【課題】 微小でしかも強磁場下でも高感度に磁気検出ができる縦型共鳴トンネル素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース電極１２となる金属膜と導電層からなるドレイン電極１３との間に変調ドープ構造を持つ柱状半導体１１を有し、柱状半導体１１のソース電極１２とドレイン電極１３との間に前記金属膜と略平行な多重障壁層１４，１５を備え、柱状半導体１１の中心軸部分にソース電極１２側から有底穴１７が形成された縦型共鳴トンネル素子の製造方法において、有底穴１７を形成するとき有底穴１７の底部が多重障壁層１４，１５を貫通しない深さにすることにより生じる空乏層によって多重障壁層間の電子閉じ込め領域１６が実効的にリング状になる深さにする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。
【解決手段】ｐ型III族窒化物半導体からなる埋め込みゲート層１５は第２〜第４のエリア２７ｄ〜２７ｆ上に設けられる。チャネル層１７は、ｎ型III族窒化物半導体からなり、また埋め込みゲート領域１５上に設けられる。ｐ型III族窒化物半導体からなる上部ゲート層１９はチャネル層１７上に設けられる。チャネル層１７と埋め込みゲート層１５とはｐｎ接合２９ａを形成する。上部ゲート層１９チャネル層１７とはｐｎ接合２９ｂを形成する。ｎ型III族窒化物半導体からなる電流経路領域２１は、第４のエリア２７ｆ上に設けられる。電流経路領域２１は、チャネル層１７に接続されている。ソース電極３１は、チャネル層１７に電気的に接続される。ドレイン電極２５は、導電性基板２７の裏面２７ｂ上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】流れる電流の大きさのバラツキを抑制するとともに、効率よく製造することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】アノード１およびカソード２と、アノード２に導通するドレイン領域およびカソード２に導通するソース領域を有するｎ型半導体層３と、カソード２に導通するゲート領域を有するｐ型半導体層４と、を備える定電流ダイオードＡ１であって、ｎ型半導体層３には、その表面にカソード２が接続され、その裏面にアノード１が接続されており、ｐ型半導体層４は、それぞれがｎ型半導体層３の表面から裏面に向かって延びる１対の壁部からなる複数の壁部対４１ａが、ｎ型半導体層３の厚さ方向と直角である方向に配列された構成とされており、ｎ型半導体層３の表面側部分のうち、複数の壁部対４１ａに挟まれた部分が、上記ソース領域となるｎ⁺型半導体層３２とされている。 （もっと読む）

【課題】カーボンにより汚染されることなく、ステップバンチングによる表面荒れを安定して抑制することができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流や耐圧低下の防止された、トレンチ構造またはメサ構造を有するIII 族窒化物半導体装置。
【解決手段】Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。その後、ＵＳＧ膜３をマスクとしてＧａＮ層２をドライエッチングした。図２ａ、ｂのように、Ａ面よりもＭ面の方が荒れが少ないことが分かる。次に、ＴＭＡＨ水溶液でウェットエッチングした。図２ｃ、ｄのように、Ａ面、Ｍ面ともに荒れが解消されていて、特にＭ面は鏡面状になっている。したがって、トレンチ溝側面またはメサエッチング側面をＭ面とすれば、III 族窒化物半導体装置のリーク電流や耐圧低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電界を緩和して耐圧を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｎ^＋型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ⁻型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^＋型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。トレンチ４の内部にポリシリコンゲート電極５が配置されている。トレンチ４の内壁面にＳｉＣよりなるＰ^＋型エピタキシャル膜３０が形成されている。トレンチ４底面におけるエピタキシャル膜３０の下に、バナジウムイオンを拡散した半絶縁領域３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成したトレンチ溝の内壁面にエピタキシャル成長する際にファセット面の形成を抑制することができるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ基板９０に｛１１−２０｝面を主表面とする六方晶ＳｉＣ基板が用いられるとともにＳｉＣ基板９０にトレンチ溝９１が形成されている。トレンチ溝９１は、断面形状において側壁面が｛０００１｝面から１度以上傾いている。トレンチ溝９１の内壁面にはＳｉＣエピ層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】平面サイズの縮小化を図ることができる、接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】この接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｎ⁻型エピタキシャル層３が積層されている。ｎ⁻型エピタキシャル層３には、複数のゲート領域４が間隔を隔てて形成されるとともに、互いに隣り合うゲート領域４の間に、それらのゲート領域４と間隔を隔ててソース領域６が形成されている。互いに隣り合うゲート領域４の深部間の間隔は、それらの表層部間の間隔よりも狭く形成されている。ゲート領域４およびソース領域６には、それぞれゲート電極５およびソース電極７が接続されている。ドレイン電極８は、半導体基板２の裏面に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ショットキーゲート電極で制御する半導体装置において、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層に接しているソース電極Ｓと、半導体層に接しているとともに、ソース電極Ｓから絶縁されているドレイン電極Ｄと、半導体層に接しており、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの双方から絶縁されているとともに、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの間に伸びるチャネル領域に対向しているショットキーゲート電極５０と、絶縁膜８０を介してショットキーゲート電極５０に対向している絶縁ゲート電極６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極２１と、第一の電極上２１の第一の半導体層２２、２４と、第一の半導体層２２、２４上の第三の電極２５と、第一の半導体層２２、２４の導電型と導電型が同一である第三の電極２５上の第二の半導体層２６、２８と、第二の半導体層２６、２８に挿入された第五の電極２９と、第一の半導体層２２、２４に挿入された第二の電極２３と、第二の半導体層２６、２８中に挿入された第四の電極２７とを有することを特徴とする半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、縦型有機トランジスタ及び縦型無機トランジスタを用いたインバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極３１と、第一の電極上３１の第一の半導体層３２、３４と、第一の半導体層３２、３４上の第三の電極３５と、第一の半導体層３２、３４の導電型と導電型が異なる第三の電極上３５の第二の半導体層３６、３８と、第二の半導体層３６、３８に挿入された第五の電極３９と、第一の半導体層３２、３４に挿入された第二の電極３３と、第二の半導体層３６、３８中に挿入された第四の電極３７とを有することを特徴とする半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】始動時や瞬低、瞬時停電の発生時には通常時の電力を大幅に超える電力を供給できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】瞬時大電力供給装置１のコンバータ４は、制御電極による制御によってユニポーラ半導体素子として動作させるかバイポーラ半導体素子として動作させるかが選択される複合機能を有するワイドギャップ複合機能半導体素子を備える。コンバータ４は、ワイドギャップ複合機能半導体素子をスイッチング素子として用いて、通常時は、変圧器５から交流を直流に変換して二次電池２出力して充電する一方、瞬時大電力を必要とするときは、二次電池２からの直流電力を交流電力に変換して変圧器５に出力する。 （もっと読む）

【課題】 単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現すること。
【解決手段】 シリコンカーバイド又はその他のウエハに溝を形成するための、及び、薄いアルミニウム層とパターン形成されたハードフォトレジストマスクとを含む同様のマスクを用いて溝の壁に対して不純物を注入するためのマスク構造及び方法。薄いＬＴＯ酸化物が金属層とハードフォトレジストマスクとの間に配置されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵型の接合ＦＥＴにおいて、低いゲートバイアスでもブロッキング状態を維持でき、かつ大きな飽和電流を実現する。
【解決手段】ｎ^＋ＳｉＣ基板１０をドレイン層、ドレイン層に接するｎ⁻ＳｉＣ層１１をドリフト層、ドリフト層上に形成されたｎ^＋ＳｉＣ層１２をソース層、ソース層からドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成してドリフト層の一部をチャネル領域とし、トレンチ溝を充填するｐ型多結晶Ｓｉをゲート領域とする接合ＦＥＴにおいて、チャネル片側のゲート領域をソース電極と短絡させてダイオードのｐエミッタとする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のＪ−ＦＥＴが形成されるセル領域の一部に、ダイオードを内蔵する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体で構成されたＮ^＋型ドレイン層１１、Ｎ⁻型ドリフト層１２およびＮ^＋型ソース層１３が下から順に配置されている半導体基板１と、ソース層１３の表面からドリフト層１２に到達する深さのトレンチ１４の側面１４ａに沿って配置されたＰ型ゲート層１５と、トレンチ１４の内部でゲート層１５を覆う絶縁膜１７と、ソース層１３と電気的に接続されたソース電極１９とを備える炭化珪素半導体装置において、少なくともトレンチ１４の内部もしくは真下に、ソース電極１９と電気的に接続され、ドリフト層１２と接合してダイオード６を構成するショットキー電極１８もしくはＰ型層のダイオード構成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】ｏｎ特性と耐圧性に優れた半導体素子を実現すること。
【解決手段】半導体層１，２の上面には膜厚０．１μｍ〜０．３μｍ程度のＡｌ₂ Ｏ₃ 結晶からなる保護被膜３が積層されている。この膜厚は、不純物の拡散バリアあるいはキャリアの注入バリアとして機能する膜厚であれば良い。この保護被膜３は、Ａｌ₂ Ｏ₃ 結晶の結晶成長によって成膜することができ、更にこの上には、厚いＧａＮ結晶層を広く容易に結晶成長させることができる。広面積に形成された厚膜の耐圧絶縁膜４は、その様な結晶成長によって積層された半導体結晶層であり、膜厚約２０μｍの真性ＧａＮ結晶から形成されている。さらにその上部に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 結晶からなる保護被膜５を０．１μｍ程度形成する。この保護被膜５は、キャリアの注入バリア層あるいは耐圧絶縁膜４への不純物の拡散（侵入）を防止する保護被膜として機能する。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体素子の損失の温度依存性を低減する駆動回路を提供すること。
【解決手段】本発明の電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路は、パワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子を基準として、該スイッチング素子のゲート端子に駆動信号を与える駆動回路と、該スイッチング素子の温度を検出する手段を有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、前記パワー半導体スイッチング素子の温度を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させる。 （もっと読む）

【課題】単位セルあたりにより多くの電流を流すことが可能な炭化珪素半導体装置、すなわちオン抵抗をより低減可能な炭化珪素半導体装置を提供すること。
【解決手段】Ｎ型の炭化珪素半導体からなるドレイン領域３と、ドレイン領域３に接し、Ｐ型の炭化珪素半導体からなる第一ベース領域４と、第一ベース領域４に接し、Ｎ型の炭化珪素半導体からなるソース領域５と、ソース領域５に接し、ドレイン領域３の所定領域を介して第一ベース領域４に対向する、Ｐ型の炭化珪素半導体からなる第二ベース領域６と、少なくともソース領域５とドレイン領域３とに挟まれる第一ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して接するゲート電極９とを有することを特徴とする炭化珪素半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 チャネル幅の均等性が高い縦型ＪＦＥＴを提供する
【解決手段】 本発明の縦型ＪＦＥＴは、半導体基体、第１導電型のソース領域、第１導電型のチャネル領域と、第２導電型のゲート領域とを備える。第１導電型のソース領域は、半導体基体の素子表面に設けられる。第１導電型のチャネル領域は、ソース領域から、半導体基体の深さ方向に延び、半導体基体の第１導電型の下層域に繋がる。第２導電型のゲート領域は、チャネル領域を挟んで深さ方向に形成される。以上の構成において、ゲート領域は、第２導電型不純物の濃度ピークが深さ方向に複数存在することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、製作中に追加の注入物を受け取るＪＦＥＴを提供する。この注入物は、ＪＦＥＴのドレイン領域をそのソース領域の方へ延ばし、かつ／またはそのソース領域をそのドレイン領域の方へ延ばす。注入物は、ドレイン／チャネル（および／またはソース／チャネル）接合部で所与のドレイン電圧および／またはソース電圧に対して普通なら生じるはずの電界の大きさを低減させ、それによって電界に関連するゲート電流および降伏の問題の重大度を軽減する。ＪＦＥＴのゲート層は、各注入物に対して、ゲート層の横方向の境界とドレイン領域および／またはソース領域との間にそれぞれ間隙を設ける幅を有するように寸法設定され、各注入物がそれぞれの間隙内に注入されることが好ましい。 （もっと読む）