【課題】縦型のＧａＮ系半導体装置の耐圧性能を向上する。
【解決手段】 ｎ⁻型のＧａＮ層６にp型のＧａＮ層１０が積層されており、ｐ型のＧａＮ層１０にｐ型のＧａＮ層１０を貫通するアパーチャー２８が形成されており、そのアパーチャー２８にｎ型のＧａＮ層２６が充填されている。ｎ型のＧａＮ層６の一部に浮遊電流ブロック領域８が形成されている。半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。半導体装置の耐圧性能が改善される。浮遊電流ブロック領域８は、ｐ型領域であってもよく、深い準位をもった領域であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリオフ特性を備えている窒化物半導体装置２を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体装置２では、アンドープのＧａＮを材料とする窒化物半導体下層８の表面に、アンドープのＡｌＧａＮを材料とする窒化物半導体層１０が積層されている。窒化物半導体層１０は、窒化物半導体下層８よりも大きなバンドギャップを備えており、窒化物半導体下層８に対してヘテロ接合している。窒化物半導体層１０の表面にはゲート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６は、窒化アルミニウム膜１５で形成されている部分と、酸素又はシリコンを含む絶縁物質１４で形成されている部分を含んでいる。窒化アルミニウム膜１５が形成されている範囲Ｗ２はゲート電極１８が形成されている範囲Ｗ１に含まれる関係にある。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】 このトランジスタは、ｐ型領域と、チャネル領域と、バリア領域と、絶縁膜と、ゲート電極を備えている。チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極は、絶縁膜を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電流容量および耐電圧を大きくしたノーマリオフの縦型構成の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０に積層された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２０と、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２０から積層方向に交差する横方向へ成長した横方向成長領域２２と、半導体基板１０の裏面に形成されオーミック性を有する第１電極３１（ドレイン電極）と、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２０の表面に形成されオーミック性を有する第２電極３２（ソース電極）と、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２０の積層方向で第１電極３１と第２電極３２との間での電流路となる通電領域２１と、横方向成長領域２２に接触させて形成され通電領域２１での通電状態を制御する第３電極３３（ゲート電極）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト抵抗を低減でき、素子のスイッチングスピードを下げないようにすることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６のうち第１〜第３コンタクトホール１２〜１４から露出した部位に、炭化珪素とＡｌとＮｉとが反応してそれぞれ形成された合金層１５が設けられている。この合金層１５におけるＡｌとＮｉとの元素組成比は１：４．６〜１：１０．６であり、合金層１５の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下になっている。これにより、合金層１５と半導体基板６とがオーミック接触となり、低いコンタクト抵抗率を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＪＦＥＴが形成されるセル領域とダイオード形成領域との間の絶縁耐圧を向上でき、耐圧の最適設計が行える構造のＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。これにより、トレンチ内に酸化膜を配置して素子分離を行う場合と比べて、素子分離用の酸化膜が絶縁破壊されることが無いため、ＪＦＥＴが形成されるセル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２との間の絶縁耐圧を向上できる。このため、素子分離に酸化膜を用いる場合と比べて耐圧の最適設計を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 一対の主電極の間に設けられたゲート電極を有する半導体装置において、高い耐圧を確保しながらオン抵抗を低くする技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、一対の主電極２，２２間に設けられたゲート電極１０を備えている。ゲート部１０は絶縁ゲート電極部１０ａとショットキー電極部１０ｂを有している。半導体装置１００は、主電極２に接続するコンタクト領域１８と、コンタクト領域１８に隣接するチャネル半導体領域８と、チャネル半導体領域８の裏面に接しているｐ型半導体領域２０と、チャネル半導体領域８とｐ型半導体領域２０の両者に隣接するドリフト半導体領域１２を備えている。絶縁ゲート電極部１０ａは、ゲート絶縁膜４を介してコンタクト領域１８の表面に対向している。ショットキー電極部１０ｂは、ドリフト半導体領域１２の表面に直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗が低減されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。半導体上層４０は、マグネシウムを含むｐ型であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリオフ動作を実現するとともに、電流コラプス現象が抑制されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。半導体上層４０は、中間領域にマグネシウムを含むδドープ層４４を有する。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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【課題】導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。
【解決手段】ｐ⁺型第２ゲート層８を形成してから次のロットでｎ^-型チャネル層７を形成する工程に移行する前の工程として、ｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度においてＣＶＤ装置内のＳｉＣコーティングの表面をエッチングするエッチング処理と、エッチング処理後にＣＶＤ装置内をｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度で加熱する加熱処理とを行う第１の残留不純物除去工程と、ｎ^-型チャネル層７の成長レートよりも早い成長レートにて、後工程で成長させるｎ^-型チャネル層７と同じ導電型の不純物層をカーボン容器の内壁面のＳｉＣコーティングの表面にデポジションするデポジション工程を行う第２の残留不純物除去工程を行う。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性が優れた高分子化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物


〔式中、Ｒ¹は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。ａは１〜３の整数を表す。Ｒ¹が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕；特定の化合物を縮合重合させる工程を有する前記高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）の高温動作時のオン抵抗を低減して、高温時の動作特性を改善すること。
【解決手段】出力切替回路３４は、温度検出装置３３によって検出された温度が所定の閾値温度以上であるとき、第２の駆動回路３２に出力切替指示を与える。これにより、第２の駆動回路は、ＭＯＳＦＥＴ３５を駆動して、ＪＦＥＴ１０に立ち上がり電圧（順方向降下電圧）Ｖ_Ｆ以上のゲート電圧Ｖ_ＧＳが印加され、ＪＦＥＴはバイポーラ動作される。これにより、高温時のＪＦＥＴ１０のオン抵抗の増加を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 縦型のIII族窒化物半導体の製造過程において、半導体構造の表面を平坦化する処理を利用することができるとともに、その後の工程で電極等を形成する際に半導体構造に対して高い精度で位置合わせできる製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型の窒化ガリウム基板２の表面の一部にアライメントマーク４を形成する。次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。次に、第１の窒化ガリウム層６の一部をアライメントマーク４に達しない深さまでエッチングする。次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。次に、第１の窒化ガリウム層６の凸部６ａが露出するまで表面を平坦化する。第１の窒化ガリウム層６の表面を平坦化した後の工程でも、アライメントマークを認識することができる。 （もっと読む）

【課題】高い電荷輸送性と、溶媒への溶解性に優れる多環縮環重合体を提供する。
【解決手段】式（１）及び又は式（２）の構造単位を有する多環縮環重合体。


［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】解決しようとする課題は、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったディュアル静電誘導トランジスタを提供して、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくし、回路製作上の調整作業を容易にすることである。
【解決手段】本発明では、半導体の１ウェーハ内の隣同士に隣接して、対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタを構成して、差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供したものである。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

実施の形態に係る自己修復型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置は、各々がヒューズリンクを有する複数のＦＥＴセルを含む。ヒューズリンクは、対応するセルにおける高電流イベント時に飛ぶように調節される。 （もっと読む）

【課題】 従来の接合型ＦＥＴにおいては、分離領域で囲まれたチャネル領域は１つの連続した領域であった。このため、ゲート領域の周囲において所望の相互コンダクタンスｇｍが得られ、且つオフ時のピンチオフが十分な不純物濃度を選択すると、チャネル領域とｐ−型半導体層とのｐｎ接合耐圧が、静電エネルギーを逃がすには高すぎて、ｐｎ接合がブレークダウンする以前に素子領域が破壊する問題があった。
【解決手段】 本発明では、ゲート領域を第１ｎ型不純物領域に設け、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ第２ｎ型不純物領域に設ける。第１ｎ型不純物領域と第２ｎ型不純物領域は独立して不純物濃度を選択できる。これにより、互いに影響を与えることなく、所望の相互コンダクタンスｇｍと、所望の静電耐圧が得られるように、これらを独立して制御することができる。 （もっと読む）