【課題】磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層２３０と、磁化方向が変化する磁化自由層２５０と、磁化固定層と磁化自由層との間に配置された絶縁体を用いて形成されているバリア層２４０と、を備え、磁化固定層または磁化自由層の少なくとも一方は、バリア層側から順に、結晶層２３３ａ，２３３ｃとアモルファス磁性層２３３ｂとの積層構造として、バリア層の反対側にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比のＴＭＲリード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＴＭＲリード・ヘッドにおいて、固定層の第１強磁性層は反平行結合層と絶縁障壁層との間に形成されている。第１強磁性における反平行結合層との界面を形成する層を、ＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）で形成する。これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第１強磁性層と第２強磁性層との強い結合を維持することができる。第１強磁性層において、主強磁性層とＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）界面層との間に、Ｃｏ系アモルファス金属層を形成する。これにより、高温アニール処理における第１強磁性層の適切な結晶化を促進することができ、高いＭＲ比を実現する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ比を大きくすることができるＴＭＲ素子およびそれを用いたセンサを実現する。
【解決手段】 ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。第１および第２の積層体２０，３０はピニング層４２上に配列されており、かつ、ピンド層４３およびピニング層４２によって電気的に直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗型積層構造体に対し少なくとも部分的に内部磁界を加える集積された磁性層によって、磁気抵抗型積層構造体のΔＲ／Ｒ−Ｂ特性における動作点をシフトさせる。
【解決手段】強磁性材料から成る軟磁性層である磁性層１２，１２′を有する積層列１６が設けられており、磁性層１２，１２′の磁化方向は積層構造体５外部からの外部磁界により可変である。磁性層１２，１２′の間に非磁性かつ導電性の中間層１３が配置されている。硬磁性層１５が磁気抵抗型積層構造体５に少なくとも部分的に組み込まれており、この硬磁性層は２つの磁性層と非磁性かつ導電性の中間層１３との界面の領域に磁界を印加し、硬磁性層１５の磁界により、磁気抵抗型積層構造体５の特性曲線における動作点がシフトされ、磁気抵抗型積層構造体５の電気抵抗は外部磁界に依存して可変である。 （もっと読む）

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板（４；６４）と、第一方向（１４）に伸びた細長半導体チャネル（１１）素子と、チャネルへの接点の組（２７）を提供する少なくとも２つの導電性リード（２６）とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント（８）を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向（１５）に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面（３０）を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場（３１）に対して反応する。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第１接合磁性層、第１接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第１垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第２接合磁性層、第２接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第２垂直磁性層、及び第１接合磁性層と第１垂直磁性層との間の非磁性層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡが1.0Ωμm²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないＴＭＲヘッドを得る。
【解決手段】第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。アモルファスCo-Fe-B合金層上に結晶性の良いＭｇＯを形成することができる。また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。得られたＴＭＲセンサ膜は低濃度のＢを含むアモルファス状のCo-Fe-B合金膜を含むために、比較的低温(200℃)の熱処理でも大きなＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法に関する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、ｉ）（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第１磁性層と、ｉｉ）第１磁性層の上に位置する絶縁層と、ｉｉｉ）絶縁層の上に位置し、（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第２磁性層とを含む。第１磁性層および第２磁性層は垂直磁気異方性を有し、Ａおよび前記Ｂはそれぞれ金属元素であり、ＣはＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｔａ（タンタル）、およびＨｆ（ハフニウム）からなる群より選択された一つ以上の非晶質化元素である。 （もっと読む）

【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ）素子を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子は、ホイスラー合金薄膜４，６間にスペーサ層５を配した構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲ素子であって、前記ホイスラー合金薄膜４，６が、Ｂ２規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層５がＢ２規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、ＣｏＦｅＡｌＳｉホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力を十分に高めることができかつ微小領域からの磁束を感度よく検出可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ２００は、グラフェン層７と、グラフェン層７上に配置された磁化固定層１２Ｂと、グラフェン層７上に配置された磁化自由層１２Ｃと、グラフェン層７に電気的に接続された第一電極２０Ａ及び第二電極２０Ｄと、グラフェン層７、磁化固定層１２Ｂ、及び、磁化自由層１２Ｃを積層方向の両側から挟む下部磁気シールド層２２及び上部磁気シールド層１１，１２と、を備える。 （もっと読む）

磁気積層体は、磁化の向きを切換えることができる自由層と、磁化の向きが固定された基準層と、これらの間にあるバリア層とを有する。この積層体は、自由層から電気的に分離されるとともに基準層と物理的に接触する環状反強磁性ピニング層を含む。ある実施の形態では、基準層は自由層よりも大きい。
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【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

スピン偏極電流を使用してメモリセルの磁気デバイスにおける磁気領域の磁化方向及び／又はヘリシティを制御してスイッチングする高速かつ低電力の方法。磁気デバイスは、固定の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する基準磁化層と、可変の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する自由磁化層とを含む。固定磁化層及び自由磁化層は、非磁化層により分離されることが好ましい。固定及び自由磁化層は、層法線に対して実質的に非ゼロ角度の磁化方向を有することができる。デバイスに電流を印加してトルクを誘起することができ、これは、デバイスの磁気状態を変更し、そのためにそれは情報を書き込むための磁気メモリとして作用することができる。デバイスの磁気状態に依存する抵抗が測定されてデバイスに格納された情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】記憶層１７と、この記憶層１７を挟むように設けられた、絶縁層（第１の中間層）１６及び絶縁層（第２の中間層）１９と、第１の中間層１６の記憶層１７とは反対側に配置された第１の磁化固定層３１と、第２の中間層１９の記憶層１７とは反対側に配置された第２の磁化固定層３２と、第２の中間層１９と記憶層１７との間に設けられた非磁性導体層１８とを含み、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、ホール素子に発生するホール電圧Ｖ_Ｈにより検出する。
【解決手段】アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧を増加可能な半導体スピンデバイスを提供する。
【解決手段】半導体層１０の第１領域上に設けられた第１ピンド層１Ｂと、半導体層の第２領域上に設けられた第２ピンド層２Ｂと、半導体層の第３領域上に設けられたフリー層３Ｂと、半導体層の第４領域上に設けられた電極層４とを備えたスピンデバイスあって、第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂの磁化の向きは互いに逆向きであり、半導体層１０と第１及び第２ピンド層１Ｂ，２Ｂとの間には、それぞれ第１及び第２トンネル障壁１Ａ，２Ａが介在し、第１ピンド層１Ｂは、前記第２ピンド層２Ｂよりもフリー層３Ｂから遠く、第１ピンド層１Ｂから半導体層１０に向けて電子を注入し、第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂとの間の半導体層内に電子を流すための電極を第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂにそれぞれ電気的に接続し、電極層４とフリー層３Ｂとの間の電圧を測定する。 （もっと読む）

【課題】スピン素子を使用した弛緩発振器を提供する。
【解決手段】弛緩発振器は、電源を印加する電源部と、該電源部から印加される電源によって駆動されるスピン素子と、該スピン素子に並列に連結されるキャパシタとを含む。スピン素子は、磁場の強さによって可変な可変電圧値を有する。キャパシタは、前記スピン素子が臨界電圧範囲の最小電圧値を有すると放電し、スピン素子が前記臨界電圧範囲の最大電圧値を有すると充電する。従って弛緩発振器は、製作に必要な部品の個数が少なくて回路が単純化され、製造費用と消費電力が少ない。よって弛緩発振器は、広範囲な周波数帯域の調節が可能で活動範囲が広く、磁化反転を使用することによって高出力が可能であるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】比較的に低い温度で結晶格子の規則化を実現することができるホイスラー金属の製造方法を提供する。
【解決手段】ホイスラー金属の製造方法の一具体例は、ホイスラー金属の全ての構成元素を含有する積層体６８を形成する工程と、積層体６８に加熱処理を施す工程とを備える。積層体６８の各層は、ホイスラー金属の構成元素から選択される少なくとも１以上の構成元素で形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、安定化層１１と、非磁性層１３と、安定化層１１と非磁性層１３との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層１２と、非磁性層１３に対してスピン分極層１２とは反対側に設けられた磁性層１４とを含む。安定化層１１は、スピン分極層１２より膜面内方向の格子定数が小さい。スピン分極層１２は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）からなるグループから選ばれる１つ以上の元素を含み、かつＢＣＴ（body-centered tetragonal）構造を有し、かつ膜面に垂直な方向をｃ軸、膜面内方向をａ軸とした場合の格子定数の比ｃ／ａが１．１０以上１．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層１２と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１の磁性層１３と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層１５と、第１の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第２の磁性層１７と、を備え、第１の磁性層は、ＤＯ_２２構造またはＬ１_０構造を有しｃ軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第１の磁性層と第１の非磁性層と第２の磁性層とを貫く双方向電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）