接合電界効果トランジスタが記載される。このトランジスタは、広いバンドギャップの半導体から造られる。上記デバイスは、ソース、チャネル、ドリフトおよびドレインの半導体の層ならびにｐ型注入ゲート領域またはショットキーゲート領域を含む。上記ソース、チャネル、ドリフトおよびドレイン層は、エピタキシャルに成長され得る。上記ソース、ゲートおよびドレイン領域に対するオーム接触は、ウェーハと同じ側に形成され得る。上記デバイスは、垂直チャネル幅に依存する異なる閾電圧を有し得、同じチャネルドーピングに対し、デプレッション動作モードおよびエンハンス動作モードの両方に対して実施され得る。上記デバイスは、デジタル、アナログおよびモノリシックなマイクロ波集積回路のために使用され得る。上記デバイスを含むトランジスタおよび集積回路を製造する方法もまた、記載される。
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常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスが、記述される。電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。該デバイスは、高電力で温度に対する許容性があり、耐放熱性のエレクトロニクスコンポーネントにおいて用いられ得る。該デバイスを作成する方法もまた、記述される。
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本発明は、安定した双安定特性を持ち、遷移電圧が高く、かつ繰返し性能に優れたスイッチング素子を提供する。 電極間に印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つスイッチング素子であって、基板上に第１電極層、有機双安定材料層、第２電極層の順に薄膜として形成されており、有機双安定材料層を構成する有機双安定材料がキノメタン系化合物又はモノキノメタン系化合物である。また、有機双安定材料層中に第２電極層を構成する金属が拡散している。第２電極層は蒸着により形成され、蒸着時の基板の温度が３０〜１５０℃であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥が存在する半導体層を備える半導体装置において、低耐圧化の抑制あるいはリーク電流の発生の抑制を実現する。
【解決手段】 電源の一方の極性に接続するドレイン電極２２及び半導体基板３２と、非被覆領域５５を残して半導体基板３２の表面を被覆している電流規制層４２と、その電流規制層４２の表面を被覆している半導体層（ドリフト層５６、チャネル層５４、ソース層５２）と、ソース層５２の表面に形成されており、電源の他方の極性に接続するソース電極６２を備えている。 （もっと読む）

本発明は、第１のｎ導電性の半導体領域（２）、第１の半導体領域（２）に走る電流回路及び基礎ドーピングを有する、電流（Ｉ）を制御する半導体装置に関する。チャネル領域（２２）内の電流（Ｉ）は、少なくとも１つの空乏層（２３、２４）により影響させることができる。そのチャネル領域（２２）は電流を誘導するｎ導電性のチャネル伝導領域（２２５）を内包しており、このチャネル伝導領域は基礎ドーピングよりも高くドープされている。チャネル伝導領域（２２５）はイオン注入によりチャネル領域（２２）を囲むエピタキシャル層（２６２）内に形成されている。
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【課題】動作速度が速く且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】動作速度が速く且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリウレタンを１種以上含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】 従来の半導体装置では、ゲート領域から注入された自由キャリア（正孔）がソース領域に取り込まれ、所望のｈＦＥを得られ難いという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、ソース領域６と同電位となる固定電位絶縁電極１１とゲート領域７と同電位となる可変電位絶縁電極９とを有する。そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】半導体素子に、１個以上の第２導電形（例えばｎ）のエミッタ（７）が内部に設けられた第１導電形（例えばｐ）のベース領域（６）をそれぞれ有する少なくとも１個のセル（１２）、第２導電形の第１ウェル領域（５）、第１導電形の第２ウェル領域（４）、第２導電形のドリフト領域（３）、第１導電形のコレクタ領域（２）、及びコレクタ接点（１）を設け、各セル（１２）を第１ウェル領域（５）内に配設し且つ第１ウェル領域（５）を第２ウェル領域（４）内に配設し、更にエミッタ領域（７）と第１ウェル領域（５）との間にＭＯＳＦＥＴチャンネルが形成されるようにベース領域（６）と連通された第１ゲート（１４）、及び第１ウェル領域（５）内に埋め込まれた少なくとも１個の埋込み領域（８）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子や有機ＴＦＴ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 半導体部と絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、絶縁部が強誘電性及び強磁性をともに有する物質と非磁性物質を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもオン電流値を上昇させ、精度の高い回路動作を行なえるようにした、優れた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁部２に、強誘電体物質を含有するコア部と、常誘電体物質を含有するシェル部とからなるコア・シェル構造粒子を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 電界効果トランジスタに、強誘電性及び強磁性をともに有する物質を含有する絶縁部１６と絶縁部１６に対向して設けられ強磁性を少なくとも有する物質を含有する強磁性部１４とを設ける。 （もっと読む）

高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約２×１０^１５ｃｍ^−３未満である正味ｎ型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。

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