【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサーは、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ２と、チャンネル７と磁気シールドＳ２との間に設けられた絶縁膜７ｂと、を備え、磁気シールドＳ２は、チャンネル７に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１つのトランジスタで論理機能の実現しかつ論理機能の切り替えが可能、または、１つのトランジスタで、メモリ機能と、増幅機能またはスイッチング機能と、を兼ね備えることが可能なトランジスタおよび電子回路を提供すること。
【解決手段】強磁性体を含む井戸層２０と、前記井戸層を挟みキャリアに対し障壁となる一対の障壁層１８、２２と、を含み、前記井戸層に低い準位と高い準位とにスピン分離した共鳴準位が形成される共鳴トンネル層２５と、前記共鳴トンネル層にスピン偏極したキャリアを注入するエミッタ層２４と、前記共鳴トンネル層の前記エミッタと反対側に設けられ、前記エミッタ層と前記井戸層との間に電位差を生じさせるための電圧が印加されるベース層１６と、前記ベース層の前記共鳴トンネル層と反対側に設けられ、共鳴トンネル層を通過したキャリアを受けるコレクタ層１２と、を具備するトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 対向する第１端面及び第２端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域３０に注入する強磁性体からなる第１主電極２０と、第２端面に設けられ、電子をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】大規模な装置を用いることなく、電流として流れない状態にスピン偏極キャリアが生成できるようにする。
【解決手段】半導体チャネル領域１０１と、半導体チャネル領域１０１にキャリアを生成させるキャリア生成部１０２と、半導体チャネル領域１０１に磁場強度が変化している磁場勾配を形成する磁場勾配印加部１０３とを備える。キャリア生成部１０２は、例えば、半導体チャネル領域１０１に導入した不純物である。半導体チャネル領域１０１の端部に、スピンの方向が確率的に一方に偏っている状態であるスピン偏極したキャリア（スピン偏極キャリア）を生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】外部磁場を用いることなく、電子スピン共鳴を生じさせること。
【解決手段】本発明は、半導体からなり、電子の走行方向に対し交差する方向に第１のスピン軌道相互作用に起因した一定の第１有効磁場が生じるチャネル１８と、前記チャネル内に前記第１有効磁場に起因して生じた前記電子のスピン分離エネルギに対応する周波数の交流電界を生じさせることにより、前記チャネル内に前記電子の走行方向および前記第１有効磁場の方向に交差する方向に第２スピン軌道相互作用に起因した交流の第２有効磁場を発生させる電極２４と、を具備する電子スピン共鳴生成装置である。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられ、第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に設けられ、第２半導体層１４より大きなバンドギャップを有する第３半導体層１６と、第１半導体層１２と第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、第２半導体層１４と第３半導体層１６との間に形成されたす第２界面３２と、を具備し、第１界面３２の伝導帯の不連続エネルギは第１界面３２の価電子帯の不連続エネルギより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、前記第１半導体層１２上に設けられ、前記第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、前記第１半導体層１２と前記第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、を具備し、前記第１半導体層１２および前記第２半導体層１４の少なくとも一方は４元以上の化合物半導体層であり、前記第１界面の伝導帯の不連続エネルギΔＥｃは前記第１界面の価電子帯の不連続エネルギΔＥｖより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】メモリ機能を有する電子回路またはメモリ素子と集積化可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体からなるチャネルと、前記チャネルにスピン偏極した電子を注入し強磁性体を含むソース２０ａ、２０ｂと、前記チャネルから前記スピン偏極した電子を受け強磁性体を含むドレイン２２ａ、２２ｂと、前記チャネルの電界を共通に変化させるゲート２４ａ、２４ｂと、を各々備える複数のトランジスタ３０ａ、３０ｂを具備し、前記複数のトランジスタの各々チャネルにおける電子の走行方向は、スピン軌道相互作用に起因する有効磁場に交差する方向であり、かつ前記ゲートに共通に印加されるゲート電圧により前記複数のトランジスタの各チャネルにおける電子に加わる有効磁場の大きさが相対的に変化する方向である電子回路である。 （もっと読む）

【課題】
半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。
【解決手段】
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】チャンネル７、第１絶縁層８１、磁化固定層１２Ｂ、第２絶縁層８２、磁化自由層１２Ｃ、第１配線１８、及び、第２配線１９を備え、以下の要件Ａ及び要件Ｂの少なくとも１つを満たすスピン伝導素子１００である。
要件Ａ：第１配線１８が、磁化固定層１２Ｂ上に磁化固定層１２Ｂの厚み方向に延びる縦部１８ｂと、縦部１８ｂにおける磁化固定層１２Ｂ側から離れた部分から、磁化固定層１２Ｂの厚み方向と交差する方向に延びる横部１８ａと、を有する。
要件Ｂ：第２配線１９が、磁化自由層１２Ｃ上に磁化自由層１２Ｃの厚み方向に延びる縦部１９ｂと、縦部１９ｂにおける磁化自由層１２Ｃ側から離れた部分から、磁化自由層１２Ｃの厚み方向と交差する方向に延びる横部１９ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンネル層に電荷が必要以上に蓄積することを抑制し、素子破壊を抑制可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００は、所定方向に延び、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、第１電極２０Ａ、磁化固定層１２Ｂ、磁化自由層１２Ｃ、及び第２電極２０Ｄは、チャンネル７上に所定方向に沿ってこの順に配置され、チャンネル７は、所定方向において、第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄの少なくとも一方よりも外側にまで延在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピンの散乱を抑制しつつ、良好なスピン伝導性及び電気抵抗特性を実現可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００Ａは、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、チャンネル７のうちの第１絶縁層８１との接触面を含む第１領域７１、第２絶縁層８２との接触面を含む第２領域７２、第１電極２０Ａとの対向面を含む第３領域７４、及び第２電極２０Ｄとの対向面を含む第４領域７５のキャリア濃度は、チャンネル７全体の平均のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力電圧を増加可能な半導体スピンデバイスを提供する。
【解決手段】半導体層１０の第１領域上に設けられた第１ピンド層１Ｂと、半導体層の第２領域上に設けられた第２ピンド層２Ｂと、半導体層の第３領域上に設けられたフリー層３Ｂと、半導体層の第４領域上に設けられた電極層４とを備えたスピンデバイスあって、第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂの磁化の向きは互いに逆向きであり、半導体層１０と第１及び第２ピンド層１Ｂ，２Ｂとの間には、それぞれ第１及び第２トンネル障壁１Ａ，２Ａが介在し、第１ピンド層１Ｂは、前記第２ピンド層２Ｂよりもフリー層３Ｂから遠く、第１ピンド層１Ｂから半導体層１０に向けて電子を注入し、第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂとの間の半導体層内に電子を流すための電極を第１ピンド層１Ｂと第２ピンド層２Ｂにそれぞれ電気的に接続し、電極層４とフリー層３Ｂとの間の電圧を測定する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有する磁気ナノトランジスタの製造方法及び製造工程を開示する。即ち、前記ナノチューブを、少なくとも１個の磁性粒子に取り付け、続いて２個の固定磁化電極の間に挟んで設置し、外部磁場をかける。前記外部磁場を用いて、前記ナノチューブを流れる電流を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】感度を犠牲にすることなく製品間の感度のばらつきの低減および長期信頼性の向上を図れる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。ウェル領域８と、素子形成領域３ａのうちウェル領域８とコレクタ領域６との間に介在する部分で構成されるベース領域４の表面側に、ベース領域４中の少数キャリアの再結合中心として働くｎ形の不純物拡散領域からなる再結合領域７を形成してある。ｐ形シリコン層３の表面側には絶縁膜１２を形成してある。再結合領域７がベース領域４と異なる導電形の多結晶半導体膜により構成されていて、再結合領域７とベース領域４とがポテンシャル差を有している。 （もっと読む）

本発明は、渦状態の平面磁気セル（４）のネットワークを含む磁気記憶装置（１）であって、各セルの渦コアが、反対方向でありかつセル（４）面に垂直な第１と第２の平衡位置のいずれかの磁化を有し、２つの位置のそれぞれが２進情報を表す、磁気記憶装置（１）に関する。装置（１）は、セルに格納される２進情報を書き込む手段（５、８ａ、８ｂ、３）であって、各セル（４）の近傍で前記セル（４）面にほぼ垂直な第１のバイアス静磁場と前記セル（４）にほぼ平行な直線偏波無線周波数磁場とを選択的に印加する手段を含む書き込み手段（５、８ａ、８ｂ、３）を含む。説明の装置はまた、点接触（７）により渦コアの周囲の領域を介し電流線を導くことにより、２つの交差する電極（６）と（９）間の選択的輸送測定を使用して、好ましくは共振的に極性を読み取る手段を含む。
（もっと読む）

【課題】磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。
【解決手段】スピン伝導デバイス１００は、チャンネル層と、チャンネル層上に設けられ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び酸化ベリリウムのうちのいずれか一つを含む金属酸化物層８と、金属酸化物層８上に設けられた酸化マグネシウム層９と、酸化マグネシウム層９の第一の部分上に設けられた磁化自由層１２Ｃと、酸化マグネシウム層９の第二の部分上に設けられた磁化固定層１２Ｂと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のスピン注入構造において、ＭｇＯはＳｉ上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなるチャンネル層７と、チャンネル層７上に形成された強磁性体からなる磁化固定層１２Ｂと、チャンネル層７と磁化固定層１２Ｂとの間に介在する第１トンネル障壁８Ｂとを備えている。さらに、第１トンネル障壁８Ｂは、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｂ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。第２トンネル障壁８Ｃも同様に、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｃ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。 （もっと読む）

【課題】小型の磁電変換素子に対する磁束の収束効率を向上させることができる磁気検出装置、及びこれを用いた地磁気センサを提供する。
【解決手段】平板状の基板と、前記基板の一方面からその厚み方向に形成された凹部と、前記凹部内表面に形成された第１の磁性膜と、前記基板の一方面に対向する対向面に形成された第２の磁性膜と、前記第１及び第２の磁性膜の間に形成された磁電変換素子とを有する磁気検出装置であって、前記凹部は、その周壁が前記基板の一方面に対し垂直に形成され、前記凹部の底面部は、前記対向面と対向する平坦部と、前記平坦部から前記周壁部に向かうに従って大径となる傾斜部分とを有し、前記磁電変換素子の感度領域は、前記底面部と前記第２の磁性膜との間に形成した。 （もっと読む）