【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】基板、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ及びＲｅのいずれか１つの金属からなる金属層、並びに該金属の酸化物からなる導電性酸化物層、を有する磁気抵抗効果素子とする。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁界検出素子において、スピントルク効果を抑えると共に、高い磁気抵抗効果の実現とシールド間ギャップの低減を図る。
【解決手段】磁界検出素子は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１、第２、第３の磁性層６，８，１０であって、第２の磁性層８が第１の磁性層６と第３の磁性層１０との中間に位置する第１、第２、第３の磁性層と、第１及び第２の磁性層の間に挟まれ、第１及び第２の磁性層の間で磁気抵抗効果を生じさせる第１の非磁性中間層７と、第２及び第３の磁性層の間に挟まれ、無磁場中で第２の磁性層と第３の磁性層とを磁化方向が互いに反平行の向きとなるように交換結合させる第２の非磁性中間層９と、を有し、センス電流が膜面直交方向に流れるようにされた積層体２と、積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、積層体に記録媒体対向面Ｓと直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁性層１４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはＴＭＲ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層または酸化物層、磁化自由層の順番で膜して積層したボトムタイプのスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはＴＭＲ膜の製造方法において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】銅フィラメントの酸素汚染が少ないＣＣＰ層の形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】 基板上に形成した銅層１１の上に、Ａｌ，Ｍｇ，ＡｌＭｇ等の窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する。次に、銅層１１を１５０°Ｃ以上に保って銅層１１が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。これにより、窒化性材料が窒化されて絶縁層としての窒化物領域１３が形成されると共に、この窒化物領域１３によって囲まれるようにして銅が分結した導電パス（銅フィラメント１２）が複数形成される。この銅フィラメント１２は、銅層１１から窒化物領域１３を膜厚方向に貫通してその上面に達する。こうして、窒化物領域１３および銅フィラメント１２を含むＣＣＰ層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低抵抗化とMR比の向上とを同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、ソース・ドレイン部に、少なくとも半導体基板１１／トンネルバリア１２／低仕事関数材料１３／強磁性体１４からなる積層構造を有し、低仕事関数材料１３は、未酸化のＭｇ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃのうちの１つ、又は、その１つを原子数比で５０％以上含む合金から構成される。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。
【解決手段】スピントランジスタ１０は、基板上に設けられ、かつ磁化方向が固定された第１の強磁性層１４と、基板上に第１の強磁性層１４から第１の方向に離間して設けられ、かつ磁化方向が可変の第２の強磁性層１５と、第１の方向に延在するように基板上に設けられ、かつ第１の強磁性層１４及び第２の強磁性層１５に挟まれた複数のフィン１２と、複数のフィン１２にそれぞれ設けられた複数のチャネル領域１３と、複数のチャネル領域１３上に設けられたゲート電極１９とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の表面領域には不純物拡散層３２が形成され、不純物拡散層３２上には、（００１）配向したＭｇＯ層３３が形成されている。さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子が得られる磁性多層膜形成装置を提供する。
【解決手段】アモルファスの強磁性体層を成膜する第１の成膜チャンバ２７Ａと、反強磁性体層を成膜する第２の成膜チャンバ２７Ｂと、成膜層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を成膜する第３の成膜チャンバ２７Ｃとが、それぞれゲートバルブ３０，３０，３０を介して搬送チャンバ２２に接続配置され、該搬送チャンバ２２内に、基板を第１〜第３チャンバ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃへ移動させるロボット搬送装置を備えた磁性多層膜製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】高出力で高感度な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備え、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Ｃｏ及び／又はＦｅを構成成分として含みＭｇをさらに含むＣｏＦｅＭｇ合金膜で構成され、当該ＣｏＦｅＭｇ合金膜は、（Ｃｏ_ｘＦｅ_100-ｘ）Ｍｇ_ｙ（ここで０≦ｘ≦１００，０<ｙ<３０ａｔ％）の組成範囲の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層、第２の強磁性層、該第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に位置するバリア層、及び前記第１の強磁性層の側に位置する基板を含み、前記バリア層は、前記第１の強磁性層との界面から前記第２の強磁性層との界面まで、層の厚さ方向において、（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有し、前記第１の強磁性層は、ＣｏＦｅＢを含有する磁気抵抗効果素子とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。第２の領域４２は、第１の領域４１と第３の領域４３に挟まれている。第１の領域４１および第３の領域４３は酸化物半導体によって構成され、第２の領域４２は、非磁性導体相と酸化物半導体相のうち少なくとも非磁性導体相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極率に優れた磁気トンネル接合素子を備えたＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ₇₅ Ｆｅ₂₅ からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ₆₀ Ｆｅ₂₀ Ｂ₂₀ 層とＣｏ₇₅ Ｆｅ₂₅ 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。第１強磁性層５の上面は、プラズマ処理によって形成された平滑面である。フリー層７は、鉄からなる一対の結晶質層の間にＣｏ₆₀ Ｆｅ₂₀ Ｂ₂₀ からなる非晶質層が挿入された３層構造である。これにより、ギルバート減衰定数が極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子における出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。得られた特性等は第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。 （もっと読む）