【課題】オン抵抗が低減された窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、トレンチ６が形成されている。トレンチ６の壁面７の全域を覆うように、ｎ型チャネル層８が形成されている。トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型層５の最表面１６には、ソース電極１１が形成され、基板１の他方面には、ドレイン電極１２が接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流変調が容易で、製造コストを抑えた縦型有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極（エミッタ電極１）と、下部電極（コレクタ電極２）と、両電極間に設けられた有機半導体３と、その有機半導体３内に設けられた層状連続体４とを有し、その層状連続体４が、連続する絶縁性金属化合物４ｂと、絶縁性金属化合物４ｂ内に分布する粒状金属４ａとを有するように構成して、上記課題を解決する。その製造方法は、下部電極（エミッタ電極１）が形成された基板１０上に下側有機半導体層３ｂを形成する工程と、下側有機半導体層３ｂ上に、連続する絶縁性金属化合物４ｂとその絶縁性金属化合物４ｂ内に分布する粒状金属４ａとを有する層状連続体４を形成する工程と、層状連続体４上に上側有機半導体層３ａを形成する工程と、上側有機半導体層３ａ上に上部電極（エミッタ電極１）を形成する工程とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】高いゲート・ソース間耐圧を有する静電誘導トランジスタを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板の第１主面に、第１導電型の不純物領域であるソース領域と、前記ソース領域を取り囲むように第２導電型の不純物領域であるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にはメサ溝部を有し、前記半導体基板の第２主面の周縁部および前記メサ溝方向に交差する方向に、前記半導体基板の第１導電型の不純物と交互に配列するようにストライプ状の第２導電型不純物領域部であるゲート領域と、前記第１主面から前記ゲート領域まで達する深さの前記メサ溝部と、前記第１主面の前記ソース領域にはソース金属電極、前記ドレイン領域にはドレイン金属電極を有し、前記第２主面の前記ゲート領域の第２導電型不純物領域にゲート金属電極を有することを特徴とする静電誘導トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の５倍ないし２０倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 （もっと読む）

【課題】大電流容量を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、エピウエハ１１０と、絶縁膜と、第１の電極と、導電層と、第２の電極１６０とを備えている。エピウエハ１１０は、高欠陥領域１１１と、高欠陥領域１１１よりも欠陥密度の低い低欠陥領域１１２とを含み、主表面１１３と、主表面１１３と反対側の裏面１１４とを有する。絶縁膜は、エピウエハ１１０の主表面１１３における高欠陥領域１１１を覆うように形成される。第１の電極は、低欠陥領域の上に形成され、絶縁膜を介して隣り合う。導電層は、絶縁膜を介して隣り合う第１の電極を電気的に接続する。第２の電極１６０は、エピウエハ１１０の裏面１１４上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な新しい動作原理に基づく半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、ｐ⁺型のシリコン基板２と、シリコン基板２上に配置され、複数のトレンチ５を有するとともに、隣接するトレンチ５間の各領域がチャネル１０となる真性半導体からなる半導体層３と、半導体層３上に配置されたｎ⁺型の半導体層４と、半導体層３のトレンチ５に配置された埋め込み電極７とを備え、シリコン基板２、半導体層３および半導体層４により、ＰＩＮダイオードが形成されており、埋め込み電極７が負電位である場合に、トレンチ５から隣接するトレンチ５にわたって空乏層１１が形成されることにより、チャネル１０がオフ状態となり、埋め込み電極７が正電位である場合に、隣接するトレンチ５間の全ての領域において、空乏層１１が形成されないことにより、チャネル１０がオン状態となる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な新しい動作原理に基づく半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、ｎ⁺型のシリコン基板２と、シリコン基板２上に配置されたｐ型の半導体層３と、半導体層３上に配置され、複数のトレンチ４ａを有するとともに、隣接するトレンチ４ａ間の各領域がチャネル１０となるｎ型の半導体層４と、半導体層４のトレンチ４ａに配置された埋め込み電極６とを備え、シリコン基板２、半導体層３および半導体層４により、バイポーラトランジスタが形成されており、埋め込み電極６が負電位である場合に、トレンチ４ａから隣接するトレンチ４ａにわたって空乏層１１が形成されることにより、チャネル１０がオフ状態となり、埋め込み電極６が正電位である場合に、隣接するトレンチ４ａ間の全ての領域において、空乏層１１が形成されないことにより、チャネル１０がオン状態となる。 （もっと読む）

実施例によれば、半導体集積デバイスが、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第１の垂直接合電界効果トランジスター(Vertical Junction Field Effect Transistor: VJFET)と、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第２の垂直接合電界効果トランジスターを含む。第１の垂直接合電界効果トランジスター(ＶＪＦＥＴ)の少なくとも１つのゲートは、第２のＶＪＦＥＴの少なくとも１つのゲートから、チャンネルにより分離される。半導体集積デバイスは、更に、第１と第２のＶＪＦＥＴの間に配置された接合バリアーショトキー(Junction Barrier Schottky：ＪＢＳ)ダイオードを含む。このＪＢＳダイオードは、このチャンネルに対する整流コンタクトを構成し、かつ、第１と第２のＶＪＦＥＴの少なくとも１つのゲートに対する非整流コンタクトを構成する金属コンタクトを備え、この金属コンタクトが、このＪＢＳダイオードのアノードである。第１の電気接続手段が、第１のＶＪＦＥＴのゲート、第２のＶＪＦＥＴのゲート、及び、ＪＢＳダイオードのアノードを、共通ゲート電極に連結し、及び、第２の電気接続手段が、第１のＶＪＦＥＴのソースと第２のＶＪＦＥＴのソースを、共通ソース電極に連結する。
（もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、第１の絶縁層、第３の電極、第２の絶縁層を有機半導体層の形成前に成膜し、同時にパターニングする。パターニングされた第１の絶縁層、第３の電極、第２の絶縁層を覆うように第１の電極上に有機半導体層を形成する。本発明によれば、良好な製造歩留まりで製造でき、かつ電流オンオフ比の大きな有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極の膜厚を８０ｎｍ以上の厚膜とする。第３の電極の膜厚を厚くすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、第３の電極と第２の電極を有機半導体層の形成前に成膜し、同時にパターニングする。このように第３の電極の直上に同一の形状を有する第２の電極を配置する。その後第３の電極と第２の電極の一部もしくは全てを覆うように第１の電極上に有機半導体層を形成する。本発明によれば、良好な製造歩留まりで製造でき、かつ電流オンオフ比の大きな有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】小型で、費用効率の良い半導体接合型ゲートトランジスタ用制御回路を提供する。
【解決手段】ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５及びＡＣ結合充電コンデンサ４３５に、ゲート駆動チップの出力に結合されている。使用時に、ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタも検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極と第２の電極の平面パターン形状を、開口部を有する同一平面パターン形状とする。これらの構造とすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】導通する定電流値のバラツキを抑制するとともに、効率よく製造可能で、定電流ダイオードをとして構成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の高抵抗層（２）と、高抵抗層（２）に設けられた第２導電型の半導体基板領域２０と、高抵抗層（２）の表面に配置された複数のゲート拡散層６と、高抵抗層（２）の表面に、複数のゲート拡散層６間に配置された第１導電型のドレイン領域（１２）と、複数のゲート拡散層６の周囲において、高抵抗層（２）を半導体基板領域２０までエッチングした側壁部に配置され，第２導電型を有する素子分離領域２４と、高抵抗層（２）の表面に、素子分離領域２４とゲート拡散層６間に配置されたソース領域８と、ドレイン領域１２に設けられたドレイン電極１４と、ソース領域８およびゲート拡散層（６）に設けられたソース電極１０とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】導通する定電流値のバラツキを抑制するとともに、効率よく製造可能で、定電流ダイオードをとして構成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の高抵抗層（２）と、高抵抗層（２）に設けられた第１導電型のドレイン領域１２と、高抵抗層（２）の表面近傍に形成された複数の第１ゲート拡散層４と、高抵抗層（２）の表面に、複数の第１ゲート拡散層４上に、それぞれ接して形成された複数の第ｎゲート拡散層（ここで、ｎは２以上の整数）（６）と、高抵抗層（２）の表面に、複数の第ｎゲート拡散層（６）間に形成された第１導電型のソース領域８と、ドレイン領域１２に設けられたドレイン電極１４と、ソース領域８および第ｎゲート拡散層（６）に設けられたソース電極１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶を用いる半導体装置において、ノーマリオフ動作が実現できるとともに製造が用意な構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、上側表面が（０００１）結晶面である窒化物半導体結晶とゲート電極を備えている。前記窒化物半導体結晶の上側表面には、少なくとも一つのトレンチが形成されている。前記ゲート電極は、少なくとも前記トレンチの側面に絶縁層を介して対向している。そして、前記トレンチの側面の少なくとも一部は、（１１−２２）結晶面又は（１−１０１）結晶面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を小さくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ９１は、基板Ｓと、基板Ｓの上面Ｓａ側に形成されたエミッタ電極１７と、基板Ｓの下面Ｓｂ側に形成されたコレクタ電極１５と、エミッタ電極１７とコレクタ電極１５との間を流れる電流を制御するための制御機構（ｐ型ベース領域７、ｎ⁺不純物領域１１、絶縁膜１３、およびゲート電極１９）とを備えている。ｎ^-ドリフト領域１が基板Ｓ内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合面をチャネルに用いる半導体装置において、安定したノーマリオフ動作を可能とする技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、窒化物半導体結晶と、前記窒化物半導体結晶の上側表面に絶縁層を介して対向するゲート電極を備えている。前記窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、前記第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。前記第１層の少なくとも一部には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が形成されている。前記第１層と前記第２層との境界面に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。そして、前記へテロ接合面の少なくとも一部には、前記ゲート電極が上方から対向しているとともに、前記ｐ型半導体領域が下方から対向している。 （もっと読む）

【課題】有機物を利用した論理素子を製造しようとする場合、従来はシリコンデバイスと類似のＭＯＳ型構造を複数組み合わせた構造で検討されてきたが、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく駆動に高い電圧を必要とするためで実用的な電圧範囲の動作ができなかった。
【解決手段】縦型の構造を有する有機静電誘導型トランジスタを複数組み合わせることによって、低電圧で動作可能なまた実装面積の小さな論理素子を得る。 （もっと読む）

電子デバイス（１０、１０’、１０’’、１０’’’、１００、１００’、１００’’、１００’’’、１０００）は、第１の導電性タイプの一次ナノワイヤ（１８）と、一次ナノワイヤから外側に延在する、第２の導電性タイプの二次ナノワイヤ（２４）とを備える。第２の導電性タイプのドープ領域（２６）が、二次ナノワイヤ２４から一次ナノワイヤ（１８）の少なくとも一部内に延在する。
（もっと読む）