【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】被実装部材上に回路チップと隣接して搭載される磁気センサにおいて、回路チップとパッドとを電気的に接続するワイヤ同士の接触を抑制することができる磁気センサを提供する。
【解決手段】複数のパッド３１〜３６を一辺１０ａと垂直方向において互いに完全にオフセットした状態で配置する。これによれば、被実装部材上に磁気センサの一辺１０ａを回路チップと隣接して搭載し、パッド３１〜３６と回路チップとをワイヤで接続した際に、ワイヤ同士が接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】マルチ軸センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面１１４を有する第１のダイ１０２を製作するステップと、第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面１１５、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイ１０４の側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイを製造するステップと、第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、複数の電気的接続１１９と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】磁界検出感度に優れた磁気センサ、及び磁気センサ用パターンを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、パターン２２の抵抗変化率が大きくなる第１領域２１ｄ、及び抵抗変化率が第１領域２１ｄよりも小さくなる第２領域２１ｅを有する矩形のパターン形成領域２１を備える。パターン２２は、矩形の二辺２１ａ、２１ａに対して所定の傾斜角θをもって平行に配置された複数の直線部分２２ａ、及び隣接する直線部分２２ａの長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分２２ｂを有する。パターン２２は、第１領域２１ｄと、第２領域２１ｅの一部とにわたって設けられており、第２領域２１ｅの一部には、抵抗変化率が低下しない程度にパターン２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。
【解決手段】筐体の中空部を搬送される被検知物の一方の面に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置し前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記第１の磁石の磁極の反転部に第１の間隙を備えた第１のヨークと、前記第２の磁石の磁極の反転部に前記第１の間隙より長い第２の間隙を備えた第２のヨークと、前記被検知物と前記第１のヨークとの間の前記勾配磁界の弱磁界強度領域に設けられ、前記勾配磁界の強磁界強度領域を搬送される前記被検知物による磁界変化を検知する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で電気配線に流れる電流を広い電流レンジで検知する電流センサを提供する。
【解決手段】測定対象Ａに接続される電気配線ｗａ，ｗｂ１，ｗｃ１と、抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性を有し、それぞれが前記電気配線から異なる距離ｄ１，ｄ２，ｄ３で離間して配置される磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃそれぞれにセンス電流を流すセンス電流部１２と、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにおけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、前記電流配線に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する検知手段１３と、を備え、検知手段１３は、前記電流配線に流れる電流について磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃごとに異なる規定値への到達を検知する。 （もっと読む）

【課題】磁界プローブ、磁界測定装置、及び磁界測定方法において、磁界プローブの小型化を図ること。
【解決手段】測定対象Ｓに近接する先端部２ａを備えたベース２と、先端部２ａに設けられた磁気抵抗素子８と、磁気抵抗素子８の横の前記ベース２に設けられ、磁気抵抗素子８に印加する第１のバイアス磁界H₁を発生させる第１の磁界発生部３と、ベース２に設けられ、第１のバイアス磁界H₁とは異なる向きの第２のバイアス磁界H₂を発生させて、磁気抵抗素子８に前記第２のバイアス磁界H₂を印加する第２の磁界発生部４とを有し、第１のバイアス磁界H₁の向きを切り替えることにより、第１のバイアス磁界H₁と第２のバイアス磁界H₂とを合成した合成バイアス磁界H_sの向きが、ベース２の先端方向D_tから９０°変化する磁界プローブによる。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増大させることなく電流検出精度を向上することができる半導体装置を得る。
【解決手段】半導体素子１はエミッタ電極７を有する。引き出し線１０は、エミッタ電極７に電気的に接続され、エミッタ電極７の上方を通ってサイドに引き出される。電流センサー１１は、磁気抵抗素子１２を有し、引き出し線１０に流れる電流を検出する。磁気抵抗素子１２は、エミッタ電極７上、かつ引き出し線１０の下方に配置されている。磁気抵抗素子１２の抵抗値は、電流により発生した磁界に対してリニアに変化する。 （もっと読む）

【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態において、感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 被検知物が搬送される搬送路に平行に第１の磁石と第２の磁石とは磁極の異極同士が対向配置され、前記搬送路における搬送方向の磁界強度と第１の磁石と第２の磁石の対向方向における強度変化が零点を含んだ勾配磁界を形成し、前記搬送路と前記第１の磁石との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を包囲し樹脂で覆った多層基板を備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物は前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する。 （もっと読む）

【課題】データ変換ヘッドにおける読取センサとして、または固体不揮発性メモリ素子などとして使用するための、磁気状態の変化を検出可能な磁気素子を提供する。
【解決手段】さまざまな実施例によれば、磁気素子は、第１の面積範囲を有する磁気応答性スタックまたは積層を含む。スタックは、第１および第２の強磁性フリー層間に位置付けられたスペーサ層を含む。少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブが、第１のフリー層に、スペーサ層とは反対側のその表面上で接続されており、ＡＦＭタブは、第１の面積範囲よりも小さい第２の面積範囲を有する。 （もっと読む）

【課題】 一様な外乱磁界の影響を除去しつつ、磁気アイソレータの小型化を図る。
【解決手段】 設置基板１上に設けられた第１の絶縁層２及び第２の絶縁層４と、第１の絶縁層２上に配置された第１の磁気抵抗効果素子３ａ、第２の磁気抵抗効果素子３ｂ、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄと、第２の絶縁層２上に配置され、各磁気抵抗効果素子に対向して設けられた信号入力導体５ａと、信号入力折返し導体５ｂとを信号入力接続線５ｃを介してミアンダライン状に接続されるよう構成された信号入力線５とを備え、信号入力線５に信号電流が通電されることにより第１の磁気抵抗効果素子３ａ及び第２の磁気抵抗効果素子３ｂに印加される磁界の方向と、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄに印加される磁界の方向とが、互いに逆方向となるように信号入力線５が構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】減少された大きさ、改善された精度、および／または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、前記磁気センサ１０は、基板１１に支持された第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを有し、前記第１センサ素子１２と前記第２センサ素子１３とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部２０の中心と第２磁気検知部２１の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板１１に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＭＲ効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１１上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子１００〜１０７と、磁気抵抗素子１００〜１０７の最小抵抗値と同値の抵抗Ｒ０と、磁気抵抗素子１００〜１０７からなる回路Ｒ１と抵抗Ｒ０とから構成されるブリッジ回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化することなく、ＭＲ素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにする。
【解決手段】磁気抵抗薄膜２２の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Ｍｘの強度を評価する磁界強度センサ１０であって、基板２１に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具３０とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】 回転角度の検出精度を高めながら小型化することができる回転センサを実現する。
【解決手段】 磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が各磁気抵抗素子の出力信号間に位相差が出るように配置された磁気抵抗素子領域Ｅ１と、ホール素子Ｈ１，Ｈ２が各ホール素子の出力信号間に位相差が出るように配置されたホール素子領域Ｅ２とを有し、かつ、磁気抵抗素子領域およびホール素子領域の少なくとも一部同士が重ねられたセンサチップ５と、各ホール素子の各出力レベルと閾値レベルとの比較結果を出す比較部５３と、各磁気抵抗素子の各出力信号を用いて相対回転角度θに対応する演算角度φを演算する角度演算部６０と、その演算された角度と閾値角度とを比較し、その比較結果と比較部５３の比較結果とを用い、相対回転角度に対応する信号を出力する出力部７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生部の相対回転角度の演算時間を短縮することができる回転センサを実現する。
【解決手段】角度演算部６０はＡＭＲセンサＭ１，Ｍ２から出力される信号を用い永久磁石２に対する相対回転角度θと演算により求めた演算角度φとの偏差が所定値に収束するようにフィードバック制御を行って相対回転角度θを演算する。初期値決定部５３はホール素子Ｈ１，Ｈ２から出力された各検出信号の各信号レベルと閾値との各比較結果を用い相対回転角度θの初期値θ０が含まれる角度範囲を判定し、その判定した角度範囲の中で発生し得る相対回転角度の初期値と前記演算角度の初期値との差の絶対値が９０°未満となるように演算角度の初期値を決定する。初期値決定部は永久磁石２が相対回転を開始する前にのみ演算角度φの初期値φ０を決定し角度演算部６０はその決定された演算角度φの初期値φ０を用いてフィードバック制御を開始し、相対回転角度θを演算する。 （もっと読む）