【課題】電子と正孔の相互作用による、磁化方向が略平行なときの電流Ｉ_Ｄ^Ｐと、磁化方向が略反平行なときの電流Ｉ_Ｄ^ＡＰとの差の絶対値の減少を抑制することを可能にする。
【解決手段】表面にｎ型の半導体領域が設けられた半導体基板１０と、半導体領域上に離間して設けられたソース電極３０ａおよびドレイン電極３０ｂであって、ドレイン電極は半導体領域上に設けられ半導体領域の半導体よりもバンドギャップが大きくかつ価電子帯端が半導体領域の半導体の価電子帯端よりも低いエネルギーを有するｎ型の第１半導体層３１ｂと、第１半導体層上に設けられた第１強磁性層３４ｂとを有し、ソース電極は半導体領域上に設けられた第２強磁性層３４ａを有する、ソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の半導体領域に設けられたゲート電極２４と、を備え、第１および第２強磁性層のうちの一方は磁化方向が不変であり、他方は磁化方向が可変である。 （もっと読む）

【課題】強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板上に設けられたチャネル層７と、チャネル層上に設けられ、強磁性体を含む第１電極１０及び強磁性体を含む第２電極２０と、チャネル層上において前記第１及び第２電極との間に設けられたゲート電極８と、チャネル層と第１及び第２電極との間のそれぞれに設けられた第１挿入層３０及び第２挿入層４０と、を備えたスピントランジスタを提供する。チャネル層は、六員環ネットワーク構造を有する炭素材料からなる。第１及び第２挿入層は、Ｐを含むＧｅ、Ｂを含むＧｅ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈの少なくともいずれかを含む、または、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａのいずれか、または、それらのいずれかの化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子のＭＲ比を向上させること。
【解決手段】ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。第１ハーフメタル層（４０）は、第１磁性層（１０）とトンネルバリア層（３０）との間に介在し、トンネルバリア層（３０）と接触し、第１磁性層（１０）と磁気的に結合する。 （もっと読む）

【課題】低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。
【解決手段】下地層１１に自由磁化層１２、非磁性層１３、固定磁化層１４、反強磁性層１５および保護層１６を積層した積層構造を有する磁気抵抗効果素子１において、自由磁化層１２を固定磁化層１４のうち少なくともいずれか１層をホイスラー合金で形成し、下地層、非磁性層１３、保護層１６のうち少なくとも１層をＢ２規則化構造の合金層で形成する。 （もっと読む）

【課題】電圧出力特性を向上させることが可能なシリコンスピン伝導素子の製造方法及びシリコンスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化型の記録層における磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせ得る構成、構造を有する不揮発性磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、（Ａ）磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層５３を有する積層構造体５０、（Ｂ）積層構造体５０の下部に電気的に接続された第１の配線４１、並びに、（Ｃ）積層構造体５０の上部に電気的に接続された第２の配線４２から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体５０の側面に近接して、記録層５３を構成する材料のヤング率よりも高い値のヤング率を有する高ヤング率領域１７１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】再生素子のセンシング能力を向上し、高記録密度で記録された情報の再生精度を向上する。
【解決手段】再生素子が有する多層膜が、非磁性層４００と、この非磁性層４００を間に挟む第１強磁性層４０１及び第２強磁性層４０２と、を有し、これらのうち、第１、第２強磁性層の少なくとも一方は、原子組成比がＣｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２：１：１であり、かつＬ２_１規則化された結晶構造とされている。これにより、高い分極率を実現できるので、非磁性層の膜厚を一定以上に薄くするなどして素子抵抗を小さくしたとしても、高い磁気抵抗変化率が得られ、高いセンシング能力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比で低磁歪のＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、リード・ヘッドは、磁気抵抗センサ膜の積層方向（膜面に垂直な方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）型のリード・ヘッドである。本形態のＣＰＰ磁気ヘッドは、その磁気抵抗センサ膜における自由層構造に特徴を有している。本形態の自由層は積層された複数層から構成されており、ホイスラ合金層と、Ｃｏ系アモルファス金属層とを有している。この自由層構造を有することにより、低磁歪で高いＭＲ比を得ることができ、ノイズ特性にも優れたＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子１は、絶縁材料を用いて形成される絶縁層１５と、磁性材料を用いて形成される第２の磁化層との間に、非磁性材料を用いて形成される非磁性層２０を備え、非磁性層２０は、絶縁層１５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】 高い出力が得られるスピン蓄積型磁気センサ及びスピン蓄積型磁気検出装置を提供する。
【解決手段】 このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。この構造の場合、出力電圧を飛躍的に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波受信チェーンで使用されるこのような発振器において要求される出力にできるだけ近い出力を得るために出力を大幅に増加しながら、精細性の点で高周波放出の品質を保持または改善さえすることである。
【解決手段】高周波発信器は、電流が流れることができる内蔵の磁気抵抗装置を有し、前記磁気抵抗装置が、“トラップ層”（２）として知られる第１の磁性層であって、その磁化が固定方向である第１の磁性層と、“自由層”（１）として知られる第２の磁性層と、“中間層”として知られ、前記第１及び第２の層の間に配置される非磁性層（３）と、を備える。前記発振器は、前記層を含む平面に垂直な方向において、上述の積層体を構成する前記層に電流が流れることを引き起こすことができる手段をさらに備える。前記磁気抵抗装置を構成する３つの層の１つは、それを通って電流が流れる少なくとも１つの収縮領域（８、１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来に比べ高いＴＭＲ比が室温で得られるＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、下記式１に示すように希土類元素が添加されてなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｃｏ_２−ｘＹ_ｘＡＢ
（０＜ｘ＜０．２、
Ｙ：Ｃｅ，Ｐｒ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ又はＬｕ。
Ａ：Ｆｅ又はＭｎ。
Ｂ：Ａｌ，Ｓｉ、Ｇａ，Ｇｅ又はＳｎ）
このＣｏ基ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合素子、磁気抵抗効果素子及び磁気検出素子の、それぞれ従来にはない高性能なものが得られた。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気ディスクの再生ヘッドのセンサ膜と磁性体上部シールドとの間には剥がれ防止のために非磁性密着層が介している。しかし、その層は低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなる。
【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第１の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第２の絶縁膜上に形成される第３の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。 （もっと読む）