【課題】低保持力（Ｈｃ＜５×１０³ ／（４π）Ａ／ｍ）、低磁歪（λｓ＜５×１０^-6）および高ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ≧１０％）が得られる磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ磁気再生ヘッドに適用されるスピンバルブ構造体１のフリー層２７が、組成Ｃｏ_v Ｆｅ_(100-v) （ｖ＝２０原子％〜７０原子％）で表される高Ｆｅ含有量の下部ＦｅＣｏ層２５と、組成Ｎｉ_w Ｆｅ_(100-w) （ｗ＝８５原子％〜１００原子％）で表される高Ｎｉ含有量の上部ＮｉＦｅ層２６とを含んでいる。ｖ＝２０原子％未満およびｗ＝８５原子％未満である場合と比較して、保持力が低く維持されたまま、磁歪が低くなると共に、ＭＲ比が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 熱電冷却構造を組み込むことで電流キャリー能力の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子を備えた磁気再生ヘッドおよびその製造方法、ならびに特定層の効果的冷却が可能な冷却方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層２７からフリー層２６および非磁性スペーサ層２５における上側の導電層２５ｂに至る層には負の熱電ポテンシャル材料を用いる一方、非磁性スペーサ層２５における下側の導電層２５ａからピンド層２４、反強磁性層２２およびシード層（図示せず）に至る層には、正の熱電ポテンシャル材料を用い、上部導電リード層Ｓ２から、キャップ層２７、フリー層２６および非磁性スペーサ層２５を通ってピンド層２４、反強磁性層２２および下部導電リード層Ｓ１へと電流を流す。熱電冷却効果が発現し、電流による発熱の大部分を担う非磁性スペーサ層２５が局所的に冷却される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の非対称性問題を解決する。
【解決手段】磁気抵抗センサの自由層を安定させるスタック内バイアスが提供される。より具体的には、自由層の上に提供された安定化層が傾斜した磁化を有する。この傾斜によって、自由層とピン層の間の中間層結合が減少し、従来技術のヒステリシス問題と非対称性問題が実質的に解消される。さらに、アニール温度差と磁界方向を使用するアニール方法を含む、スタック内バイアスの安定化層を傾斜させる方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の磁気抵抗比に直接依存することなく、論理状態の読み取りマージンを増大させる。
【解決手段】メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。ＭＲ素子104は、電極層52〜57間に挟まれた磁気トンネル効果結合を有する。一つの電極層57に接続する入力ノード118は、基準トランジスタ106のドレインまたはソースと、増幅トランジスタ108のゲートに接続される。増幅トランジスタ106のドレインは、導電プログラム線114を通して感知増幅器116に接続される。メモリセル102は、ＭＲ素子104を流れる電流を使用して、増幅トランジスタ108のゲート・ソース間電圧を制御し、増幅トランジスタ108の電圧降下（電流損失）により、メモリセル102の記憶状態を感知する。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）

本発明は、微孔性またはメソ細孔性マトリックスおよび金属または金属酸化物ナノ粒子からなる複合材料に関する。該材料は、マトリックス材料が、不規則的、または規則的であり、任意に配向しており、ならびに、ナノ粒子が、i)マトリックス材料が、規則的であり、任意に配向している場合、サイズにおいて単分散であり、ii)または前記マトリックス材料が、不規則的である場合、サイズにおいて単分散であるか、またはマトリックス材料の空隙率のサイズと同一のサイズであることを特徴とする。該材料を調製するための方法は、微孔性またはメソ細孔性固体材料にナノ粒子前駆体溶液を含浸させ、次いでマトリックスを形成する材料内で前駆体を還元する工程を含む。含浸は、飽和蒸気圧下および前駆体溶液の還流下で行い、還元は、放射線分解法によって行う。
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本発明は、第１強磁性層、非磁性層、及び第２強磁性層から構成される多重積層部と、前記第１強磁性層の上部に形成される上部電極と、前記第２強磁性層の下部に形成される反強磁性層と、前記反強磁性層の下部に形成される下部電極とを含み、前記第２強磁性層の内部にはナノ酸化物層が挿入されていることを特徴とする電流印加磁気抵抗素子を提供する。前記下部電極は前記第２強磁性層の少なくとも一部に接触することが好ましい。本発明による電流印加磁気抵抗素子は、磁化反転のための臨界電流値が低くて向上した磁気抵抗特性を有する。
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磁気データを有する磁気作用シート製品から磁気データを読み取る方法。製品は一対の薄層状外部シート（131、132）と、これらの間で結合母材内に磁気作用可能な粒子を含む磁気層（130）を備える。データを読み取るために、薄膜の磁気抵抗センサを用いるが、センサの長軸に対して横切る方向にセンサの形状異方性を高める。
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本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタに関し、基板、エミッタ、ベース、コレクタ、第１トンネルバリア層および第２トンネルバリア層とを備え、第１トンネルバリア層が、エミッタとベースの間に設けられ、第２トンネルバリア層が、ベースとコレクターの間に設けられ、かつエミッタとベース間及びベースとコレクタ間に形成されたトンネル接合の接合面積が１〜１００００μｍ^２であり、前記ベースの厚さが当該層材料の電子平均自由行程に匹敵し、前記エミッタ、ベースおよびコレクタの中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由である。ダブルバリア構造を採用するため、ベースとコレクタの間に発生したショットキーバリアを克服している。ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
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本発明は、トンネル障壁層を有する磁気トンネル接合部であって、スピン感度を持つ希薄磁性半導体を含む磁気トンネル接合部を提供する。本発明に係る磁気トンネル接合部は、下部電極と結合される下部導線を含む。下部電極は、希薄磁性半導体に結合される。希薄磁性半導体は、上部導線と結合される上部電極へ結合される。前記下部電極は、非磁性体である。本発明は、更に、本発明に係るトンネル接合部を利用した、様々な構成部品やコンピュータを提供する。
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単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１０）は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）において有用なものであるが、合成反強磁性体（ＳＡＦ）構造である自由層（１４）を有している。このＳＡＦ（１４）は、カップリング層（２８）によって分離される２つの強磁性層（２６，３０）から構成される。カップリング層（２８）は、非磁性のベース材料と、さらにはＳＡＦ（１４）の耐熱性、カップリング強度の制御性、および磁気抵抗比（ＭＲ）を改善する別の材料も有している。好ましいベース材料はルテニウムであり、好ましい別の材料はタンタルである。これらの利点を高めるために、タンタルと強磁性層のうちの１つとの間の界面にコバルト鉄が加えられる。また、カップリング層（２８）はより多く層をさらに（３８，４０）有してもよく、使用される材料は種々に異なり得る。また、カップリング層（２８）は、それ自体が合金であってもよい。
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