【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】裏面電極と導通したパッドを破ることなく、複数のバイアホールの検査を短時間で実施できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、該基板の裏面に形成された裏面電極と、該基板を貫通するＮ個（Ｎは２以上の整数）のバイアホール１６のそれぞれを経由して該裏面電極と電気的に接続されるように該基板の表面に形成されたＮ個のパッドと、該Ｎ個のパッドのそれぞれに電気的に接続されたＮ個のエピ抵抗３０とを有する。そして、該Ｎ個のエピ抵抗を介して該Ｎ個のパッドと接続された配線３４と、該配線と接続された検査用パッド３６と、該Ｎ個のパッド、及び該Ｎ個のバイアホールを経由して該裏面電極に電流を流すように該基板の表面に形成された電流印加用パターンと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流が少なく、かつ電流コラプスが抑えられた半導体装置の提供。
【解決手段】第１の態様においては、窒化物系半導体で形成された半導体層１１０と、半導体層上に開口を有して設けられ、タンタル酸窒化物を含む第１絶縁膜１２０と、第１絶縁膜の開口において半導体層上に積層された第２絶縁膜１３０と、第２絶縁膜上に設けられたゲート電極１４０と、を備える半導体装置を提供する。ここで、第２絶縁膜は、第１絶縁膜より絶縁性が高い絶縁膜により構成される。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極間の容量を低減し、スイッチングロスを減らすことができるスイッチング素子、及び該スイッチング素子を搭載した効率が向上した電源装置の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板１上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９を有してなり、ソース電極８及びドレイン電極９の配置方向と直交する方向の層中であって、ソース電極８及びドレイン電極９のいずれか一方のみと接している領域に、ｐ型領域とｎ型領域が接している部分２４であるｐｎ接合を少なくとも１つ有するスイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおける電流コラプスの発生の有無を迅速に判定する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに第１電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第１オン抵抗を算出する第１の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオフ状態にし、前記第１電圧よりも大きい第２電圧を、電界効果トランジスタ１０１のドレインに印加する第２の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに前記第２電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第２オン抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】電流電圧のパルス特性を向上させて電流電圧のＤＣ特性に近づける。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜上に設けられ、ゲート絶縁膜上におけるゲート電極の端部の少なくとも一部においてゲート電極と接するゲート境界膜と、を備え、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜は、同種の絶縁材料を含む半導体装置を提供する。ゲート電極およびゲート境界膜上に設けられた絶縁性の保護膜を更に備え、保護膜は、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜とは別種の絶縁材料を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗やリーク電流を低減したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】単結晶基板上に、少なくとも、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ層、ＩｎＧａＡｓ層からなるチャネル層、ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＰ層若しくはＳｉプレナードープ層からなる電子供給層、ノンドープ又は低濃度ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層からなるショットキー層、Ｓｅ又はＴｅをドーパントとしたｎ型不純物を含有するＩｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（但し０＜ｘ＜１）からなるコンタクト層を積層したＨＥＭＴ構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、その表面清浄度検査におけるＨａｚｅ値が５００ｐｐｍ以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】消費電力を増大させずにオンチップでＨＥＭＴの動作状況をモニターする。
【解決手段】
この半導体装置１０においては、第１の半導体層である電子走行層１１上に、第２の半導体層である電子供給層１２が形成されている。これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。この半導体装置１０において、電子は、電子供給層１２の表面に形成された第１の主電極であるソース電極１４と、同様にこの表面に形成された第２の主電極であるドレイン電極１５との間を、この２ＤＥＧ層１３を通って流れる。ゲート電極１６とソース電極１４との間の電子供給層１２上に電位検出電極１７が設置される。この電位検出電極１７には、動作時にこの電位検出電極１７に流れる電流がドレイン電流と比べて無視できる程度となるような、充分に高い抵抗値をもつ抵抗１８が接続される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部の異常を簡易且つ正確に検出できるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体層で形成されて、ゲート電極にゲート電圧を印加されることによってドレイン電極−ソース電極間が導通し、ゲート電圧によって半導体層内で正孔と電子とが結合して発光する電界効果トランジスタ１１，１２と、ゲート電圧を制御する駆動部２１と、トランジスタ１１，１２の発光量を検出する光検出部２３１，２３２とを備え、駆動部２１は、光検出部２３１，２３２の検出結果に基づいて、トランジスタ１１，１２の異常を判定し、この判定結果に基づいてゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数段のトランジスタで構成されるモジュールの段間のＳパラメータが測定可能な段間プローブ用パターン構造、段間測定方法、およびマルチチップモジュール高周波回路を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、誘電体基板の第１表面上に配置された第１信号伝送線路と、誘電体基板の第１表面上に前記第１信号伝送線路に隣接して配置された一対の第１接地端子電極と、第１接地端子電極の下部に配置された第１ＶＩＡホールと、誘電体基板の第１表面と反対側の第２表面に配置され、第１接地端子電極に対して第１ＶＩＡホールを介して接続された裏面接地電極とを備える。第１信号伝送線路には高周波プローブの信号端子が接続可能であり、一対の第１接地端子電極には、高周波プローブの一対の接地端子が接続可能である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の測定を精度高く行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０の裏面１０ｂに、絶縁体からなり、厚さが１μｍ以下の保護膜２２を形成する工程と、保護膜２２を設ける工程の後に、基板１０の表面１０ａに、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程と、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程の後に、ＧａＮ系半導体層の電気的特性を測定する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】破壊耐量が高い、２ＤＥＧを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース・ドレイン間の耐圧よりも耐圧が低いＳＢＤダイオード１８のカソード電極がドレイン電極１６に接続され、アノード電極がポリシリコンダイオード２０を介してゲート電極１４に接続されている。これにより、Ｌ負荷耐量試験回路によるＬ負荷耐量試験において、ゲート信号がターンオフされると、ドレイン電圧が印加され、ＳＢＤダイオード１８にアバランシェ電流が流れ始め、電圧降下が発生し、ゲート電圧Ｖｇが印加される。ゲートに閾値電圧Ｖｔｈよりやや高い電圧（ゲートがオンする程度の電圧）が印加されると、ソース・ドレイン間が導通状態となる。これにより、ドレイン電圧がソース電極１２とドレイン電極１６との間の耐圧よりも低いＳＢＤダイオード１８の耐圧にクランプされた状態で、ドレイン電流が徐々に減少していく。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０（基板）上に窒素化合物層１２−２６を形成する。そして、窒素化合物層１６−２６をエッチングする。ここで、窒素化合物層１２−２６は、等間隔に配置され、窒素同位体Ｎ１５を含む複数のマーカー層１６，２０，２４を有する。また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの局所的な温度を測定することが可能な電界効果トランジスタを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極３と、ソース電極１の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。また、本発明にかかる他の態様の電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極１と、ドレイン電極２の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電圧対電流特性の線形性が改善された高性能の化合物半導体エピタキシャル基板、その製造方法およびその判定方法を提供する。
【解決手段】２次元キャリアガスを生成する化合物半導体１１４と、当該化合物半導体１１４にキャリアを供給するキャリア供給半導体１２０と、当該化合物半導体１１４と当該キャリア供給半導体１２０との間に配置され、キャリアの移動度を当該化合物半導体におけるキャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体１１６とを備える半導体基板。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制することができる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１０５、ドレイン電極１０７およびゲート電極１０６を備えるＨＥＭＴ１００であって、第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層１０３と、第１の半導体層１０３上に設けられた、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４とを備え、第１の半導体層１０３および第２の半導体層１０４のヘテロ接合によりチャネルが形成され、第１の半導体層１０３における、ドレイン電極１０７とゲート電極１０６との間の下方で、かつ、ヘテロ接合界面から所定の距離おいた領域には、低移動度領域１０８が設けられ、低移動度領域１０８は、第１の半導体層１０３における該低移動度領域１０８の周囲の領域よりも電子移動度の小さな領域である。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い窒化物半導体層を有している窒化物半導体装置、及びＨＥＭＴが作り込まれている窒化物半導体装置を検査する場合においても、欠陥を確実に励起させ、かつ欠陥に由来するイエロールミネッセンスを精度良く検出する。
【解決手段】サファイア基板１５の表面に形成されたＧａＮ（窒化物半導体層）１７に対して、表面と対向する裏面側から、第１励起光４７を、サファイア基板を透過させて照射する。そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を正確に測定することができるテラヘルツ光検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面から一定の位置に２次元電子ガス１３が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられたカーボンナノチューブ１４、導電性のソース電極１５、ドレイン電極１６及びゲート電極１７とを備える。カーボンナノチューブ１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続され、ゲート電極１７は、カーボンナノチューブの側面から一定の間隔を隔てて位置する。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電圧を印加しその間のＳＤ電流を検出するＳＤ電流検出回路１８と、ソース電極とゲート電極の間に可変電圧を印加しその間のゲート電圧を検出するゲート電圧印加回路１９と、半導体チップに可変磁場を印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）