性を向上させる。
【解決手段】 基板106上に設けられる光モジュール200であって、基板106と電気的に接続される周辺IC214と、周辺IC214と電気的に接続され光信号を受信する受光部と光信号を発信する発光部のうち少なくとも1つをなす回路面212d1,212e1を有し光ファイバアレイ202と光学的に接続される光電素子212と、を備え、光電素子212は、回路面212d1,212e1が上側となるよう配されるとともに、回路面212d1,212e1と周辺IC214とを電気的に接続するための配線212bが形成されたフレキシブルフィルム216により、光電素子212の本体が回路面212d1,212e1から側面を経由して下面へわたって被覆され、下面にて周辺IC214と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】入射角の大きい光の入射を抑制して、光学フィルタによるフィルタ特性を安定化させ、不可視光によるノイズを抑制できる半導体照度センサを提供する。
【解決手段】光学フィルタにより検出面が被覆された光検出素子を少なくとも備えた半導体照度センサーにおいて、光検出素子2と光学フィルタ1は、少なくとも遮光層4に囲まれており、この遮光層4には、光入射口6を有し、光学フィルタ1に到達する入射導光路5が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 光トランシーバにおいて送信回路から受信回路へ空間伝播するノイズを低減する。
【解決手段】 光トランシーバは、光送信サブアセンブリ(TOSA)10、受光素子を含む光受信サブアセンブリ(ROSA)20、TOSA中の発光素子を駆動する送信回路41、ROSAからの電気信号を処理する受信回路46、送信回路と受信回路を搭載するプリント基板40を備えている。TOSA及びROSAは、それぞれ第1及び第2のフレキシブル基板12、22によってプリント基板に接続されている。プリント基板は、送信回路が実装された面40aを有している。第2のフレキシブル基板の一の面にはグランド層28が設けられ、反対側の面には信号ライン24aが設けられている。第2のフレキシブル基板は、グランド層28を、送信回路が実装された面40a側に向けて配置されている。 (もっと読む)


直接取り付け型光受信モジュール、および直接取り付け型光受信モジュールを試験するためのシステムおよび方法を提供する。光受信モジュールは、光検出器と、集積増幅回路を備えた集積回路と、少なくとも1つの集積コンデンサとを含むことが可能である。一実施例では、光検出器を集積回路に物理的に取り付けることが可能であり、光検出器の出力ポートを集積回路の入力ポートに電気的に結合することが可能である。別の実施例では、同調インダクタを含む再分配層を光検出器と集積回路との間に物理的に取り付けることが可能である。
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【課題】光電変換率が高い光電変換素子、放射線画像検出器及び放射線画像撮影システムを提供すること。
【解決手段】
光電変換素子10aは、入射した電磁波により励起されて電荷を発生する有機化合物を含有する電荷発生層30aと、電荷発生層30aで発生した電荷のうち、一方のキャリアを集める透明電極20と、他方のキャリアを集める対電極40とを備え、有機化合物に、ハロゲン化ペンタセンを含有させるとともに、この光電変換素子10aを適用した放射線画像検出器50及び、放射線画像撮影システム90とする。 (もっと読む)


【課題】入力光に応じた信号を出力する受光装置に関し、簡単な構成で内部回路の検査を行なうことができる受光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、入力光に応じた信号を出力する受光装置であって、入力光に応じた検出信号を出力する複数の受光素子(PDA、PDA´)と、複数の受光素子(PDA、PDA´)から出力された検出信号(VA、VA´)を比較し、比較結果に基づいて出力信号を出力する出力回路(16)と、テスト信号のレベルに応じて出力回路(16)に供給される複数の検出信号(VA、VA´)のいずれかを制御するテスト回路(111)とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をBi2WO6からなるものとする。 (もっと読む)


【課題】
狭ピッチの光素子と狭ピッチの光導波路とを高効率かつ高密度で光結合させることが可能な光素子を提供することにある。
【解決手段】
光素子本体1と、第1コア部2aと、第1クラッド部2bとを具備する光素子を用いる。光素子本体1は、光を発光する光発光部42を有する。第1コア部2aは、第1屈折率を有し、光発光部42に接して設けられ、光を導波する。第1クラッド部2bは、第1屈折率とは異なる第2屈折率を有し、第1コア部2aを囲むように設けられている。第1コア部2aが光発光部42と接する第1領域の面積は、光発光部42が光を受光又は発光する第2領域の面積と同等以上であり、且つ、第1領域は第2領域を包含している。 (もっと読む)


【課題】 メインのフォトダイオードの他に補正用フォトダイオードを有するタイプの半導体光センサ装置において、サイズの小型化を図ることを課題とする。
【解決手段】 シリコンチップ11上の右半分の部分にフォトダイオード12が形成してあり、チップ11上の左半分の部分に、補正用フォトダイオード13と差動アンプ14とが形成してあり、且つ、フォトダイオード12を覆って赤外線をカットする赤外線カットフィルタ20が形成してある構成である。補正用フォトダイオード13のサイズ(面積S2)は、フォトダイオード12の面積S1の0.1倍であり、フォトダイオード12に比べて相当に小さい。 (もっと読む)


【課題】 光源と光検出器との位置調整が容易で、かつ部材の廃棄ロスを減少させることができる光集積モジュールおよび該光集積モジュールを用いた光ピックアップ装置を実現する。また、光集積モジュールおよび光ピックアップ装置の小型化を実現する。
【解決手段】 本発明の光集積モジュール1は、光ディスク9に光を照射する半導体レーザ11を保持する保持部材14と、光ディスク9からの反射光17を受光する受光素子チップ31および外部回路と接続するための入出力端子34を有する受光素子3とを備えている。保持部材14と受光素子3とは互いに独立して設けられている。また、入出力端子34は外部回路と接続するためのモジュールFPC15と接続されている。受光素子3と保持部材14との間からモジュールFPC15が引き出されている。 (もっと読む)


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