【課題】 入射する光または放射線に応じた電気信号を好適に増幅することができる光または放射線用検出器及びこれを備えた光または放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】 ＦＰＤ１の検出面は検出領域Ａ１、Ａ２、Ａ３に区画されて、各検出領域Ａ１、Ａ２、Ａ３から得られる電気信号は、それぞれ異なる増幅率で増幅される。このＦＰＤ１を行方向ｕに移動させつつ、時刻Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３で撮影を行う。これにより、ＦＰＤ１の検出面上に形成されるＸ線の強度分布である検出対象Ｐの各部位Ｐ１、Ｐ２、……について、各検出領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が重複して検出する。したがって、検出対象Ｐの同一の部位について、異なる増幅率で増幅された複数種類の信号が取得される。取得された信号を適宜に選択してＸ線画像を生成すれば、実質的にダイナミックレンジを広くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 小型且つ低コストの光送受信モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の実施の形態に係る光送受信モジュールは、発光素子と、受光素子とを備えている。発光素子は、第１の軸線方向に第１の波長の光を出射する。受光素子は、第１の受光部と、光学薄膜とを有している。第１の受光部は、入射する光の強度に応じた電流を発生する。光学薄膜は、第１の波長の光の少なくとも一部を第１の軸線方向とは異なる第２の軸線方向に反射し、第２の軸線方向からの第２の波長の光を第１の受光部へ透過する。 （もっと読む）

【課題】受光デバイスの光学特性（受光特性）の測定を比較的精度よく低コストで実現する。
【解決手段】受光デバイス測定装置は、被検査対象の受光デバイス１０に光を出射する第１発光デバイス１５と、第１発光デバイスと異なる向きに光を出射する第２発光デバイス１９と、第２発光デバイス１９からの光を受光し、当該光の受光量に応じた出力を発生させる受光手段２２と、測定手段（測定のための回路、ケーブルおよびＬＳＩテスタ等）とを有する。測定手段は、第１発光デバイス１５からの光を受光した被検査対象の受光デバイス１０の特性を測定し、受光手段２２からの出力に基づいて、当該測定結果を校正する、及び／又は、測定時における被検査対象の受光デバイス１０への電源供給を制御する。
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【課題】 低コストの放射線検出回路、放射線検出器および放射線検査装置を提供する。
【解決手段】 放射線検出回路１０は、２つの検出素子Ｄ₁、Ｄ₂が接続された差動増幅器１１と、波形整形回路１２と、コンスタントフラクション・ディスクリミネーター（ＣＦＤ）１３と、極性弁別器１４と、検出データ生成回路１５等から構成される。放射線検出回路１０は、２つの検出素子Ｄ₁、Ｄ₂からのガンマ線の入射に起因する検出信号を差動増幅器１１に供給する。放射線検出回路１０は、一方の検出素子Ｄ₁からの検出信号の極性を正、他方の検出素子Ｄ₂からの検出信号の極性を負として、下流側を１系統とし、検出データ生成回路１５がこの極性に応じてガンマ線が入射した検出素子Ｄ₁、Ｄ₂を識別し、検出素子番号とガンマ線の入射時刻データを出力する。 （もっと読む）

【課題】電気クロストークの低減が可能な光送受信器を提供する。
【解決手段】導電性接続部材１７によって、光受信モジュール１４と光送信モジュール１６は組み合わされている。導電性接続部材１７により組み合わされた両モジュール１４，１６を回路基板２５に接続固定して導体ケース１３，１５を回路基板２５のグランド層に導通させる。導電性接続部材１７と光受信モジュール１４と光送信モジュール１６と回路基板２５を覆う筐体３１と、回路基板２５の表面側に突出している導電性接続部材１７とを電気的に接続させるシールド接続部材３５を設ける。回路基板２５のグランド層と、導電性接続部材１７と、筐体３１とは電気的に接続されて同じグランド電位を持って回路基板２５の回路をシールドする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの漏れが抑制された光アセンブリ及び光モジュールを提供する。
【解決手段】 光アセンブリ３は、半導体光素子３３と導電性を有しており半導体光素子３３を収容するパッケージ３１とを有する光デバイス２３と、パッケージ３１に固定されており、光ファイバ６５を備えた光コネクタ６３を外部から受け入れ光ファイバ６５と半導体光素子３３とを光学的に結合するスリーブ部材２５であって導電性を有するスリーブ部材２５と、半導体光素子３３の光軸Ｌ１上に設けられており、光を通し且つ導電性を有する導電膜Ｍ１とを備え、導電膜Ｍ１は、スリーブ部材２５及びパッケージ３１の少なくとも一方に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】搭載される電化製品などの形状およびサイズに対応して実装姿勢が異なるように製造することが容易な半導体モジュールの提供。
【解決手段】フォトダイオード２と、複数のリードと、フォトダイオードを覆う樹脂パッケージ４とを備える半導体モジュールの製造方法であって、それぞれが複数の帯状部材１４ａ〜１４ｃ，１５ａ〜１５ｃからなり、かつ互いに異なる方向に延びる２つの帯状部材群１４，１５を有するリードフレーム１を用い、かつ、２つの帯状部材群のそれぞれに交差する２つの側面４ａ，４ｂを有する樹脂パッケージを形成する工程と、２つの帯状部材群の一方を含み、かつ樹脂パッケージの２つの側面のいずれかから突出する端子群を形成する第１リード群、および２つの帯状部材群の他方のうち樹脂パッケージに埋没した部分からなる第２リード群、を形成するようにリードフレームを切断する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出素子を用いた放射線入射位置検出装置において、入射位置を簡便に高精度に同定する。
【解決手段】 被検体３に対向し配置された半導体検出素子（放射線検出素子）４、半導体検出素子４表面（検出面）に配設された複数の抵抗配線に接続する前置増幅器群５、上記抵抗配線における電荷分割を通して検出面における位置同定をする第１の信号・演算処理部６、上記検出面に対して垂直方向の位置同定をする第２の信号・演算処理部７、および、第１の信号・演算処理部６と第２の信号・演算処理部７に基づき上記検出面における放射線入射位置を算出する入射位置演算部８を有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、消費電流を削減でき、電源としてのバッテリの寿命を延ばすことができる光センサ回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 受光した光の照度に応じた値の電流を出力する光電変換手段と、光電変換手段の出力電流を供給されて対数変換を行って出力する対数変換手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 受光素子の配置の自由度を向上させることのできる光センサを得る。
【解決手段】 演算装置は、受光素子１４，１６の光の入射角度−出力特性を示す角度出力関数及び光の入射強度−出力特性を示す強度出力関数に基づいて、受光素子１４，１６の出力から光伝播角度θ及び光強度Ｌを算出する。また、受光素子１４と受光素子１６の中間位置に角度出力関数及び強度出力関数が受光素子１４（受光素子１６でも可）と等しい仮想受光素子１７を仮想的に形成すると共に、光伝播角度θ及び光強度Ｌから仮想受光素子１７の出力Ｉ_p＝ｆ（Ｌ）×ｇ（θ）を算出する。演算装置において仮想受光素子１７を仮想的に形成するため、仮想受光素子１７の配置位置が他の部材の搭載場所である場合や悪環境下の場所であっても、そのような場所に仮想受光素子１７を配置することができるので、受光素子配置の自由度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来のこの種の光電ユニットでは、素子用基板２が形成されている部材とケーシングが形成されている部材との熱膨張係数の差が大きく、例えば器機基板への取り付けの際のリフロー炉中で剥離を生じるなどの問題点を生じていた。
【解決手段】 本発明により、素子用基板２上に光電素子と、必要に応じ光電素子の駆動若しくは信号処理を行う電子回路４とを搭載し、光電素子と電子回路とを覆い一体にエポキシ樹脂のトランスファモールドによってケーシング５が形成されて成る光電ユニット１であって、素子用基板にはトランスファモールドの実施に先立ち、エポキシ樹脂の硬化時に応力が集中する回路基板の部分、若しくは、応力の集中を避けたい素子用基板の部分に対して、弾性に富む樹脂による応力緩和部６が予めに形成されている光電ユニット１とすることで課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来型マルチポート光ブロックアセンブリに関連する欠点を克服することができるマルチポート光ブロックアセンブリおよびシステムを提供すること。
【解決手段】マルチポート光ブロックシステムは、マルチポートブロックアセンブリおよび光−電気変換装置を備える。マルチポート光ブロックアセンブリは、取り付けられている光−電気変換装置のコネクタを有するように構成されている。光−電気変換装置のコネクタは、マルチポート光ブロックに選択的に着脱されるように構成されている。光−電気変換装置は、光ダイオードおよびそのダイオードに接続された信号増幅電子装置を含む。光ダイオードは、光−電気変換装置のコネクタに実装されている。光ダイオードおよび前記信号増幅電子装置は、一緒に、規定の帯域幅仕様に対して最適化された信号性能をもたらすように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 入射する光または放射線を精度よく検出することができる光または放射線用検出器及びその検出システムを提供する。
【解決手段】 フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）１は、増幅率変更用配線２３を備えることで、複数個の増幅器２１の各増幅率を個別に変更させることができる。また、制御部５が複数個の増幅器の各増幅率を個別に変更する。よって、検出素子ｄから読み出される電荷情報が各増幅器２１間で高低しても、各増幅器２１はそれぞれ適切な増幅率で電荷情報を増幅する。よって、Ｘ線の入射量が広範囲に分布しても、精度よく検出することができる。 （もっと読む）

【課題】光電気配線板表面上に光インタフェースを備えたＬＳＩパッケージを実用性の高い方法で搭載し、光電気配線板と光インタフェースとを充分な精度で光学的に接続する。
【解決手段】光伝送路１ｂ、ガイドピン１ｃ及びミラー１ｄを有する光電気配線板１上にソケットピン４ｂ及びガイドピン４ｃを有する配線板側ガイド部材４をはんだ付け固定する。光インタフェース３に嵌合穴５ｂが開設された光インタフェース側ガイド部材５を接着し、光インタフェース３をＬＳＩパッケージ２のインタポーザ２ｂ上に実装する。インタポーザ２ｂに開設された嵌合穴２ｅに光電気配線板１のガイドピン１ｃを嵌合させると共に、ガイド部材５の嵌合穴５ｂにガイド部材４のガイドピン４ｃを嵌合させる。 （もっと読む）

【課題】 光通信の高速化に対応することができる光受信モジュールを提供すること。
【解決手段】 光受信モジュール１０は、入射された光を曲率半径Ｒで形成された光出射端面１１ａから出射する先球ファイバ１１と、受光した光を電流信号に変換する光吸収層を含む受光素子１２と、受光素子１２を実装するサブマウント１３と、先球ファイバ１１を固定するファイバ固定部１４と、受光素子１２から出力される電流信号を電圧信号に変換して増幅するプリアンプＩＣ１５と、電気信号を伝送するボンディングワイヤ１６と、各部品を封止するパッケージ１７と、電気信号を出力する端子１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】長いリンク距離と広い視野とを有し且つ低電力消費である小型の光トランシーバモジュールを提供する一方で、同時に、効率の良い製造プロセスを可能にする。
【解決手段】光トランシーバ(101)は、第１の面(105)と第２の面(107)とを有する基板(103)を備える。光エミッタ(109)が、前記第１の面に実装される。光レシーバ(111)は、前記第１の面に実装され、光検出器(121)へと光を導く誘電体全内部反射集光器（ＤＴＩＲＣ）(119)を含む。増幅回路(113)が、前記第２の面に実装され、前記基板を通じて、前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続される。前記光エミッタと、前記光レシーバとは、別個の成形ハウジング内(115,117)に収容される。ＤＴＩＲＣ(119)が、良好なリンク距離と広い視野とを提供するために使用される。 （もっと読む）

【課題】中和電流のノイズ取り込み効果を弱めることができる、ドリフト検出器を提供する。
【解決手段】ドリフト検出器（６０１）は、検出素子（２０１）内で量子の衝突が起きたことの指標となる指標信号を発生する。検出素子（２０１）の蓄積電荷を中和するために、指標信号を使うことにより、意図的に増加させた中和電流をドリフト検出器（６０１）へ、限られた時間間隔の間、おくる。他には、タイマー（５０１，７０１）の動作に基づいてトリガーをかけるようにしてもよい。 （もっと読む）

光受信モジュールは高速光データ信号を受信するために使用する。あいにく、この光受信モジュールはハウジング内に収納された後に初めて試験が行われるのが通常である。したがって、かなりの費用が予め定めた基準を満たさない収納した装置に関係する。集積光受信モジュールは、光検出器が、増幅回路を有する集積回路上に直接的に接続され、またはフリップチップ化または圧力を加えられる。
直接的な接続処理が実行される際には、前記集積回路はそのまま型抜き前の半導体ウェハ上に載置されている。したがって、光受信モジュールの高速光試験がウェハレベルで可能であり、それによって型抜き前の実際の動作特性を決定するように構成する。
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【課題】 ホルダーなどの他部品と受光素子との相対位置精度を向上させる。
【解決手段】 プリント基板１上に固定された封止枠３の一隅（被認識部）３ａ画像認識することにより、封止枠３の位置を検知し、これを基準に封止枠３の内側の所定の搭載位置を決定し、そこに受光素子２を搭載する。そして、封止枠３の内側に封止剤４を注入・固化し、受光素子２を封止する。これをホルダーなどの他部品に取り付ける際には、封止枠３に形成された取付手段６ａ，６ｂに他部品のピンを挿通させ固定する。受光素子２の搭載も他部品への取付もいずれも封止枠３を基準としているので、受光素子２は他部品に対し相対位置精度よく取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】
従来、増幅素子を備えた光センサを作製するには、薄膜トランジスタの形成を待って、光電変換層を形成しなければならならず、スループットが悪かった。そこで、本発明では、薄膜トランジスタを形成する工程と光電変換層を形成する工程を平行して行うことにより短時間で作製した半導体装置及びその作製プロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、第１の基板上に薄膜トランジスタを形成し、第２の基板上に光電変換素子を形成し、薄膜トランジスタと光電変換素子とが内側になるように相対した第１の基板と第２の基板との間に導電膜を狭持させることで、薄膜トランジスタと光電変換素子を電気的に接続させて半導体装置を作製する。これにより、工程数の増加を抑え、スループットの高い半導体装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）