【課題】半導体集積回路の内蔵メモリとしてのＭＲＡＭへの不正アクセスに対する保護を改善すること。
【解決手段】半導体集積回路(１０)は、プロセッサ(１)と不揮発性メモリ(３)とを具備する。不揮発性メモリ(３)は、複数の磁気ランダムアクセスメモリセルと、複数の磁気リードオンリーメモリセルとを含む。複数の磁気ランダムアクセスメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが可能とされ、複数の磁気リードオンリーメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが不可能とされる。不揮発性メモリ(３)と接続された感知回路(２)は、不揮発性メモリ(３)の不正アクセスによる複数の磁気リードオンリーメモリセルの状態遷移を感知する。状態遷移に応答して、感知回路(２)は不正アクセスの検出結果をプロセッサ(１)に通知する。 （もっと読む）

【課題】熱を入力として熱を出力とする論理演算素子を提供する。
【解決手段】熱論理演算素子として、スピン軌道相互作用を用いて熱電変換を行う少なくとも２つの熱電変換素子と、構成する論理ゲートに対応させて個々の熱電変換素子の起電力取出し領域を少なくとも抵抗発熱体を介して接続した伝導路とを有して、その少なくとも２つの熱電変換素子の各々への熱入力を入力とすると共に、伝導路の抵抗発熱体から得られる熱を出力として、論理ゲートとして動作させる。 （もっと読む）

【課題】半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離を、より長くできるようにする。
【解決手段】半導体からなるチャネル層１０１と、スピン偏極キャリア生成部１０２と、表面弾性波発生部１０３と、スピン軌道相互作用調整部１０４とを備える。スピン偏極キャリア生成部１０２は、チャネル層１０１のキャリア生成箇所にスピン偏極キャリアを生成する。表面弾性波発生部１０３は、キャリア生成箇所を通過する表面弾性波１３１をチャネル層１０１の上に発生させる。スピン軌道相互作用調整部１０４は、チャネル層１０１内の伝導帯電子に働く異なる２つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させる。 （もっと読む）

【課題】不要な磁束から磁気抵抗素子を保護し、磁気読出しを高めることが可能な磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気素子１９０は、少なくとも１つの横側方シールド２０６によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体１９２を有し、少なくとも１つの横側方シールドは、第１および第２の強磁性層２１０、２１２の間に配置される遷移金属層２０８を有する。 （もっと読む）

【課題】大きなスピン偏極電流を得る。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に単結晶のＭｇＯ層が成長し、格子整合している。更にこの上に強磁性金属層が形成されている。Ｓｉ単結晶基板の（１００）面上に形成されたＭｇＯ層の成長面は（１００）面である。ここで、Ｓｉ単結晶基板とＭｇＯ層の界面において、Ｓｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。図２（ａ）はＳｉ（１００）面、（ｂ）はＭｇＯ（１００）面、（ｃ）はこれらの２つの面が格子整合した状態を示す。Ｓｉ（１００）面（ａ）はＳｉ原子１１１だけで構成され、ＭｇＯ（１００）面（ｂ）はＭｇ原子１２１と酸素（Ｏ）原子１２２で構成される。ここでは、Ｓｉ（１００）面上においてＭｇＯ（１００）面が成長し、図２（ｃ）に示されるように、界面においてＳｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 （もっと読む）

【課題】従来物質固有の特性として取り扱われてきたスピン偏極率を制御する手法とその素子構造を提案し、従来にない新しい機能性デバイスの基本要素技術を提供する。
【解決手段】強誘電体（Ａ）層上に、該強誘電体（Ａ）と格子不整合率が８％以下である強磁性体（Ｂ）層をヘテロ接合してなり、該強誘電体（Ａ）に電圧を印加させて、強誘電体（Ａ）と強磁性体（Ｂ）の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体（Ｂ）のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する第１端面及び第２端面を有し、電子と正孔とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、正常及び異常ホール係数が共にゼロである強磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面にオーミック接続し、電子をスピン流生成領域３０に注入する第１主電極２０と、第２端面にオーミック接続し、正孔をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。第１端面に垂直な面に直交する方向の外部磁場にもとづく正常ホール効果に、磁場誘起磁化もしくは自発磁化にもとづく異常ホール効果が加わることによって、電子と正孔とを同一方向に輸送されるように偏向して、電子と正孔の電荷を互いに相殺し、スピン流生成領域３０における異常ホール効果によってスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする
【解決手段】第３半導体層１０５の上に形成されて第２半導体層１０４に電界を印加する電界印加電極１０６と、基板１０１の平面方向に電界印加電極１０６を挟んで配置されて第２半導体層１０４に接続する第１オーミック電極１０７および第２オーミック電極１０８とを備える。また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】 三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。
【解決手段】 第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、電子や正孔のスピンの向きを制御できるようにする。
【解決手段】半導体より構成されたキャリアを閉じ込める閉じ込め部１０１、および閉じ込め部１０１よりエネルギーギャップの大きい材料から構成された障壁部１０２から構成された閉じ込め構造１０３を備える。また、閉じ込め構造１０３に、障壁部１０２を構成する材料のエネルギーギャップより大きなエネルギーの光を照射する第１光照射部１０４と、閉じ込め構造１０３に、閉じ込め部１０１を構成する半導体のエネルギーギャップより大きく、障壁部１０２を構成する材料のエネルギーギャップより小さなエネルギーで、右回りおよび左回りの中より選択された円偏光の光を照射する第２光照射部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。
【解決手段】本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。本発明によれば、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。よって、強磁性金属膜から強磁性半導体膜への効率的なスピン注入が可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来のスピン注入構造において、ＭｇＯはＳｉ上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなるチャンネル層７と、チャンネル層７上に形成された強磁性体からなる磁化固定層１２Ｂと、チャンネル層７と磁化固定層１２Ｂとの間に介在する第１トンネル障壁８Ｂとを備えている。さらに、第１トンネル障壁８Ｂは、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｂ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。第２トンネル障壁８Ｃも同様に、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｃ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の信頼性の向上と素子の微細化を両立する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、下部電極２０上に設けられる第１の強磁性層１１と、強磁性層１１上に設けられるトンネルバリア層１２と、トンネルバリア層１２上に設けられる第２の強磁性層１３と、強磁性層１３上に設けられる上部電極２１と、具備し、上部電極２１は六角形状の断面形状を有し、上部電極２１の最大寸法Ｗａが、トンネルバリア層１２の寸法Ｗｃよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果率の測定方法は、固定磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最大値を得るステップと、自由磁性層の磁化方向に対して１８０°より大きく２７０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して０°より大きく９０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最小値を得るステップと、抵抗最大値と抵抗最小値とから磁気抵抗効果率を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜空間に生成するプラズマに起因した薄膜へのダメージを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】スパッタガスが供給された真空槽で基板Ｓを該基板Ｓの周方向に回転させながらターゲット２０に高周波電力を供給することによりターゲット表面２０Ｓをスパッタして基板Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、ターゲット表面２０Ｓにおけるエロージョン領域がターゲット表面２０Ｓの法線に投影された領域である基板表面の投影領域ＳＰを覆うかたちで基板Ｓとターゲット２０との間に配置されて投影領域ＳＰに対してプラズマの入射を抑制する遮蔽リング３０を備えた。 （もっと読む）

磁気トンネル接合セルおよび磁気トンネル接合セルを製造する方法であって、セルの強磁性自由層（１１２）に少なくとも隣接して延在する円筒状の保護層（１２０）を含む。円筒状の保護層は、その厚さ、形成方法、材料組成および／またはセル層に沿った度合いが特定的に選択されて、実効飽和保磁力、実効磁気異方性、実効的な磁気モーメントの分布、または実効スピン偏極を含む、自由層の実効磁気特性を向上させる。
（もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクを低減し、比較的小さいＭＲ比でも十分な再生出力を出力することが可能な新規な磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する強磁性金属層を含む複合スペーサ層を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の厚さ方向に沿った上面及び下面に設けられた一対の電極層とを具え、前記一対の電極層を介し、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層から前記磁化自由層へ向けてセンス電流を流すようにして、磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】高スピン偏極電流を効率的に注入することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に設けられ、第１ホイスラー合金層２４と、第１ホイスラー合金層上に設けられた第１非磁性層２６と、を含む強磁性積層膜２０と、を備え、強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭに効果の高い磁気シールド手段を提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。磁気ランダムアクセスメモリ素子部は、磁化が固定された磁化固定層と磁化が反転可能な磁化自由層とを備える複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子と、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子の各々と下部配線層とを接続する下部接続部と、複数のランダムアクセスメモリ素子の各々と上部配線層とを接続する上部接続部とを備える。第１高さにおいて、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子はそれぞれ複数の孔の内部に配置される。磁気シールド層がメモリ素子の近くに配置されるため、高い磁気シールド効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】検出対象が動作していないシステムスタート時でも確実に故障診断を行なうことができる磁気センサデバイスを提供する。
【解決手段】印加される磁界の方向に応じて抵抗値が変化する複数のＭＲ素子をブリッジ状に接続し、抵抗値の変化に応じた検出信号を出力する検出回路１０と、検出信号を増幅して出力する増幅回路２０と、増幅回路２０の入力端子に外部から所定の電圧を印加し、増幅回路２０の出力を検出することにより正常に動作していることを診断するダイアグ端子を備えたダイアグ回路とを有する構成とする。ダイアグ端子（ＤＩＡＧ１、ＤＩＡＧ２）へ所定の電圧印加を行なうことで、磁気センサデバイス１の出力信号Ｖout1、Ｖout２に基づいて故障しているかどうかの判断を行なう。 （もっと読む）