【課題】高密度磁気ディスクの再生ヘッドのセンサ膜と磁性体上部シールドとの間には剥がれ防止のために非磁性密着層が介している。しかし、その層は低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなる。
【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第１の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第２の絶縁膜上に形成される第３の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００Ａは、チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた上部内側磁化固定層１８Ａと、チャンネル層５を間に挟んで上部内側磁化固定層１８Ａと対向する下部内側磁化固定層１２と、を備え、上部内側磁化固定層１８Ａ及び下部内側磁化固定層１２の磁化の向きが互いに平行または反平行となるように固定されている。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、を備え、チャンネル層５と対向する面における磁化固定層７の断面積が、チャンネル層５と対向する面における磁化自由層６の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気センサー。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第１磁性層１０と、反転可能な磁化方向を有する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に形成される非磁性層２０と、第２磁性層３０との磁性結合により第２磁性層３０の磁化方向を第２磁性層３０の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第３磁性層４０と、第２磁性層３０と第３磁性層４０との間に形成され、第２磁性層３０と第３磁性層４０が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなくトンネルバリア層の低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイスを提供すること。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgZnO層（Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下）からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されている。 （もっと読む）

【課題】記録密度の増大にともない、ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡの低減が必要になっている。ＲＡを1.0Ωμm²以下に小さくすると、固定層から自由層にはたらく層間結合磁界Hintが増大し、自由層の自由な磁化回転が妨げられ、再生信号に悪影響を与える。本発明は、センサの面積抵抗ＲＡが小さくなっても、小さな層間結合磁界Hintと高いＭＲ変化率のＴＭＲヘッドを提供する。
【解決手段】Ｔａ下地層上に、ＮｉＦｅ結晶配向調整層をアルゴンと窒素ガスを用いたスパッタリングを用いて（００１）面配向して成膜する。その上にＭｎＩｒ反強磁性層を成膜すると非最稠密面（００１）面配向して結晶成長する。非最稠密面配向したＭｎＩｒは、表面凹凸が顕著に低減する。その上に積層される固定層および絶縁障壁層の界面の凹凸も同様に低減する。これによって層間結合磁界Hintが低減する。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気ヘッド並びに磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgO/ZnO/Mgの三層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】高いバリア品質と高いＭＲ比を両立させることを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、絶縁層１７と非磁性層１９との間に、自由磁性層１８を備える磁気抵抗効果素子であって、絶縁層１７は、岩塩型結晶構造を有する金属酸化物を用いて形成され、自由磁性層１８は、構成元素の一つにホウ素を含む材料を用いて形成され、非磁性層１９は、タンタルと比較して、自由磁性層１８中のホウ素が相対的に拡散し易い材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】ＲＡ値を低く抑えつつ、ＭＲ比およびＢＤＶの向上と、Ｈｉｎの低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 （もっと読む）

【課題】大容量磁気記録再生において必須の、微小な再生ヘッドの大量生産に対応できる、特性のばらつきの小さい単一の電流パスを有する電流狭窄層を備えた垂直通電型ＧＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ピン層１４上に中間層１５を成膜し、中間層１５上に保護層１６を成膜し、ピン層１４、中間層１５および保護層１６からなる多層膜をリソグラフィーによってパターニングし、パターニングされた多層膜を被覆するように絶縁膜を形成し、前記パターニングした多層膜を被覆している絶縁体２４を取り除いて開口部を設け、開口部に上方から希ガスのイオンビーム２６を照射することによって絶縁体２４の内周縁から開口部の中心部に向けてメンブラン２４ｂを成長させ、保護層１６に貫通孔を設け、貫通孔に前記中間層１５と同一材料を充填する。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の厚さを薄くした場合であっても、所要のMR比が得られるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法、トンネル磁気抵抗効果膜、及びこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層と、該トンネルバリア層を挟む配置に設けられた磁化固定層と磁化自由層とを備えるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法において、前記トンネルバリア層を形成する工程として、ダイレクトスパッタリング法によりMgO層を形成する工程と、該MgO層を形成した後、大気開放することなく真空中においてMgO層を加熱する熱処理工程と、該熱処理工程後、前記MgO層上に、Mg層を２Å以下の膜厚に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】化学量論における構成比が最適で、かつ結晶性の高いトンネルバリア層を作成し、磁気抵抗素子のＭＲ比を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】磁化固定層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程と、非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程と、磁化自由層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程とを有する。非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程は、酸化マグネシウムターゲットを０．０４００Ｐａ以上２６．６６Ｐａ以下の処理ガス圧力下で高周波スパッタすることにより、化学論量の酸化マグネシウム膜を成膜する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１及び第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、クリプトンイオン、クリプトンプラズマ、クリプトンラジカル、キセノンイオン、キセノンプラズマ及びキセノンラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、第１処理が施された膜に、水素分子、水素原子、水素イオン、水素プラズマ、水素ラジカル、重水素分子、重水素原子、重水素イオン、重水素プラズマ及び重水素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶性を有し磁化方向が変化可能な第１自由磁化層と、前記第１自由磁化層上に設けられ、磁化方向が変化可能であるとともに前記第１自由磁化層と強磁性交換結合する第２自由磁化層と、前記第２自由磁化層上に設けられ、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有するトンネルバリア層と、前記第１自由磁化層と前記第２自由磁化層との間に設けられ、前記第１自由磁化層が前記トンネルバリア層の結晶配向性に及ぼす影響を抑制する緩和層と、前記トンネルバリア層上に設けられ、磁化方向が固定可能な固定磁化層とを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】小さい径の磁気微小接合点を高純度で形成し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層上に金属層を形成し、前記金属層を酸化して、未酸化の金属が残存した酸化物層と、前記酸化物層の膜厚方向に侵入した前記第１の強磁性層の構成元素の少なくとも一部を含む磁性導電カラムとを形成し、前記酸化物層を形成するときの温度よりも高い温度で加熱して、前記磁性導電カラムの外周の少なくとも一部を変換して、前記酸化物層の構成元素の少なくとも一部と前記磁性導電カラムの構成元素の少なくとも一部を含む磁性酸化物を形成し、第２の強磁性層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）