【課題】 プロセスが容易で安価に製造でき、温度が上昇してもしきい値電圧のデプレッション側へのシフトを抑制できる、駆動回路の低消費電流と高速動作を両立できる。
【解決手段】 基体として用いた半導体のバンドギャップ端から所定深さの不純物準位を形成する不純物を用いてベース領域６１を形成することで、ベース領域６１のフリーキャリア濃度が、温度の上昇に伴って増加する温度依存性を有する。すなわち、ｎ型ＭＯＳトランジスタでは、Ｐ型ベース領域を、Ｂに加えて、深い準位を有するＢｅを用いて形成している。このため温度の上昇によってＰ型ベース領域のフリーキャリア濃度Ｎａを所定量大きくできる。その結果しきい値電圧Ｖｔｈのデプレッション方向へのシフト抑制が可能である。しきい値電圧制御は、特にＣＭＯＳ構成において、回路の消費電力を増加させることなく、しきい値電圧を零電圧に近づけて動作速度を速くする場合に極めて有効な方法である。 （もっと読む）

【課題】孔径、孔の密度が自由に制御でき、安価で簡便であり、有機化合物半導体にも適用が可能な低温で製造される、多孔薄膜堆積基板を提供する。さらには、この方法により得られた多孔薄膜堆積基板を利用して、均一で十分に小さいゲート孔を有し、動作電圧が低く、周波数特性にすぐれ、スイッチング特性が良好なスイッチング素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に静電荷を有する基板表面上に、前記基板表面の静電荷と逆の表面静電荷を付与した微粒子を設置させ、該微粒子設置基板上に少なくとも１層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去し、前記基板上に微細多孔を形成することを特徴とする多孔薄膜堆積基板。
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【課題】均一で安定した形状の微細孔を有する多孔薄膜堆積基板を提供し、さらに、孔径および孔の密度を自由に制御できる、安価で簡便な、有機化合物半導体にも適用が可能な低温における、多孔薄膜堆積基板の製造方法を提供する。さらには、この多孔薄膜堆積基板を利用して、均一で十分に小さいゲート孔を有し、動作電圧が低く、周波数特性にすぐれ、スイッチング特性が良好なスイッチング素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】微粒子を分散配置した基板上に、薄膜を少なくとも１層堆積した後、粘着シートを貼着し、次いで剥離して、微粒子を除去することにより、前記基板上に微細多孔を形成する多孔薄膜堆積基板を製造する方法。
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半導体装置およびその装置の製造方法を説明する。装置は、ＳｉＣにおいて実施され、エピタキシャルに成長したｎ型ドリフト、ｐ型溝ゲート領域、およびｐ−溝ゲート領域の上にあるｎ型のエピタキシャルに再成長したチャネル領域を含んでよい。ソース領域は、チャネル領域の上でエピタキシャルに再成長したり、選択的にチャネル領域に注入してよい。その後、ソース、ゲートおよびドレイン領域とのオーム接点が形成されてよい。装置は、ガードリング、接合型ターミネーション・エクステンション（ＪＴＥ）、またはその他の適当なｐ−ｎ遮断構造などのエッジターミネーション構造を含んでよい。装置は異なる閾値電圧で加工してよく、同じチャネルドーピングに対して、減少および増加モードの両方の操作を行ってよい。装置は、デジタル、アナログ、およびモノリシックのマイクロ波集積回路で個別電力トランジスタとして使用してよい。
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【課題】 従来例よりも深い選択導電領域の形成に利用でき、かつ選択導電領域の高品質化が可能なイオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアの移動度が高く、可視光を透過することが可能であり、動作速度が高速度である、縦型トランジスタ、および当該縦型トランジスタを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】 キャリアを放出するソース領域と、当該ソース領域から当該キャリアを受け取るドレイン領域と、当該キャリア領域とドレイン領域の間に形成されたゲート電極と、を有する縦型トランジスタであって、前記ソース領域および前記ドレイン領域が金属酸化物層よりなり、前記ゲート電極近傍に、当該金属酸化物層より誘電率が低い低誘電率絶縁層が形成されていることを特徴とする縦型トランジスタ。 （もっと読む）

本発明は、半導体基材（１００）を有する半導体素子に関し、さらに以下の各特徴として、上記半導体基材（１００）内にて、第１の伝導型のドリフト領域（２；２１１）と、上記半導体基材（１００）内にて、上記ドリフト領域（２）に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、半導体材料からなるドリフト制御領域（３；２４１）と、上記ドリフト領域（２；２１１）と上記ドリフト制御領域（３；２４１）との間に配置された蓄積誘電体（４；２５１）とを含む。
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【課題】比較的高速な動作が可能で、駆動電圧を比較的低くできる静電誘導型トランジスタを提供することである。
【解決手段】アノード電極９と、半導体層７、７１と、この半導体層に埋め込まれたゲート電極５と、カソード電極２とを備えたゲート電極埋め込み静電誘導型トランジスタである。ゲート電極５は、金属膜に貫通孔が形成されてなり、金属膜のアノード側及びカソード側に絶縁層４、１０１または高抵抗半導体層が配されてチャネルを形成している。ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。溝１３の底部である底壁１３Ａに接触する位置には絶縁体としての酸化物層１４が配置されており、かつ溝１３の側壁１３Ｂに接触するようにｎ型層１２とショットキー接触可能な金属膜１５が溝１３を埋めるように形成されている。さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 （もっと読む）

シリコンカーバイドパワーデバイスを形成する方法が提供される。ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域が、ｐ型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。パワーデバイスのチャネル領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域とシリコンカーバイドのｎ^＋領域に隣接する。ｎ”領域は、チャネル領域上に設けられ、＆領域の一部分が除去され、それにより、ｎ”領域の一部分が、チャネル領域上に残って、チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす。
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有機半導体から成る活性層の分子配向を抑制し、キャリア移動度を向上した縦型有機ＦＥＴを提供する。本発明は、基板上に少なくともソース電極層、ドレイン電極層、ゲート電極及び活性層が設けられており、ソース電極層、活性層及びドレイン電極層が順に積層した構造を有する縦型有機ＦＥＴであって、（１）前記ソース電極層及びドレイン電極層が実質的に基板面に対して平行に配置されており、（２）前記ソース電極層及びドレイン電極層が、導電性部材からなり、（３）前記活性層が、中心原子として４価又は６価の元素をもち、かつ、分子面の上下方向からそれぞれ配位子Ｘ１及びＸ２が配位したフタロシアニン系化合物から実質的に構成され、（４）前記化合物の各分子の分子面がソース電極層及びドレイン電極層の少なくとも一方に対して平行状態となるように、前記化合物が積層されている、縦型有機ＦＥＴに係る。
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【課題】 耐圧が高く、オン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１０）と、該基板上に形成され、ＳｉＣドリフト層（１４）と、ＧａＮ系半導体層（１８）と、ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極（６０）若しくはエミッタ電極並びにゲート電極（６２）と、前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極（６４）またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。ＳｉＣドリフト層を有することによりドリフト層の厚膜化が可能となりドレイン耐圧が高くできる。さらに、チャネル移動度の高いＧａＮ系半導体層をチャネル層として用いることによりオン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体結晶の一方の面に形成された第１の導電型の低抵抗層からなるドレイン領域１１と、半導体結晶のもう一方の面に形成された第１の導電型の低抵抗層からなるソース領域１２と、ソース領域１２の周囲に形成された第２の導電型のゲート領域１３と、ソース領域１２とドレイン領域１１の間の第１の導電型の高抵抗層１４とを有する接合型半導体装置１０において、ゲート領域１３とソース領域１２の間の半導体結晶の表面付近に第２の導電型の再結合抑制半導体層１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の高抵抗層形成工程と、チャネルドープ層形成工程と、第２の高抵抗層形成工程と、ソース領域１２となる第１導電型の低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、低抵抗層と第２の高抵抗層の途中の深さまで部分的にエッチングするエッチング工程と、エッチング工程でエッチングした部分の下部にゲート領域１３を形成するゲート領域形成工程と、表面保護膜１７を形成する表面保護膜形成工程と、ソース電極１９とゲート電極２０とドレイン電極１８を形成する電極形成工程と、ソース電極１９とゲート電極２０側に上層電極２１を形成する上層電極形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素トランジスタ装置の、微細化によるデバイス特性改善を阻む要因を除去する。
【解決手段】 高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）表面上にエピタキシャル成長により低濃度ｎ型ドリフト層（３）、更に、互いに離間した複数の高濃度ｐ型ゲート領域（４）を形成し、該構造上に低濃度ｎ型チャネル領域（７）と低濃度ｎ型領域１（９）をエピタキシャル成長させ、イオン注入により高濃度ｎ型ソース領域（５）を形成し、前記高濃度ｎ型ソース領域（５）上へソース電極（６）、ドライエッチングによりデバイスセル外に露出した高濃度ｐ型層（１０）上へゲート電極（８）、高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）の裏面にドレイン電極（１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 製造の容易な有機系の材料からなるｎ型半導体部を備え、移動度及びオン／オフ比に優れたＦＥＴを提供する。
【解決手段】 少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びｎ型有機半導体部を備えるＦＥＴにおいて、該ｎ型有機半導体部が、下記式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する。
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【課題】 閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 接合型電界効果トランジスタ２０は、チャネル領域を有するｎ型の半導体層１と、チャネル領域の上に形成された緩衝層３と、緩衝層３の上に形成されたｐ⁺領域４ａ，４ｂとを備えている。緩衝層３における電子の濃度は、半導体層１における電子の濃度よりも低い。緩衝層３における電子の濃度は、半導体層１における電子の濃度の１０分の１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 接合型電界効果トランジスタにおいて、高いゲート電圧を利用することができ、オン抵抗が低減される接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの間に位置するとともに電子が移動するｎ−ＧａＮからなるチャネル半導体領域３４と、そのチャネル半導体領域３４に隣接するとともにチャネル半導体領域３４のバンドギャップより大きいバンドギャップのｐ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ｎからなるゲート半導体領域３２と、そのゲート半導体領域３２に電気的に接触するゲート電極Ｇを備えていることを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】Ｐ型領域と、Ｎ型領域とを備え、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をＮ型領域に用いている。電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第１領域と、第１領域に対してヘテロ接合を形成する第２領域と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板強度を保持しつつオン抵抗を低減し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第１の不純物濃度を有する半導体からなる支持体２１と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度を有する半導体層３と、前記半導体層３に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）